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三菱マテリアル株式会社 - 特許情報
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番号 発明の名称
1 PLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物及びPLCSZT強誘電体薄膜の形成方法
2 劣化UF6の処理設備及びその処理方法
3 結晶シリコンの製造方法
4 PLCSZT強誘電体薄膜形成用組成物及びPLCSZT強誘電体薄膜の形成方法
5 PLZT強誘電体薄膜形成用組成物及びPLZT強誘電体薄膜の形成方法
6 ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液、ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型酸化物薄膜
7 炭素資源から水素を製造する装置
8 Pb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法及びPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜
9 ペロブスカイト型又はBi層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液、ペロブスカイト型又はBi層状ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法及びペロブスカイト型又はBi層状ペロブスカイト型酸化物薄膜
10 Tiを含有する金属酸化物薄膜形成用原料溶液、Tiを含有する金属酸化物薄膜の形成方法及びTiを含有する金属酸化物薄膜
11 多結晶シリコンの製造方法および装置
12 多結晶シリコンの製造装置
13 水素ガスの製造方法及びその装置
14 石英粉末の精製方法と装置およびその石英ガラス製品

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