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日本電気株式会社 - 特許情報
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番号 発明の名称
1 二次電池負極集電体、それを用いたリチウム二次電池
2 雷サージ誘導による無線設備破損防止方法及び装置
3 半導体装置の製造方法
4 半導体装置の製造方法
5 半導体装置
6 電界効果トランジスタとその製造方法
7 半導体装置およびその製造方法
8 半導体装置及びリードフレーム
9 半導体装置の製造方法
10 半導体集積回路のクロックツリー設計方法及びそれによる半導体集積回路
11 捺印機におけるICパッケージ位置決め装置
12 多層構造化LSI
13 半導体記憶装置の製造方法
14 半導体装置
15 積層型圧電トランス
16 励起型固体レーザ装置
17 励起型固体レーザ装置
18 面発光レーザ
19 半導体レーザアレイ
20 異方性導電樹脂及びこれを用いた電子部品の実装構造
21 多層配線基板の製造方法
22 マイクロ波及びミリ波帯の信号を伝送する基板間の接続方法
23 適応フィルタ
24 クロック信号制御方法及びその装置
25 クロック信号制御方法及びその装置
26 出力回路
27 ディジタル制御回路
28 PLL回路
29 A/Dコンバータ
30 二次電池
31 圧電トランスの駆動方法及び駆動回路
32 半導体装置の製造方法
33 コンタクトホールの埋め込み方法
34 半導体装置の製造方法
35 スパッタエッチモニタ方法およびスパッタエッチモニタ用パターン
36 半導体装置
37 電界効果トランジスタ及びその製造方法
38 半導体装置及びその製造方法
39 半導体装置
40 微小金属ボールの配列方法
41 半導体装置の製造方法
42 半導体集積回路
43 荷電粒子ビームによる半導体ウエハー検査装置及び検査方法
44 評価用半導体装置及び半導体装置の試験方法
45 MOSFETデバイスのゲート長測定方法および測定装置
46 電界効果トランジスタ及びトランジスタ特性評価方法
47 半導体装置及びその製造方法
48 半導体装置の製造方法
49 レイアウト検証装置及びレイアウト検証方法
50 半導体装置
51 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
52 コード識別情報記録回路
53 半導体装置
54 半導体装置及びその実装方法
55 強誘電体容量および強誘電体メモリ
56 強誘電体メモリ
57 半導体装置の構造およびその製造方法
58 半導体装置の製造方法
59 電界効果トランジスタ
60 半導体装置
61 半導体装置およびその製造方法
62 薄膜トランジスタ素子及びその製造方法
63 半導体受光素子
64 固体レーザ発振器
65 窒化物系化合物半導体およびその結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子
66 半導体発光素子
67 フレキシブル基板
68 混成集積回路装置
69 多層基板の製造方法
70 プリント基板の脱落防止装置
71 電子機器の放熱構造
72 電子機器の冷却構造
73 光モジュール用液体冷却装置
74 電波チルト補助装置およびアンテナシステム
75 周波数変換器
76 プリアンプ回路
77 差動入力チョッパ型電圧比較回路
78 パルス発生回路
79 インタフェース回路およびその判定レベル設定方法
80 同時動作制御装置
81 出力回路
82 カウンタ
83 A/D変換器
84 非接触スイッチ
85 高周波リレー
86 電界放出型冷陰極およびその製造方法
87 低背型基板接続用コネクタ
88 パターン露光方法及びパターン形成方法
89 アライメントマーク位置の補正方法及び電子線露光方法並びに電子線露光装置
90 多結晶シリコン膜の成長方法およびCVD装置
91 試料処理装置および方法
92 半導体装置及びその製造方法
93 半導体装置及びその製造方法
94 薬液処理装置および薬液処理方法
95 金属のエッチング方法
96 プラズマ処理方法
97 銅配線構造およびその製造方法
98 多孔質ゲッタリング基板及びその製造方法並びにこれを用いるシリコン基板保管方法
99 半導体装置
100 半導体装置の製造方法

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