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発明の名称 半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平11−51256
公開日 平成11年(1999)2月26日
出願番号 特願平10−110866
出願日 平成10年(1998)4月21日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 誠
発明者 李 中 善 / 田 在 剛 / 金 賢 淑 / 金 龍 錫
要約 目的


構成
特許請求の範囲
【請求項1】 半導体装置製造工程に使用される処理流体をパイプにより供給する半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインにおいて、パイプと、前記パイプを設置するためのフレームと、前記フレームに設置され、内部に配設された前記パイプを所定経路に沿って固定するように支持する支持体と、前記支持体と前記パイプとの間に装着する弾性力を有した衝撃緩和部材と、を備えていることを特徴とする半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項2】 前記支持体は、側面及び底面を有し、上面が開口した略四角の筒状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項3】 前記支持体は、前記フレームにネジにより締結し、固定することを特徴とする請求項2記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項4】 前記パイプは、前記フレームと前記支持体との間で接触することなく前記支持体の中心に支持されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項5】 前記パイプは、前記衝撃緩和部材を上部及び下部に装着して前記支持体の中心に支持されていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項6】 前記パイプは、前記衝撃緩和部材を上下及び左右に装着して前記支持体の中心に支持されていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項7】 前記衝撃緩和部材は、スプリングであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項8】 前記衝撃緩和部材は、ゴムパッドであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項9】 前記衝撃緩和部材は、空気チューブであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項10】 前記パイプは、半導体装置製造工程に使用される処理流体である所定のガスを移送するためのものであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項11】 前記パイプは、半導体装置製造工程に使用される処理流体である所定のケミカルを移送するためのものであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
【請求項12】 前記パイプは、半導体装置製造工程に使用される処理流体である純水を移送するためのものであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプライン。
発明の詳細な説明
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインに係り、より詳細には半導体装置の製造工程に使用されるガス、ケミカル、及び純水等の処理流体を供給するために設置された半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体産業をはじめとする電気、電子部品産業や製薬、遺伝子光学、航空宇宙産業、及び化工産業等の高清浄状態の製造環境が要求される分野において、超高純度ガス、高清浄ケミカル、または純水等の処理流体の汚染管理は非常に重要である。
【0003】特に、半導体装置を製造する製造ラインで使用されるガス、ケミカル、または純水等の処理流体は、建物の中の安全性等の問題点により、建物の中の特定な場所、または建物の外の所定空間に保管され、ここから処理装置まで特別に設計された処理流体移送用パイプライン(以下、パイプラインと称す)で供給される。
【0004】このようなパイプラインは、短い物は数十メートル、長い物は数百メートル程度の長さに形成されている。ここで、半導体装置を製造する環境で最も重要とされるパイプラインの条件は、供給地点の供給物(処理流体)の質が最終到着地点でも同一に維持されなければならないということである。しかし、実際には、周囲の環境障害(例えば、振動、衝撃等)によって、供給物を供給した地点の質を最後まで満足に保証することは困難であるという問題点があった。
【0005】図1は、このような従来の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインを示す斜視図である。図1に示す従来の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインは、構造物のフレーム10に支持体12がネジ14により固定されており、支持体12とフレーム10との間にパイプ16が配設されている。
【0006】ここで、パイプ16に影響を与える環境障害、即ち、振動または衝撃等の要因は、建物の内部と建物の外部とに存在している。建物の内部の要因としては、給気系統、配管系統、及び排気系統等に区分される装置によるものがある。一方、建物の外部の要因としては、冷凍気系統、ボイラ系統等に区分される装置によるものがある。そこで、パイプ16を介して各目的地に供給されるケミカル、純水等の処理流体は、パーティクル計数機(図示しない)によってパーティクルの含有状態がチェックされる。
【0007】前述した振動または衝撃等の要因によって一次的な衝撃や持続的な衝撃が発生すると、その衝撃がフレーム10を介して直接パイプ16に伝達してしまう。このためパイプ16の内部には、衝撃によってパーティクル等の汚染物質が発生してしまう。また、発生したパーティクルは、パイプ16を介して供給されている処理流体(ガス、ケミカル、純水等)により最終目的地まで移送される。これにより、パーティクル計数機でチェックされるパイプ16内部の1分当りのパーティクルの数は急激に増加してしまう。
【0008】図2は、図1に示したパイプラインに加えられた衝撃により計数機でチェックされたパーティクルの数の変化を示すグラフである。図2に示すグラフにおいて、縦軸に1分当りのパーティクルの数を示し、横軸に衝撃が加わる時間を各々示している。ここで、パイプラインへの衝撃は、最初に持続的に数回の衝撃を加え、次に一時的な衝撃が加えられ、最後に衝撃を与えずに安定させている。このように、持続的、または一時的な衝撃が加わると、この衝撃に比例して急激にパイプライン内のパーティクルの汚染度が増加していることが分かる。
【0009】このように従来の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインは、製造ラインでガス、ケミカル、または純水等の処理流体を供給する際に、衝撃が加わり汚染度が増加しないように十分に考慮して供給していた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインでは、図2に示したグラフのように、衝撃によりパイプライン内で急激にパーティクルの汚染度が増加し、この処理流体を目的地まで供給してしまうと、半導体装置の生産収率に莫大な影響を与えるとともに、工程を実行するクリーンルーム内部の汚染度が急激に変化してしまう問題点があった。本発明はこのような課題を解決し、半導体装置製造工程に使用される処理流体を供給するパイプに直接伝達される振動または衝撃等の要因を遮断して、パイプ内でパーティクルが発生することを防止する半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインを提供することを目的とする。
【0011】
【発明を解決するための手段】本発明は前述した課題を解決するため、半導体装置製造工程に使用される処理流体をパイプにより供給する半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインにおいて、パイプを設置するためのフレームと、このフレームに装着されてパイプを所定経路に沿って固定するように支持する支持体と、この支持体の内部に配設するパイプと、支持体とパイプとの間に装着する弾性力を有した衝撃緩和部材とを備える。ここで、支持体は、側面及び底面を有して上面が開口した略四角の筒状に形成され、フレームにネジにより締結して固定するのが好適である。また、パイプは、フレームと支持体との間に接触することなく、衝撃緩和部材を上部及び下部、または上下及び左右のいずれかに装着して支持体の中心に支持させるのが良い。また、衝撃緩和部材は、スプリング、ゴムパッド、または空気チューブのいずれかにより形成するのが良い。さらに、パイプは、半導体装置製造工程に使用される処理流体である所定のガス、所定のケミカル、または純水のいずれかを移送するように設けるのが良い。
【0012】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインの実施の形態を詳細に説明する。図3は、本発明による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインの実施の形態を示す斜視図である。図3に示すように、本発明による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインは、建築物等のフレーム30に支持体32がネジ34で固定され、フレーム30と支持体32との間にパイプ36を配設し、このパイプ36はフレーム30と支持体32との間に装着されたスプリング38によって支持されている。
【0013】ここで、支持体32は、側面及び底面を有しており、上面を開口した略四角の筒状に形成されている。この支持体32は、上面の開放した部位をフレーム30に当接させてネジ34により締結して固定されている。また、パイプ36は、フレーム30と支持体32との間に接触することなく、スプリング38を上部及び下部に装着して支持体32の中心に位置するように支持されている。また、スプリング38は、所定の発振源等からフレーム30と支持体32とに伝達された振動または衝撃がパイプ36に直接伝達されることを緩和して遮断するためのものであり、スプリング38の弾性力は振動または衝撃の程度を考慮して設定することが望ましい。
【0014】図5は、図3に示したスプリング38の代わりに空気チューブ40を使用した他の実施の形態を示す断面図である。また、図6は、図3に示したスプリング38の代わりにゴムパッド50を使用した他の実施の形態を示す断面図である。図5及び図6に示すように、スプリング38は、代替品の衝撃緩和部材として、空気チューブ40(図5参照)、またはゴムパッド50(図6参照)等が利用できる。このように、スプリング38、空気チューブ40、またはゴムパッド50等の衝撃緩和部材は、パイプが配設される全経路にわたって設置されていなければならない。
【0015】図7は、図3に示したスプリング38をT型連結構造のパイプに装着した状態を示す斜視図である。また、図8は、図3に示したスプリング38をL型連結構造のパイプに装着した状態を示す斜視図である。図7及び図8に示すように、パイプ36は、T型連結構造またはL型連結構造に形成するためにパイプとパイプとの間を連結するT形管60及びL形管70を利用している。このようにパイプ36には、T型またはL型の連結構造においても、図7及び図8に示したようにスプリング38等の衝撃緩和部材を装着して衝撃を吸収している。
【0016】図4は、図3に示したパイプラインに加えられた衝撃により計数機でチェックされたパーティクルの数の変化を示すグラフである。図4に示すように、パイプが配設された全経路に衝撃緩和部材を装着した結果、パーティクル計数機で計測されるパーティクルは、持続的な衝撃、一時的な衝撃、または安定した状況で各々発生するパーティクルの数に大きな差はなく、所定限界値以下に検出されていることが分かる。
【0017】このように、本発明による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインの実施の形態によると、衝撃緩和部材により振動及び衝撃を吸収するため、工程に使用されるケミカル、空気、または純水等の処理流体を供給する際、この処理流体の品質が最初の供給地点と最終到達地点とで同一の水準で維持され、これによりクリーンルーム内部の環境が改善されて生産収率が向上する。
【0018】以上、本発明によってなされた半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインの実施の形態を詳細に説明したが、本発明は前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば、スプリング、空気チューブ、またはゴムパッド等の衝撃緩和部材をパイプの上下に装着した実施の形態を説明したが、これに限定されるものではなく、パイプの上下左右に衝撃緩和部材を装着しても良い。
【0019】
【発明の効果】本発明による半導体装置製造設備の処理流体移送用パイプラインによると、ケミカル、ガス、空気、または純水等のような処理流体が途中の経路で振動または衝撃等の要因により影響を受けることがなく、パーティクルの含有状態が所定の限界値以下に維持されるとともに、製造工程またはクリーンルーム等において最適な工程環境を得ることができる効果がある。




 

 


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