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発明の名称 ドレッサ及びその製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平10−44023
公開日 平成10年(1998)2月17日
出願番号 特願平8−220691
出願日 平成8年(1996)8月2日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】内山 充
発明者 竹内 友幸
要約 目的


構成
特許請求の範囲
【請求項1】深さ30〜5,000μmの凹部を有する基板に、気相合成法により多結晶ダイヤモンドを堆積したのち基板を除去し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合してなることを特徴とするドレッサ。
【請求項2】深さ30〜5,000μmの凹部を有する基板に、気相合成法により多結晶ダイヤモンドを堆積し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合したのち基板を除去してなることを特徴とするドレッサ。
【請求項3】凹部の形状が、円錐形、四角錐形、三角錐形又は谷形である請求項1又は請求項2記載のドレッサ。
【請求項4】半導体ウェーハを研磨する研磨パッドのドレッシングに用いられる請求項1、請求項2又は請求項3記載のドレッサ。
【請求項5】深さ30〜5,000μmの凹部を形成した基板に、マイクロ波プラズマ法、熱フィラメント法、直流プラズマ法又は燃焼法により、多結晶ダイヤモンドを堆積したのち基板を除去し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合することを特徴とするドレッサの製造方法。
【請求項6】深さ30〜5,000μmの凹部を形成した基板に、マイクロ波プラズマ法、熱フィラメント法、直流プラズマ法又は燃焼法により、多結晶ダイヤモンドを堆積し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合したのち基板を除去することを特徴とするドレッサの製造方法。
【請求項7】研削加工、切削加工、レーザー加工、形彫放電加工、電解加工又はエッチングによって、多結晶ダイヤモンドを堆積する基板の表面に凹部を形成する請求項5又は請求項6記載のドレッサの製造方法。
【請求項8】金型成型によって、多結晶ダイヤモンドを堆積する基板の表面に凹部を形成する請求項5又は請求項6記載のドレッサの製造方法。
発明の詳細な説明
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドレッサ及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、半導体ウェーハ研磨用の研磨パッドのドレッシングにおいて、金属が溶出してウェーハを汚染することがなく、砥粒が脱落してウェーハ表面を傷つけることのないドレッサ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】超LSIの集積度が向上するに伴って、リソグラフィの精度が向上するとともに、ウェーハ面の平坦度、マイクロラフネスに対する要求も厳しくなりつつある。一般に半導体ウェーハの表面を研磨するウェーハ加工装置では、円盤状の定盤に研磨パッドを貼り付け、定盤上面に1枚又は複数枚のウェーハを載置し、これらのウェーハを研磨パッド上でキャリアにより強制回転させつつ研磨パッドとウェーハの間に微細な研磨粒子を含む研磨液を供給して、界面の化学的・機械的作用によるケミカルメカニカルポリッシングを行っている。研磨パッドとしては、ポリエステル不織布にポリウレタン樹脂を含浸させたベロアタイプパッド、ポリエステル不織布を基材としてその上に発泡ポリウレタン層を形成したスエードタイプパッド、あるいは独立気泡を有する発泡ポリウレタンのパッドなどが使用されている。また、研磨粒子としては、フェライト粉末、アルミナ粉末、炭酸バリウム、コロイダルシリカ、酸化セリウムなどが用いられ、研磨液には水酸化カリウム溶液、希塩酸などが使用される。このようなウェーハの研磨を繰り返すうちに、被削材の切り屑や研磨材などが研磨パッドの微細な孔に入り込んで目詰まりを起こしたり、研磨粒子と研磨液の化学反応熱によって研磨パッドの表面が鏡面化して、研磨速度が低下してしまう。このため、研磨パッドのドレッシングを常時又は定期的に行う必要がある。ダイヤモンド砥粒は優れたドレッシング材料であり、半導体ウェーハ研磨用の研磨パッドのドレッシングへの応用が検討されている。例えば、特開昭64−71661号公報には、ダイヤモンド砥粒と合金粉末を混合し、加熱焼結したダイヤモンドペレットを端面に貼り付けるか、あるいは、端面にダイヤモンド砥粒を均一に分布するように載せて電着した修正リングを用い、研磨パッドと修正リングを相対移動させることにより研磨パッドの表面を研削して平坦度を高める方法が提案されている。また、特開平4−364730号公報には、ウェーハ研磨装置の定盤に貼り付けられた研磨パッドのドレッシングに、ダイヤモンド砥粒をエポキシ樹脂に電着したペレットを用いる方法が提案されている。さらに、特開平7−256554号公報には、超砥粒を金属めっき相で電着してなる円環状の砥粒層を有するツルーイング砥石を、その回転軸に対して傾動可能としたツルーイング装置が提案されている。しかし、ダイヤモンド砥粒を焼結又は電着により固定した研磨材を用いると、ダイヤモンド砥粒が脱落した場合、研磨パッド上に残存し、ウェーハ表面を傷つけてしまう。また、焼結又は電着に用いられた金属が研磨液によって溶解され、半導体ウェーハに残存して悪影響を及ぼすおそれがある。特に、一般にメタルボンドの主成分として使用される銅は悪影響が著しい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、金属が溶出してウェーハを汚染することがなく、砥粒が脱落してウェーハ表面を傷つけることがなく、ドレッシング材と台金が強固に接合された、半導体ウェーハ研磨用の研磨パッドのドレッシングに適したドレッサ及びその製造方法を提供することを目的としてなされたものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、微細な凹部を有する基板に、気相合成法により多結晶ダイヤモンドを堆積し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合してなるドレッサが、多結晶ダイヤモンドと台金の接合が強固であり、砥粒の脱落と金属の溶出がなく、半導体ウェーハに悪影響を及ぼすことなく研磨パッドのドレッシングを行い得ることを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、(1)深さ30〜5,000μmの凹部を有する基板に、気相合成法により多結晶ダイヤモンドを堆積したのち基板を除去し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合してなることを特徴とするドレッサ、(2)深さ30〜5,000μmの凹部を有する基板に、気相合成法により多結晶ダイヤモンドを堆積し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合したのち基板を除去してなることを特徴とするドレッサ、(3)凹部の形状が、円錐形、四角錐形、三角錐形又は谷形である第(1)項又は第(2)項記載のドレッサ、(4)半導体ウェーハを研磨する研磨パッドのドレッシングに用いられる第(1)項、第(2)項又は第(3)項記載のドレッサ、(5)深さ30〜5,000μmの凹部を形成した基板に、マイクロ波プラズマ法、熱フィラメント法、直流プラズマ法又は燃焼法により、多結晶ダイヤモンドを堆積したのち基板を除去し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合することを特徴とするドレッサの製造方法、(6)深さ30〜5,000μmの凹部を形成した基板に、マイクロ波プラズマ法、熱フィラメント法、直流プラズマ法又は燃焼法により、多結晶ダイヤモンドを堆積し、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合したのち基板を除去することを特徴とするドレッサの製造方法、(7)研削加工、切削加工、レーザー加工、形彫放電加工、電解加工又はエッチングによって、多結晶ダイヤモンドを堆積する基板の表面に凹部を形成する第(5)項又は第(6)項記載のドレッサの製造方法、及び、(8)金型成型によって、多結晶ダイヤモンドを堆積する基板の表面に凹部を形成する第(5)項又は第(6)項記載のドレッサの製造方法、を提供するものである。さらに、本発明の好ましい態様として、(9)基板が、1mm2当たり5〜30個の凹部を有する第(1)項、第(2)項、第(3)項又は第(4)項記載のドレッサ、(10)強酸により基板を溶解除去する第(5)項、第(6)項、第(7)項又は第(8)項記載のドレッサの製造方法、(11)多結晶ダイヤモンドを堆積した直後に急冷することにより基板を外す第(5)項、第(7)項又は第(8)項記載のドレッサの製造方法、(12)基板上にダイヤモンドライクカーボンを成膜したのち、多結晶ダイヤモンドを堆積し、大気中で350〜500℃に加熱することにより、ダイヤモンドライクカーボンを燃焼させて基板を外す第(5)項、第(6)項、第(7)項又は第(8)項記載のドレッサの製造方法、(13)多結晶ダイヤモンド成長面側と台金の接合を、接着剤又はロウ付けにより行う第(5)項、第(6)項、第(7)項、第(8)項、第(10)項、第(11)項又は第(12)項記載のドレッサの製造方法、を挙げることができる。
【0005】
【発明の実施の形態】本発明のドレッサは、凹部を有する基板に、気相合成法により多結晶ダイヤモンドを堆積したのち、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合して、基板側の多結晶ダイヤモンドを研磨パッドのドレッシングに使用するものである。図1及び図2は、本発明のドレッサ及びその製造方法の一態様を示す説明図である。図1(a)は、基板の平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A線断面図であり、図1(c)は、図1(b)において多結晶ダイヤモンドを堆積した状態を示す断面図である。本態様においては、基板の凹部は正四角錐である。本発明において、基板の凹部の深さは、30〜5,000μmであり、より好ましくは100〜1,000μmである。本発明のドレッサの作用面の凸部の高さは、基板の凹部の深さと同一となる。ドレッサの作用面の凸部の高さが30μm未満であると、研磨粒子及び研磨液が、ドレッサと研磨パッドとの間を通過し難くなり、研磨パッドのドレッシング効果が十分に得られないおそれがある。凸部の高さが5,000μmを超えると、研磨パッドが粗面化するおそれがある。本発明において、基板の材質には特に制限はなく、例えば、炭化タングステンなどの超硬合金、シリコン、タングステン、モリブデンなどの金属単体、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロンなどのセラミックなどを好適に使用することができる。超硬合金及び金属単体の基板には、研削加工、切削加工、レーザー加工、形彫放電加工、電解加工、エッチングなどによって凹部を形成することができる。超硬合金又は金属単体の研削加工は、GC砥石又はダイヤモンド砥石を用いて行うことができる。切削加工は、ダイヤモンドドリルなどを用いて行うことができる。レーザー加工は、YAGレーザーや炭酸ガスレーザーを用いて行うことができる。形彫放電加工は、絶縁性溶液中で、電極と超硬合金又は金属単体間に発生する繰り返し過渡アーク放電により行うことができる。電解加工は、導電性のあるメタルボンドダイヤモンド砥石を陰極とし、超硬合金又は金属単体を陽極として軽く接触させ、両者の間に電解液を流しつつ、低電圧で大電流を通すことにより行うことができる。エッチングは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液などのエッチング液を用いて行うことができる。セラミックは、加圧焼結により、あるいは研削加工、切削加工、レーザー加工などにより凹部を有する基板とすることができる。
【0006】本発明においては、凹部を有する基板に、気相合成法により多結晶ダイヤモンドを堆積させる。図1(c)において、凹部を有する基板1に多結晶ダイヤモンド2が堆積している。多結晶ダイヤモンドは、マイクロ波プラズマ法、熱フィラメント法、直流プラズマ法又は燃焼法により形成することができる。マイクロ波プラズマ法は、マイクロ波発振機に接続した導波管とアプリケータの間に反応管を設置し、反応管中に基板を置き、メタンを水素で希釈した混合気体を原料気体とし、2〜10kPaの比較的低真空下でプラズマを発生させることにより、基板上に多結晶ダイヤモンドを堆積させる。熱フィラメント法は、基板を減圧容器内に置いて700〜1,000℃に加熱し、メタンと水素の混合気体を1〜10kPaの減圧下に流入させ、基板の上部に設けた約2,000℃のフィラメントで加熱して反応性に富むラジカルなどに分解し、基板上に拡散させることにより多結晶ダイヤモンドを堆積させる。直流プラズマ法は、減圧容器の中に設けた接地した陽極上に基板を置いて800℃程度に加熱し、メタンと水素の混合気体を約25kPaの減圧下に流入させ、陰極に直流1,000V程度をかけ、電流400mA程度を流して異常グロー放電を行うことにより多結晶ダイヤモンドを堆積させる。燃焼法は、600〜1,000℃に加熱した基板に、アセチレンを酸素に対して過剰とした炎を当てることにより、内炎内の還元雰囲気中で、多結晶ダイヤモンドを堆積させる。本発明においては、多結晶ダイヤモンドを堆積した基板より、基板を除去して、基板の凹部の形状を転写した多結晶ダイヤモンドを得る。基板の除去は、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合する前に行って多結晶ダイヤモンドの自立膜とすることができ、あるいは、多結晶ダイヤモンドが基板に付着した状態で多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合したのち、基板を除去することができる。基板の凹部を転写した多結晶ダイヤモンドは、基板側が本発明のドレッサの作用面である凸部を有する多結晶ダイヤモンドとなる。図2(a)は、凸部を有する多結晶ダイヤモンドの斜視図であり、図2(b)は、図2(a)のB−B線断面図である。多結晶ダイヤモンドの成長面側3には、多結晶ダイヤモンドの堆積に伴って自然に形成される微細な凹凸ないし波打ちがあるが、多結晶ダイヤモンドの基板側4は、正確に基板面の形状を転写するので、微細な凹凸ないし波打ちのない制御された精度の高いドレッサの作用面を得ることができる。
【0007】本発明において、多結晶ダイヤモンドを堆積した基板より、基板を除去する方法には特に制限はなく、例えば、強酸により基板を溶解除去することができる。また、ダイヤモンドは熱膨張率が最小の物質であるので、成膜直後に急冷することにより、多結晶ダイヤモンドと基板との熱膨張率差を利用して基板を除去し、多結晶ダイヤモンドの自立膜を得ることができる。さらに、凹部を有する基板上にあらかじめダイヤモンドライクカーボンを成膜しておき、多結晶ダイヤモンドを堆積したのち、大気中で350〜500℃に加熱してダイヤモンドライクカーボンを燃焼させることにより、基板を確実に除去することができる。本発明においては、基板を除去した多結晶ダイヤモンドを台金に接合し、あるいは、多結晶ダイヤモンドを台金に接合したのち基板を除去してドレッサとする。図2(c)は、図2(b)において多結晶ダイヤモンドを台金に接合した状態を示す断面図である。多結晶ダイヤモンド2が、接合剤5により台金6に接合されている。本発明のドレッサと類似する形状のドレッサは、台金の作用面に凸部を加工し、直接その上に多結晶ダイヤモンドを堆積することによっても得ることができるが、その場合、台金の材質によっては、必ずしも多結晶ダイヤモンドと台金との間に十分な接着力が得られないという憾みがある。本発明のドレッサは、多結晶ダイヤモンドを形成したのち、接合剤により台金に接合するため、台金の材質及び必要な接着力に応じて適切な接合剤を選択することができ、台金の材質の選択の幅が広くなり、かつ十分な接着力を確保することができる。本発明において、多結晶ダイヤモンドと台金の接合に使用する接合剤には特に制限はなく、例えば、エポキシ接着剤や銀ロウなどを挙げることができる。
【0008】本発明において、基板は、1mm2当たり5〜30個の凹部を有することが好ましく、10〜20個の凹部を有することがより好ましい。基板の凹部の数は、本発明のドレッサの作用面の凸部の数と同一である。ドレッサの作用面1mm2当たりの凸部の数が5個未満であると、十分なドレッシング効果が得られないおそれがある。また、台金の作用面1mm2当たりの凸部の数が30個を超えると、研磨粒子及び研磨液が、ドレッサと研磨パッドとの間を通過し難くなり、研磨パッドのドレッシング効果が十分に得られないおそれがある。本発明において、基板の凹部の形状に特に制限はなく、例えば、円錐形、三角錐形、四角錐形、五角錐形、六角錐形、七角錐形、八角錐形、谷形などとすることができるが、台金の工作の容易さからは、円錐形、三角錐形、四角錐形又は谷形とすることが好ましい。錐形及び谷形の尖端は、巨視的にも微視的にも鋭利に尖った形状とすることができ、あるいは、巨視的には尖った形状であるが微視的には曲面を形成する形状とすることができる。本発明において、基板の凹部は、点在させることができ、あるいは密集して存在させることができる。図3〜図8は、本発明に用いる基板の凹部の形状及び配置を示す図面であり、本発明のドレッサは、これらの基板の凹部を転写した凸部を作用面に有する。図3に示す基板は、互いに隣接する密集した正四角錐形の凹部を有し、図3(a)は平面図、図3(b)はC−C線断面図、図3(c)はこの基板を用いて作製した多結晶ダイヤモンドの斜視図である。図4は、円錐形の凹部を有する基板の平面図及びD−D線断面図である。図5は、三角錐形の凹部を有する基板の平面図及びE−E線断面図である。図6は、正四角錐形の凹部が市松模様に配列した基板の平面図及びF−F線断面図である。本発明のドレッサにおいて、錐形の軸線を含む平面と錐形の側面が交わる線は直線である必要はなく、外向きに凸又は凹である曲線とすることができる。図7は、外向きに凸な母線を有する疑円錐形の凹部を有する基板の平面図及びG−G線断面図である。図8(a)は、谷形の凹部を有する基板の平面図であり、図8(b)は、H−H線断面図であり、この形状の基板からは、山並み形の凸部を有する多結晶ダイヤモンドが得られる。図8(c)は、得られる多結晶ダイヤモンドの側面図である。
【0009】本発明のドレッサは、台金の形状が、作用面の直径が10〜100mmの円柱形又は作用面の一辺が10〜100mmの角柱形であることが好ましく、作用面の直径が10〜50mmの円柱形又は作用面の一辺が10〜50mmの角柱形であることがより好ましい。作用面の直径が10mm未満又は作用面の一辺が10mm未満であると、研磨パッドのドレッシングを効率的に行うことが困難となるおそれがある。作用面の直径が100mmを超え又は作用面の一辺が100mmを超えると、研磨パッドのドレッシングが十分に行われず、かつ研磨パッドの磨損が大きくなるおそれがある。本発明のドレッサの台金の材質には特に制限はなく、例えば、炭化タングステンなどの超硬合金、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロンなどのセラミック、タングステン、モリブデンなどの金属単体などを好適に使用することができる。本発明のドレッサは、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合した状態で研磨パッドのドレッシングに使用することができ、あるいは、多結晶ダイヤモンド成長面側を台金に接合した本発明のドレッサを、さらに他の台金に複数個接合して研磨パッドのドレッシングに使用することができる。本発明のドレッサを接合する他の台金の形状には特に制限はなく、例えば、カップ型の台金や、円盤状の台金などを挙げることができる。本発明のドレッサを他の台金に接合する方法には特に制限はなく、例えば、接着剤による接着、ロウ付け、ネジどめなどにより接合することができる。図9は、カップ型台金に本発明のドレッサを接合した状態を示す斜視図である。本図においては、カップ型の台金7に、本発明のドレッサ8が16個接合されている。本図に示すごとく、カップ型の台金に本発明のドレッサを接合する場合は、ドレッサの間に間隙9を設けることが好ましい。ドレッサの間に間隙を設けることにより、研磨粒子及び研磨液の流動が円滑に行われ、研磨パッドのドレッシング効果が向上する。本発明のドレッサは、研磨パッドと接触する面が多結晶ダイヤモンドにより構成され、研磨パッドとドレッサの金属とが接触することがないので、半導体ウェーハの研磨パッドのドレッシング中に、ドレッサから金属が溶出してウェーハを汚染することがない。また、ダイヤモンド砥粒を使用していないので、脱落したダイヤモンド砥粒によりウェーハが傷つけられることがない。さらに、多結晶ダイヤモンドの基板に接していた面をドレッシングに使用するので、精度の高いドレッサが得られ、多結晶ダイヤモンドと台金を接合剤により接合するので、安定した強固な接着力が確保される。
【0010】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。
実施例1一辺20mmの正方形の面を有し、厚みが5mmであるシリコン基板に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液による異方性エッチングを行い、底辺の一辺が0.3mmで、深さが0.15mmである微細な正四角錐形の凹部を密接して図3の形状に形成し、脱脂処理及び洗浄を行った。この基板温度を800〜900℃とし、メタン1容量%及び水素99容量%からなるガスを流量50ml/minで通じ、ガス圧3kPaの条件で、タングステンフィラメントを用い、熱フィラメント法により30時間気相合成を行い、基板上に多結晶ダイヤモンドを堆積させた。次いで、フッ酸と硝酸の混合溶液を用いてシリコン基板を溶解、除去し、正四角錐形の凸部を有する多結晶ダイヤモンドを得た。この多結晶ダイヤモンドを、多結晶ダイヤモンドの成長面とほぼ同寸法の一辺20mmの正方形の面を有し、厚みが20mmであるステンレス鋼(SUS304)製の台金に、エポキシ接着剤を用いて接着し、ドレッサを得た。この多結晶ダイヤモンドを接着したドレッサ30個を、200D−30W−35T−160Hのカップ型台金に6mm間隔のスリットを設けてエポキシ接着剤により接着し、カップ型ドレッサを得た。このカップ型ドレッサを用いて、ポリエステル不織布にポリウレタン樹脂を含浸したベロアタイプの研磨パッドのドレッシングを行った。平坦性に優れたドレッシングを効率よく行うことができた。
実施例2一辺20mmの正方形の面を有し、厚みが5mmである超硬合金基板に、ドリルで底辺の直径0.3mm、深さ0.2mmの微細な円錐形の凹部を図5の形状に形成し、脱脂処理及び洗浄を行った。この基板温度を常温〜200℃とし、直流プラズマ気相合成法で、メタン100容量%、ガス圧133Pa、電圧1,000Vの条件で、ダイヤモンドライクカーボンを4時間成膜し、厚み2μmのダイヤモンドライクカーボン膜を形成した。次に、基板温度を800〜900℃とし、メタン1容量%及び水素99%からなるガスを流量50ml/minで通じ、ガス圧3kPaの条件で、タングステンフィラメントを用い、熱フィラメント法により30時間気相合成を行い、ダイヤモンドライクカーボン上に多結晶ダイヤモンドを堆積させた。多結晶ダイヤモンドを堆積したのち、大気中で450℃に加熱し、ダイヤモンドライクカーボンを燃焼させて、基板と多結晶ダイヤモンドを分離した。この多結晶ダイヤモンドを、多結晶ダイヤモンドの成長面とほぼ同寸法の一辺20mmの正方形の面を有し、厚みが20mmであり、多結晶ダイヤモンドの接合面と反対側の面にネジ穴を有するステンレス鋼(SUS304)製の台金に、銀ロー材を用いてロー付けし、ドレッサを得た。200D−30W−35T−160Hのカップ型台金に、6mm間隔のスリットを設けてドレッサと同底面形状の5mm深さの凹部とネジ穴を形成し、凹部にドレッサを挿入し、カップ型台金の裏面からドレッサをネジ留めして、カップ型ドレッサを得た。このカップ型ドレッサを用いて、ポリエステル不織布を基材とし、その上に発泡ポリウレタン層を形成したスエードタイプの研磨パッドのドレッシングを行った。平坦性に優れたドレッシングを、効率よく行うことができた。
実施例3実施例1と同じ操作を繰り返して、正四角錐形の凹部を有するシリコン基板上に、熱フィラメント法により、多結晶ダイヤモンドを堆積させた。この多結晶ダイヤモンドを、多結晶ダイヤモンドの成長面とほぼ同寸法の一辺20mmの正方形の面を有し、厚みが20mmであるステンレス鋼(SUS304)製の台金に、エポキシ接着剤を用いて接着した。台金表面及び接着剤層端面をマスキングし、フッ酸と硝酸の混合溶液を用いてシリコン基板を溶解、除去したのち、マスキングを除去して、正四角錐形の凸部を有する多結晶ダイヤモンドを作用面とするドレッサを得た。この多結晶ダイヤモンドを作用面とするドレッサ30個を、200D−30W−35T−160Hのカップ型台金に6mm間隔のスリットを設けてエポキシ接着剤により接着し、カップ型ドレッサを得た。このカップ型ドレッサを用いて、ポリエステル不織布にポリウレタン樹脂を含浸したベロアタイプの研磨パッドのドレッシングを行った。平坦性に優れたドレッシングを効率よく行うことができた。
【0011】
【発明の効果】本発明のドレッサは、研磨パッドと接触する面が多結晶ダイヤモンドにより構成され、研磨パッドとドレッサの金属部分とが直接接触することがないので、半導体ウェーハの研磨パッドのドレッシング中に、ドレッサから金属が溶出してウェーハを汚染することがない。また、ダイヤモンド砥粒を使用していないので、脱落したダイヤモンド砥粒によりウェーハが傷つけられることがない。さらに、多結晶ダイヤモンドの基板に接していた面をドレッシングに使用するので、精度の高いドレッサが得られ、多結晶ダイヤモンドと台金を接合剤により接合するので、安定した強固な接着力が確保される。




 

 


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