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信越半導体株式会社 - 特許情報
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番号 発明の名称
1 ガス供給装置及び気相成長用設備
2 薄板の研磨装置および研磨方法
3 薄板の研磨方法および研磨装置
4 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法
5 薄板の鏡面研磨装置
6 薄板の研磨方法および研磨装置
7 ウェーハ面取り部の加工方法及び加工装置
8 薄板の研磨方法および研磨装置
9 ワイヤソー用ローラの変位量測定装置
10 使用済みワイヤの切断処理方法及び装置
11 薄板ワーク平面研削装置及び方法
12 内周刃ソーによるインゴットの切断方法
13 半導体スライス装置のワイヤ切断時の運転再開方法及びその装置
14 精密部材用収納容器
15 平面研削方法及び装置
16 ウェハの両面加工方法及び装置
17 ウェハの両面加工用保持板並びに両面加工方法及び装置
18 ワイヤーソーによるワークの切断方法およびワイヤーソー
19 ウェハの両面加工装置における砥石のドレス方法及び装置
20 半導体インゴットのスライス装置
21 半導体シリコン単結晶インゴットの工程管理方法および工程管理システム
22 ウェーハ面取り部の加工装置
23 両面研磨及び両面ラッピング用キャリア
24 半導体単結晶インゴットの接着方法及びスライス方法

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