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番号 発明の名称
1 アンチヒューズ構造をもつプログラム可能な半導体素子及びその製造方法
2 チップ自動ローディング装置
3 固体撮像素子
4 CCD映像素子及びその製造方法
5 半導体素子の製造方法
6 薄膜トランジスタの製造方法
7 電荷結合素子の製造方法
8 半導体素子の隔離方法
9 半導体ROMのコーディング方法及び半導体ROM装置
10 半導体メモリ素子の製造方法
11 CCD映像素子
12 半導体デバイスの移送装置
13 半導体素子の絶縁方法
14 半導体素子の製造方法
15 結晶化方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
16 不揮発性半導体のメモリ素子及びその製造方法
17 半導体素子のコンタクト導電層形成方法
18 電荷結合素子及びその製造方法
19 半導体装置及びその製造方法
20 ウェーハ洗浄装置
21 半導体装置の金属配線接触部形成方法およびその構造
22 電気的消去書込み可能ROMセルの製造方法
23 薄膜トランジスタの構造及びその製造方法
24 半導体装置の製造方法
25 薄膜トランジスタの構造及びその製造方法
26 半導体素子の分離膜の構造及びその形成方法
27 電界効果トランジスタの製造方法
28 半導体デバイスのパッケージ方法および半導体デバイスのパッケージ
29 半導体装置及びその製造方法
30 MOSトランジスタの製造方法
31 薄膜トランジスタの構造及びその製造方法
32 エッチング残留物除去方法
33 シリコン・オン・インシュレータ(SOI)の製造方法
34 半導体素子の隔離方法
35 半導体装置の配線形成方法
36 薄膜トランジスタの製造方法
37 高周波加熱装置
38 半導体素子の配線層形成方法
39 非揮発性メモリ半導体素子およびその製造方法
40 半導体メモリ装置及びその製造方法
41 半導体メモリ装置及びその製造方法
42 分離形成された電圧分配用の抵抗領域を有するディジタル/アナログ変換器
43 半導体素子用ソケット
44 半導体素子及びその製造方法
45 コンタクトエッチング方法
46 半導体装置の製造方法
47 凹凸の表面形状を有するタングステン膜の形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法
48 カラーエレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
49 無調整帯域フィルタ
50 緻密なチタン窒化膜及び緻密なチタン窒化膜/薄膜のチタンシリサイドの形成方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法
51 拡散バリヤ機能を有する半導体素子の電極形成方法
52 高融点金属窒化膜の形成方法
53 EEPROMセル及びその製造方法
54 位相シフトマスクの製造方法
55 緻密なチタン窒化膜の形成方法及びこれを用いた半導体素子の製造方法
56 コンタクトホールのプラグ形成方法
57 半導体素子の構造及びその製造方法
58 電子回路盤とその製造方法
59 半導体パッケージ、リードフレーム、回路基板、半導体パッケージモールディング用金型及び電子回路盤並にリードフレームの製造方法
60 固体撮像素子用パッケージ及びその製造方法
61 発振回路
62 可変利得端を内蔵するデルタ シグマ アナログ ディジタル変換器
63 リセスチャンネル構造を有する半導体素子及びその製造方法
64 LOC半導体パッケージ及び半導体装置のパッケージング方法
65 逆T形トランジスタの改良された製造方法
66 固体撮像素子およびその製造方法
67 CCDを用いたデイジタル/アナログ変換器
68 カラー固体撮像素子及びその製造方法

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