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番号 発明の名称
1 真空チャンバ用の新規な蓋および扉、並びにそれに対する前処理
2 CVD処理により生成された合金の後堆積除去を有する金属CVDプロセス
3 半導体ウエハの表面温度の均一性を改善するための方法および装置
4 静電チャック
5 耐食性静電チャック
6 プラズマ処理システムにおけるアークの抑制
7 ウエハーヒーターのための動力損回復
8 薄膜製造方法
9 高圧プラズマ処理方法および装置
10 窒化チタンのエッチング
11 アーキング阻止手段を有する半導体ウエハ処理装置のためのガス分散板
12 即時離脱型プロセスキット
13 裏面を被覆したサセプタを有する半導体ウエ−ハ処理チャンバ
14 堆積装置用サセプタ
15 耐腐食性静電チャック
16 耐腐食性電極接続を備えた静電チャック
17 均一なガス流パターンのための排気バッフル
18 プラズマリアクタ内の静電チャックの洗浄
19 多層レジストのプラズマエッチング用方法及び装置
20 静電チャックとウェハの間の残留静電力を無効にするチャック開放電圧を決定する方法
21 金属フィルムを完全に平面化するための同期モデュレ−ションバイアススパッタ方式及び装置
22 静電力低減のためのパターン付きサセプタ
23 ウエハ処理チャンバ内の丸屋根状基部用クランプリング
24 プラズマリアクタ内の半導体ウエハ処理用改善フォーカスリング
25 プラズマリアクター用の改良型固定フォーカスリング
26 スパッタリングされた材料の均一膜厚堆積
27 大きい基板上のフィルム層をエッチングするための方法および装置
28 薄膜トランジスタのための多段階CVD法
29 ウエハのイオン注入方法及び装置
30 区画化された基板処理チャンバ
31 ビアのプラズマエッチング改良方法
32 壁腐食に対する表面保護手段を有するプラズマエッチングリアクタ
33 低周波数・高出力誘導結合プラズマを用いた高エッチング速度の残留物の生じない金属エッチング方法
34 半導体プロセス装置用の耐腐食性アルミニウム物品
35 ペデスタル及びベース間の改善された熱伝達
36 高温超高真空用真空処理チャンバ
37 多電極静電チャック
38 マルチセクションRFコイルおよび隔離された導電性蓋を有するプラズマ・リアクター
39 スパッタリングターゲットとワークピースとの間の電極
40 スパッタリング材料の均一膜厚堆積
41 イオン衝撃増強リフロー
42 半導体ウエハ処理システムのための複合体診断ウエハ
43 CVD処理チャンバ
44 プラズマエッチングリアクタ内の真空シール用保護カラー
45 共通RF端子を有する対称並列な複数のコイルをもつ誘導結合プラズマ反応器
46 静電チャックを備えたチャンバのためのプラズマガード
47 固定RF整合回路を有するプラズマチャンバ
48 半導体基板のエッジ成膜の制御
49 堆積プロセスにおけるSiH4ソーク及びパージの利用
50 耐腐食性静電チャック
51 ウエハ処理リアクタにおける基板支持用シールド
52 基板温度測定のための方法及び装置
53 誘導増強された反応性イオンエッチング
54 インダクタンス可変要素を用いた電気的に同調された整合回路網
55 フィルム層堆積中に基板をシ−ルドするためのクランプリング
56 汚染防止のためのスパッタリングスクリーンの反転
57 円筒状のスパッタリングシールド
58 単一チャンバ内での半導体基板の回転調心且つデガス装置及び方法
59 リエントリー形状コンタクト・ホールをコーティングまたは埋めるための堆積プロセス
60 ポリマー含浸静電チャックおよび製造方法
61 プラズマ反応器の可変DCバイアス制御
62 シリコン移動を減少させる金属窒化物膜処理方法
63 プラズマプロセス反応装置用ガス注入スリットノズル
64 平行電極エッチングの操作のための上段電極
65 ウェハより大きなペデスタル導体を有するR.F.プラズマリアクタ
66 高出力プラズマベース反応種ジェネレータ
67 疑似ホットウォール反応チャンバ
68 ハイブリッドコンダクタおよび複数半径ドーム型シーリングを備えた高周波プラズマリアクタ
69 ウエハ清浄化スパッタリングプロセス
70 高温に対する耐性を改善するための窒化チタンの処理
71 高温ポリイミド静電チャック
72 改良可変コンデンサ
73 ホトレジストに対する高選択性と金属エッチ残余物の除去を伴う集積回路構造における金属エッチングの方法と装置

[1]
 

 


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