発明の名称 レーザマーキングする電子部品及びその製造方法 発行国 日本国特許庁（ＪＰ） 公報種別 公開特許公報（Ａ） 公開番号 特開平８−３１６８２ 公開日 平成８年（１９９６）２月２日 出願番号 特願平６−１８２８５８ 出願日 平成６年（１９９４）７月１２日 代理人 【弁理士】 【氏名又は名称】若田 勝一 発明者 石垣 高哉 / 佐々木 金雄 要約 目的 セラミック電子部品の製造に通常用いられる設備を用いて、レーザマーキング部分の抵抗値の劣化を来すことのない構造のセラミック電子部品とその製造方法を提供する。 構成 セラミック電子部品の表面にレーザマーキング３する電子部品において、セラミック電子部品の表面にガラス６を被覆するかあるいは表面にガラスを添加拡散する。 特許請求の範囲 【請求項１】セラミック電子部品の表面にレーザマーキングする電子部品において、セラミック電子部品の表面にガラスを被覆するかあるいは表面にガラスを添加拡散したことを特徴とするレーザマーキングする電子部品。 【請求項２】請求項１において、表面にガラスを添加拡散すると共に、該ガラスの添加量を、セラミック電子部品を構成する誘電体材料または磁性体材料に対して５．５〜２０．０重量％としたことを特徴とするレーザマーキングする電子部品。 【請求項３】請求項１または２において、ガラスの被覆層または拡散層にレーザマーキングしたことを特徴とするレーザマーキングする電子部品。 【請求項４】請求項１、２または３において、セラミック電子部品を構成する誘電体材料または磁性体材料の表面に被覆あるいは添加拡散したガラス層またはガラスの拡散層の厚みを０．５〜１０μｍとしたことを特徴とするレーザマーキングする電子部品。 【請求項５】セラミック電子部品の表面にレーザマーキングする電子部品を製造する場合、セラミック電子部品を構成する誘電体材料または磁性体材料の表面に、ガラスを塗布して焼き付けすることにより、ガラスの被覆層あるいは添加拡散層を形成することを特徴とするレーザマーキングする電子部品の製造方法。 発明の詳細な説明 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、誘電体材料や磁性体材料等を使用して構成されるコンデンサ、インダクタ、トランスあるいはこれらを複合したセラミック電子部品に係り、特にレーザマーキングするものとその製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】図２（Ｂ）に示すように、積層チップコンデンサ等のセラミックチップ部品の誘電体１（２は誘電体１の内部に設けられた内部電極に接続された外部電極である）の表面にレーザによりマーク３を施す方法の１つにレーザ照射（エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等を用いる）によりマーキングする方法がある。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしレーザ照射による場合には、レーザにより誘電体１が加熱され、誘電体中の酸素が離脱して還元され、電気的性質が変化するという問題点がある。例えば誘電体がＴｉＯ2を主成分とする焼結体である場合、この焼結体は１０ＧΩcm程度の比抵抗を有する絶縁体であるが、該焼結体にレーザ照射すると、抵抗値が１０ＭΩcm以下の半導体であるＴｉ4Ｏ7に還元される。このようにマーク３の部分の電気抵抗が低下すると、このセラミックチップ部品をプリント基板に実装後の環境の変化（特に高湿度で１〜５Ｖ程度の低電圧が加わった使用条件下）により、基板への半田付けに用いた半田あるいは外部電極２の銀が抵抗値の低いマーク３を施した面に向かってマイグレーションを起こし（なお、半田のマイグレーションは、半田フラックス中の塩素イオンの存在が要因としてかかわっていると考えられている）、チップ部品の絶縁抵抗が劣化する場合がある。 【０００４】図３は、このようなＴｉＯ2を主成分とした誘電体１にレーザマーキングを施した部分を種々の温度でアニールした場合において、マーク３の部分の絶縁抵抗（ＩＲ）をメータ４により測定した場合の抵抗値の変化を示す図であり、図３から分かるように、一旦レーザマーキングを施した後に５００℃〜７００℃でアニールさせれば、マーク３を施した部分の抵抗値を復帰させることができる。しかしながら、アニールにより抵抗値を復帰させることとすれば、アニールのための設備の増設や工数の増加を招き、かなりのコストアップを招くという問題点がある。 【０００５】本発明は、上記した問題点に鑑み、セラミック電子部品の製造に通常用いられる設備を用いて、レーザマーキング部分の抵抗値の劣化を来すことのない構造のレーザマーキングする電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するため、セラミック電子部品の表面にレーザマーキングする電子部品において、セラミック電子部品の表面に、ガラスを塗布して焼き付けする等の手段により、ガラスを被覆するかあるいは表面にガラスを添加拡散したことを特徴とする。表面にガラスを添加拡散する場合、該ガラスの添加量はセラミック電子部品を構成する誘電体材料または磁性体材料に対して５．５〜２０．０重量％とすることが好ましく、また、レーザマーキングの深さとの関係上、ガラス層またはガラスの拡散層の厚みを０．５〜１０μｍとすることが好ましい。本発明において用いるガラスの基本組成は、ＰｂＯ、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3およびＳｒ、Ｃａの酸化物等のいずれか２種類を含有するものであり、特にＰｂＯ、ＳｉＯ2 、Ｂｉ2Ｏ3のうちの２種類に材料を含んでいることが好ましい。 【０００７】 【作用】本発明は、セラミック電子部品の生地材料を覆うガラスにより形成された被覆層またはガラスの添加拡散層を設けたものであり、そのガラス層またはガラス拡散層にレーザマーキングを施した場合、セラミック電子部品はレーザ照射によっても特性（絶縁抵抗、tan δ）の劣化を生じない。 【０００８】 【実施例】図１（Ａ）は本発明によるセラミック電子部品の一実施例をチップコンデンサについて示す斜視図、図１（Ｂ）はその断面図、図１（Ｃ）はその部分拡大図であり、５は誘電体１の内部に形成された内部電極、２は内部電極に接続して誘電体１の側面に形成された外部電極、６は誘電体１の表面を覆ったガラス層、３は該ガラス層６にレーザ照射により施したマークである。 【０００９】このセラミック電子部品の作製は、ＴｉＯ2またはＢａＴｉＯ3を主成分として含んだＢｉ系誘電体のグリーンシートを成形し、銀または銀パラジウムからなる内部電極５を印刷し、このように内部電極を形成したシートを複数枚積層し、その後焼成し、ガラスを表裏面に塗布し、焼き付けした後、エキシマレーザまたはＹＡＧレーザによりレーザマーキングを施す。このようにして形成されたガラス層６の厚みは０．５〜１０μｍである。 【００１０】このようにガラス層６を設けてガラス層６にレーザマーキングを施せば、マーク３の部分の抵抗値がマーキング前と同様の値となり、変化しない。表１はガラス層６を設けた場合とこれを設けない場合とのコンデンサ表面部におけるマーク形成部の抵抗値のマーク３形成前後の抵抗値の変化を比較した結果を示すものであり、表１において、コンデンサＡは、誘電体材料として、ＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電率系の材料を用いた場合、コンデンサＢは、誘電体材料として、ＴｉＯ2を主成分とする低誘電率材料を用いた場合について示す。また、表１において、使用したガラスの組成（重量％）は次の通りである。 ■ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2Ｏ3＝８７．４：９．７：２．９■Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3＝４．９３：４．９３：８８．６６：１．４８■Ｂｉ2Ｏ3−ＰｂＯ＝４９．４１：５０．５９（以下余白） 【表１】 表１から分かるように、ガラス層６を設けないコンデンサにおいては、レーザ照射によりレーザ照射部分の抵抗値（ＩＲ値）が１０7Ω以下に低下したが、ガラス層６を設けたものにおいては、抵抗値の低下は生じなかった。 【００１１】表２はガラス組成によるレーザ照射に対する特性劣化防止効果を示すものであり、ＰｂＯ、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3のいずれか少なくとも２種類を含有するガラスをコーティングしたチップコンデンサは、レーザ照射によるマーキングにおいて、絶縁抵抗の劣化がなく、信頼性の高い電子部品が得られる。 【００１２】 【表２】 図２（Ａ）は本発明の他の実施例を示す断面図であり、本実施例は、ガラス層６の代わりに誘電体にガラスを添加して拡散させた層７を設けたものであり、このような拡散層７を形成するガラスを前記同様に塗布して焼き付け、その拡散層７にレーザマーキングを施すことによっても特性劣化を解消できる。 【００１３】図４はこのような拡散層７を設けるものにおいて、チップコンデンサの誘電体としてＢａＴｉＯ3系の材料を用い、かつ添加ガラスとしてＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３（主成分）を用いた場合、添加量によってレーザ照射後の絶縁抵抗がどのように変化するかを示したもので、チップ部品のマーク３を施した部分の抵抗値は、１０10Ω以上であれば信頼性を満足することができることを考慮すると、ガラス添加量は５．５重量％以上であることが望ましく、一方、ガラス組成によっても異なるが、添加量が２０．０重量％を超えるとガラス層６だけを焼き付けた場合と相違がないため、５．５〜２０．０重量％のガラスを添加拡散させればよい。このような重量％に設定することにより、誘電体材料に対するなじみも良好となる。 【００１４】また、マーキングをエキシマレーザにより施した場合、１ショット（出力：１４０ｍＪ、ｆ：２００Hz）のレーザ照射は厚み方向に０．５μｍ程度であり、従って、このガラス拡散層７（ガラス層６の場合も同様）の厚みは０．５μｍ以上あれば良い。この厚みを前述した０．５〜１０μｍとすることにより、レーザマーキングによっても影響を受けず、しかもチップ部品の厚みを実質的に増大することなく、特性の劣化を生じないチップ部品が提供できる。 【００１５】本発明は、セラミック電子部品がコンデンサであるばかりでなく、誘電体材料の代わりに磁性体材料を用いたインダクタやトランス、あるいはこれらの複合部品もしくはこれらに抵抗層を加えたもの等にも適用できる。 【００１６】 【発明の効果】請求項１によれば、セラミック電子部品の表面にレーザマーキングする電子部品において、セラミック電子部品の表面にガラスを被覆するかあるいは表面にガラスを添加拡散したので、アニール等の設備、工程を要することなく、チップ部品を製造する場合に用いられる既設の設備を用いて、レーザマーキング部分の抵抗値の劣化を来すことのないセラミック電子部品を提供することができる。 【００１７】請求項２によれば、表面にガラスを添加拡散すると共に、該ガラスの添加量をセラミック電子部品を構成する誘電体材料または磁性体材料（生地材料）に対して５．５〜２０．０重量％としたので、生地材料に対してなじみのよい表面層が形成される。 【００１８】請求項３によれば、ガラスの被覆層または拡散層にレーザマーキングしたので、外部電極や半田がマイグレーションを起こすおそれがない。 【００１９】請求項４によれば、セラミック電子部品を構成する誘電体材料または磁性体材料の表面に被覆あるいは添加拡散したガラス層またはガラスの拡散層の厚みを０．５〜１０μｍとしたので、レーザマーキングによっても影響を受けず、しかもチップ部品の厚みを実質的に増大することなく、特性の劣化を生じないセラミック電子部品が提供できる。 【００２０】請求項５によれば、レーザマーキングを施す電子部品を構成する誘電体材料または磁性体材料の表面に、ガラスまたはガラス添加材料を塗布して焼き付けすることにより、ガラスの被覆層あるいはガラス添加拡散層を形成するようにしたので、ガラス被覆層等が簡単に形成できる。