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番号 発明の名称
1 気相エッチング方法および装置
2 半導体装置およびその作製方法
3 冗長化シフトレジスタ回路
4 薄膜形成装置
5 半導体集積回路およびその作製方法
6 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法
7 減圧CVD装置のクリーニング方法
8 半導体装置およびその作製方法
9 半導体装置およびその作製方法
10 薄膜半導体装置
11 半導体装置およびその作製方法
12 半導体装置およびその作製方法
13 半導体装置およびその作製方法
14 薄膜半導体装置
15 半導体装置
16 半導体装置およびその作製方法
17 レーザー処理方法
18 レーザー処理方法
19 薄膜トランジスタ及びその製造方法
20 半導体装置の作製方法
21 半導体装置およびその作製方法
22 光処理装置および光処理方法
23 半導体材料およびその作製方法
24 液晶表示パネル用絶縁ゲート型電界効果半導体装置およびその作製方法
25 酸化珪素膜の加熱処理方法および加熱処理装置
26 酸化珪素膜の加熱処理方法および加熱処理装置
27 酸化珪素膜の加熱処理方法
28 半導体装置およびその作製方法
29 半導体装置およびその作製方法
30 半導体装置およびその作製方法
31 半導体装置の作製装置および半導体装置の作製方法
32 半導体装置およびその作製方法
33 半導体装置の作製方法
34 半導体装置の作製方法
35 半導体装置およびその作製方法
36 半導体装置の作製方法
37 半導体回路
38 半導体回路
39 ゲイト絶縁膜の処理方法およびゲイト絶縁膜の処理装 置
40 半導体装置の作製方法
41 半導体装置の作製方法
42 ゲイト絶縁膜の処理方法およびゲイト絶縁膜の処理装 置
43 レーザー処理方法およびレーザー処理装置
44 半導体装置およびその作製方法
45 光源一体型固体撮像装置
46 アクティブマトリクス回路およびその作製方法
47 半導体集積回路とその作製方法
48 半導体装置およびその作製方法
49 薄膜半導体装置の作製方法
50 半導体装置およびその作製方法およびドーピング方法
51 半導体装置の作製方法および半導体装置の作製装置
52 半導体装置の作製方法
53 半導体装置の作製方法
54 半導体装置の作製方法
55 半導体装置の作製方法
56 半導体装置およびその作製方法
57 半導体装置の作製方法
58 半導体装置の作製方法
59 SOI型半導体集積回路の作製方法
60 薄膜半導体装置の作製方法
61 導電性被膜の異方性エッチング方法
62 エッチング装置
63 アルミニウム配線の加工方法
64 MIS型半導体装置およびその作製方法
65 有機物マスクのアッシング方法
66 イオンドーピング装置のクリーニング方法
67 半導体装置作製方法および結晶成長促進剤
68 エッチング方法およびエッチング装置
69 シリコンを主成分とする材料の異方性エッチング方法
70 半導体集積回路の作製方法
71 半導体装置およびその作製方法
72 レーザー光の照射装置およびレーザー光の照射方法
73 薄膜半導体の作製方法
74 薄膜トランジスタ及びその製造方法
75 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
76 半導体装置製造装置
77 レーザー照射装置
78 薄膜形成装置
79 レーザー照射システム
80 エッチング方法および半導体装置の作製方法
81 アクティブマトリクス回路および電気光学装置
82 半導体およびその作製方法および半導体装置
83 アクティブマトリクス表示装置
84 結晶性シリコン半導体装置の製造方法
85 半導体薄膜の作製方法
86 半導体装置およびその作製方法
87 レーザーアニール方法およびレーザー光の照射方法
88 溶液塗布装置および溶液塗布方法
89 絶縁膜形成方法
90 絶縁膜
91 薄膜半導体集積回路
92 アクティブマトリクス表示装置
93 半導体集積回路とその作製方法
94 薄膜トランジスタおよびその作製方法
95 半導体装置およびその作製方法
96 半導体装置作製方法
97 半導体装置及び電気光学装置の作製方法
98 P形活性シリコンの製造方法
99 SOI基板及びその製造方法
100 半導体デバイスのレーザー処理方法

[1][2]
 

 


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