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番号 発明の名称
1 排気装置
2 半導体装置の製造方法
3 ワイヤーボンディング装置
4 半導体パッケージ
5 バンプ接合装置
6 半導体装置の製造方法
7 半導体装置の製造方法
8 半導体装置及びその製造方法
9 半導体装置及びその製造方法
10 薄膜SOI/MOSトランジスタ集積回路
11 半導体レーザ装置における放熱構造
12 クロック信号発生回路
13 応力付加磁心
14 超電導電流リード
15 現像装置
16 半導体装置の製造方法
17 半導体製造装置
18 半導体装置の製造方法
19 微小金属ボールの配列用基板
20 ワイヤーボンディング装置
21 ウェハの移載装置
22 ウェハキャリア
23 半導体装置の製造方法
24 半導体装置の製造方法
25 半導体装置の製造方法
26 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
27 MOSトランジスタの製造方法
28 MOSトランジスタの製造方法
29 超電導導体
30 磁気抵抗素子
31 ラッチ回路
32 ICソケット
33 応力付加磁心
34 半導体素子製造用スケジューリング装置
35 半導体装置の製造方法
36 半導体ウェハの処理装置
37 半導体ウェハの処理装置
38 半導体パッケージ
39 半導体装置の製造方法
40 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
41 不揮発性半導体記憶装置
42 金属配線形成方法
43 Fe−Al系応力付加磁芯
44 半導体装置のマーキング方法
45 半導体装置のマーキング方法
46 半導体基板材料およびその製造方法
47 シリコンウェハの製法
48 ウェハ洗浄方法
49 プラズマ処理装置
50 プラズマ処理装置用電極
51 シリコン基板の熱処理方法
52 シリコン基板の熱処理方法
53 半導体装置の製造方法
54 リードフレーム及びその製造方法
55 リードフレーム
56 化合物半導体層上に形成された電界効果トランジスタ
57 半導体装置及びその製造方法
58 タイミング可変型入力回路
59 現像方法
60 半導体パッケージ
61 論理回路
62 半導体装置の製造方法
63 半導体装置の製造方法
64 化学的機械的研磨法における終点検出方法及び化学的機械的研磨装置
65 バンプ付き半導体装置の製造方法
66 半導体ウエハ
67 微細配線の温度測定方法及び装置
68 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
69 半導体装置の製造方法
70 半導体素子の製造方法
71 半導体装置
72 半導体装置及びその製造方法
73 高平均出力パルスCO▲2▼レーザ装置
74 高平均出力QスイッチCO▲2▼レーザ装置
75 相補型半導体装置
76 半導体装置
77 半導体装置およびその製造方法
78 半導体基板およびその製造方法
79 半導体ウェハ表面の粗さの評価方法
80 半導体装置の製造方法
81 半導体記憶装置及びその製造方法
82 半導体記憶装置及びその製造方法
83 半導体装置の製造方法
84 埋め込み絶縁膜を有する半導体の製造方法
85 MOSトランジスタの製造方法
86 トランス騒音特性に優れた積み鉄芯用方向性電磁鋼板
87 半導体装置の微細加工方法
88 半導体基板の製造方法
89 半導体装置
90 信号変調回路
91 MPEG規格の音声信号デコーダ
92 半導体装置
93 プラスチックパッケージ用リードフレームおよびその製造法ならびに該リードフレームを用いたプラスチックパッケージ
94 半導体装置の製造方法
95 プラズマアークによる溶融金属の加熱装置
96 半導体装置の製造方法
97 半導体記憶装置及びその製造方法
98 排他的論理和回路および排他的論理和の否定回路
99 ハフマン符号の復号化回路
100 燃料電池の運転方法

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