米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 電気素子 -> ローム株式会社

発明の名称 半導体装置の製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平8−97258
公開日 平成8年(1996)4月12日
出願番号 特願平6−228294
出願日 平成6年(1994)9月22日
代理人
発明者 弘本 敏明
要約 目的
ウエハ上に形成された半導体装置のうち、必要な電気的特性の半導体装置のみを選択的(ランク別)に組立てられるようにすると共に、残ったランクの半導体装置はその後に組み立てる時まで小型の装置で保管できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

構成
ウェハ上に形成された各半導体装置の一部に識別データ領域を設け、ウェハ状態で測定した各半導体装置の電気的特性に基づいた識別データ穴をレーザ加工により識別データ領域に複数個形成し、ウェハを個々の半導体チップに分割した後に、識別データを読み取って特定の識別データの半導体チップのみを組み立て、残った半導体チップはエキスパンドテープに貼着されたチップ状態のままで保管した後、必要に応じて識別データを読み取って組み立てるようにする。
特許請求の範囲
【請求項1】 ウェハ上に形成された半導体装置において、各半導体装置の一部に識別データ領域を設け、前記識別データ領域にウェハ状態で測定した前記各半導体装置の電気的特性の測定結果に基づいた識別データ穴をレーザ加工により複数個形成し、前記ウェハを個々の半導体装置に分割した後に前記半導体装置の前記識別データを読み取って、前記識別データ毎に前記半導体装置を選択的に組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは半導体装置を効率よく組み立てるための製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ウェハ中に形成された半導体装置を組み立てる場合には、ウェハ状態で各半導体装置の電気的特性を測定し、不良の半導体装置にはインクでマーキングを行い、インクを乾燥させた後、半導体装置をダイシング工程と言われる工程により分割し、エキスパンド工程と言われる工程により各半導体装置を分離して、マーキングのない半導体装置(良品)のみをピックアップして組み立てることにより、個々の半導体装置を得ていた。
【0003】図3はウェハ上の半導体装置の中で特性不良の半導体装置を識別表示する従来の方法を示す。ウェハ1上に半導体装置1aが格子状に形成され、図示しない半導体装置の測定装置により電気的特性を測定して、所定の電気的特性を得られなかった半導体装置1aは不良品とされる。不良品の半導体装置1aには先端からインクの出るマーキング装置3により不良マーク3aが付けられ、ウェハ1上の各半導体装置1aの電気的特性を測定し終えた後、不良マーク3aは乾燥されて定着する。
【0004】その後、ウェハ1上の半導体装置1aのチップサイズに合わせて縦横に溝を切るダイシング(スクライブとも言う)を行い、伸張性のあるテープ(エキスパンドテープ)に貼着した状態で上方よりローラを押し当てて溝部を破砕して個々の半導体チップ1aに分割し、更にこの状態のエキスパンドテープを図示しないエキスパンド装置を用いて引き伸ばすことにより、個々の半導体チップ1a間が分離される。個々に分離された半導体チップ1aのうち、良品と判断された半導体装置1aは図示しないピックアップ装置により選択されて、半導体チップ1aを樹脂により封止する組立工程が行われ、最後に再度電気的特性を測定や標印等を行って完成品の半導体装置となっていた。
【0005】一方、ウェハ1上に形成された半導体装置1aの電気的特性をウェハ状態で測定する場合には、製造工程におけるプロセス的ばらつきにより、ウェハ間は勿論のこと、ウェハ1内においても電気的特性にばらつきがあると共に、測定装置のための配線に不要な配線容量等が付加されて最終製品の特性と完全には一致しないことがあるので、ばらつきや測定装置での誤差を考慮して緩めのリミットで測定して良品と不良品の判定を行い、全ての良品の組立を完了した後に、再度電気的特性を測定して所定の特性の半導体装置を得るようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図3に示すような半導体装置の製造方法は、ウェハ1上に形成された個々の半導体装置1aの電気的特性により良品と不良品とを判定するだけの場合には問題なかったが、例えば、コンピュータ機器のように、最大限の性能を要求される装置に使用する場合には、使用されるマイクロコンピュータやメモリ等の最高動作速度や消費電流及び入出力特性等の性能により半導体装置を分類(ランク分け)する必要があり、ウェハ状態では製品の仕様に対して充分に余裕のある電気的特性で半導体装置を測定し、良品と判定された半導体装置を一度全て組み立てた後に、最終的な測定により半導体装置をランク分けしなければならなかったので、すぐに使用しないランクの半導体装置も多く組み立てられてしまっていた。
【0007】必要なランク以外の半導体装置は、特性を維持するため窒素ガス等の雰囲気中で保管するか真空パックして保管する等しておかなければならないので、保管のために大きな装置及び広い保管場所が必要になるという問題が有った。また、形成されたウェハの電気的特性がばらついている場合や要求される電気的特性が特に限定されている場合には、すぐに使用される半導体装置よりも保管される半導体装置の方が多くなってしまう場合さえあった。
【0008】更に、従来の方法では、インク中の溶剤が良品の半導体装置上に飛散したり、3a″に示すようにインクが良品の上にたれてしまったりして良品を不良品と判断してしまったりすると共に、3a′に示すようにマーキングの大きさが小さい場合には不良品を良品としてピックアップして組み立ててしまうという問題もあった。
【0009】そこで本発明はこれらの問題を解決し、必要な電気的特性の半導体装置のみを必要な時に組立てられるようにすると共に、残ったランクの半導体装置が必要になった場合に備えて、他のランクの半導体装置を容易かつ場所を取らないで保存できるようにする半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するために、請求項1の記載に係わる半導体装置の製造方法は、ウェハ上に形成された半導体装置において、各半導体装置の一部に識別データ領域を設け、識別データ領域にウェハ状態で測定した各半導体装置の電気的特性の測定結果に基づいた識別データ穴をレーザ加工により複数個形成し、ウェハを個々の半導体装置に分割した後に半導体装置の識別データを読み取って、識別データ毎に半導体装置を選択的に組み立てることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明の製造方法によれば、必要な電気的特性の半導体装置のみを選択的に組み立てられる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例である半導体装置の製造方法を図1及び図2を参照しながら詳細に説明する。尚、本明細書では、全図面を通して、同一または同様の部位には同一の符号を付して説明する。図1は本発明における半導体装置の識別方法を示す説明図であり、図1(a)はウェハ1上に形成された半導体装置1a内に識別データ領域4を設けているようす示し、図1(b)は識別データ領域4を拡大して示し、図1(c)は図1(b)の識別データ領域4をY1−Y2で切断した場合の断面を示している。
【0013】図1(a)において、ウェハ1上に格子状に縦横に形成された半導体装置1aの所定の位置に識別データ領域4を設けると共に、電気的特性の測定結果に応じて識別データ領域4内に識別データ穴4bがYAGレーザ等のレーザを照射することにより形成されている。図1(b)に示す識別データ穴4bは、識別データ領域4内に半導体装置の配線等を形成するのと同様にして形成された3つの認識パターン4aの中央部を、認識パターン4aを切断する(切断された部分を点線で示す)ようにレーザ照射して形成している。図1(c)において識別データ領域4は、シリコン等からなる半導体基板1bの上部にシリコンの酸化膜等の保護膜1cが形成され、保護膜1cの上部にアルミニュームやポリサイド等からなる配線層で認識パターン4aが形成され、更にその上部を保護膜1dが覆うように形成されている。識別データ穴4bは保護膜1dと共に認識パターン4aを取り除くように形成されているので、認識パターン4aと識別データ穴4bとの光の反射率が異なるようになっている。従って、識別データを容易に検出することができ、半導体装置のランクを判別することができるようになっている。
【0014】各半導体素子1aを組み立てる際には、従来と同様にダイシング(スクライブとも言う)及びエキスパンド装置を用いて個々の半導体チップ1a間を分離した後、上方より光をあてて識別データを読み込み、識別データに応じて選択的に半導体チップ1aをピックアップして組み立てることにより、必要なランクの半導体チップ1aのみを組立てて出荷することができる。
【0015】また、選択されなかったランクの半導体チップ1aは、品質を維持するため、エキスパンドテープに貼着された状態のままで窒素ガス等の雰囲気中で保管するか真空パックして保管する等すれば良いので、組み立てた半導体装置を保管する場合に比べて保管のための装置は大幅に小型で良く、広い保管場所も必要なくなる。図1の場合は識別パターン4aが3つ有るので、不良品を含めて8種類の組み合わせをすることができ、各半導体装置の電気的特性に応じてこの識別データ穴4bを形成することにより、半導体装置を8種類に分類(ランク分け)することができるようになっている。2つ以上の認識パターン4aがあれば同様にランク分けできるのは勿論である。
【0016】図2は本発明に使用する他の識別データの形成方法を示す説明図である。図2(a)はウェハ上に形成された半導体装置の識別データ領域4内に数字や文字等の識別データ穴4b(図2では数字の3)を連続的なレーザ照射により形成したようすを示す。図2(b)は識別データ領域4を図2(a)のY3−Y4で切断した場合の断面を示し、図1(c)で示した識別データ領域4の構造に加えて、第2の識別パターン4cと保護膜1eが形成されており、識別データ穴4bは上層の識別パターン4aのみを取り除くように形成されている。
【0017】尚、前述のような識別パターン4a及び4c等を設けない平坦な識別データ領域4を設け、識別データ穴4bのみを形成したときの保護膜1cの平坦面と識別データ穴4bとの光の反射率が異なるのを利用して、画像処理技術によりパターン認識して半導体装置をピックアップするようにしてもよい。また、図2の場合には、連続的なレーザ照射でなく、不連続なレーザ照射により数字や文字等を形成するようにしても良い。
【0018】
【発明の効果】以上に詳細を説明したように本発明によれば、必要な電気的特性の半導体装置のみを選択的に組み立てられるので、すぐには使用としない半導体装置をも組み立てていた場合に比べて小型の装置で半導体装置を保管できるようになり、大幅に保管場所を削減できるという効果がある。また、残ったランクの半導体装置は所定の状態で保管されているので、半導体装置の品質劣化を気にすることもなくいつでも組み立てることができるという効果を有する。




 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013