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発明の名称 チップ型抵抗器の製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平8−97018
公開日 平成8年(1996)4月12日
出願番号 特願平6−226938
出願日 平成6年(1994)9月21日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】石井 暁夫 (外2名)
発明者 上杉 賢次
要約 目的
絶縁基板1の上面に抵抗膜3を、絶縁基板1の左右両端面に前記抵抗膜3の両端に対する接続用電極膜2a,2bを形成して成るチップ型抵抗器を、安価に低コストで製造する。

構成
絶縁基板1の多数個を連接したセラミック素材基板Aを、これに長溝A1を凹み形成して製作して、その上面のうち各絶縁基板の箇所ごとに抵抗膜3を形成し、長溝内に電極用材料ペーストを充填して電極体2を形成し、更に、前記長溝内における電極体に、当該電極体を長溝に沿って延びる二つの電極体片2a,2bに分断したのち、前記セラミック素材基板を、各絶縁基板ごとに分割する。
特許請求の範囲
【請求項1】チップ型絶縁基板の多数個を縦方向及び横方向に並べて連接して成るセラミック素材基板を、当該セラミック素材基板の表面のうち各絶縁基板における左右両端面に沿って延びる縦方向の境界線の部分に長溝を凹み形成して製作する工程と、前記セラミック素材基板の上面のうち各絶縁基板の箇所ごとに抵抗膜を形成する工程と、前記長溝内に電極用材料ペーストを充填して電極体を形成する工程と、前記セラミック素材基板の上面のうち各絶縁基板の箇所ごとに抵抗膜に対する保護膜を形成する工程とから成り、更に、前記長溝内における電極体を、長溝に沿って延びる二つの電極体片に分断したのち、前記セラミック素材基板を、各絶縁基板ごとに分割することを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
【請求項2】チップ型絶縁基板の多数個を縦方向及び横方向に並べて連接して成るセラミック素材基板を、当該セラミック素材基板の表面のうち各絶縁基板における左右両端面に沿って延びる縦方向の境界線の部分に長溝を凹み形成して製作する工程と、前記セラミック素材基板の上面のうち各絶縁基板の箇所ごとに抵抗膜を形成する工程と、前記長溝内に電極用材料ペーストを相隣接する絶縁基板の間の部分において分断するように充填して電極体を形成する工程と、前記セラミック素材基板の上面のうち各絶縁基板の箇所ごとに抵抗膜に対する保護膜を形成する工程とから成り、更に、前記長溝内における電極体を、長溝に沿って延びる二つの電極体片に分断したのち、前記セラミック素材基板を、各絶縁基板ごとに分割することを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チップ型の絶縁基板の上面に、厚膜の抵抗膜を形成する一方、前記絶縁基板の両端面に、前記抵抗膜の両端に電気的に導通する接続用端子電極膜を形成して成るチップ型抵抗器を製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のチップ型抵抗器の製造には、例えば、特開平4−241401号公報等に記載され、且つ、図14〜図19に示すような方法が採用されている。すなわち、先づ、図14に示すように、チップ型絶縁基板1′の多数個を縦方向及び横方向の並べて連接したセラミック素材板A′を、当該セラミック素材板A′を各絶縁基板1ごとにブレイクするための溝型の縦筋目線A1′及び横筋目線A2′を予め刻設して製作し、このセラミック素材板A′の上面のうち各絶縁基板1′の両端の部位に、図15に示すように、上面電極膜2′を、材料ペーストのスクリーン印刷及びスクリーン印刷後における焼成によって形成し、次いで、前記セラミック素材板A′の上面のうち各絶縁基板1′の各々に、図16に示すように、抵抗膜3′を、材料ペーストのスクリーン印刷及びスクリーン印刷後における焼成によって形成したのち、この各抵抗膜3′における抵抗値を、その両端の上面電極膜2′に通電用のプローブを接触した状態で当該抵抗値が所定値になるようにトリミング調整する。
【0003】そして、前記セラミック素材板A′の上面のうち各絶縁基板1′の各々に、図17に示すように、抵抗膜3′を覆うガラス等の保護膜4′を、スクリーン印刷によって形成し、次いで、前記セラミック素材板A′を、図18に示すように、各縦筋目線A1′に沿ってブレイクすることによって、複数本の棒状セラミック素材片A3′ごとに分割し、この各棒状セラミック素材片A3′の長手側面に、接続用端子電極膜5′を、材料ペーストの塗着及び塗着後における焼成によって形成したのち、前記各棒状セラミック素材片A3′を、各横筋目線A2′に沿ってブレイクすることによって、各絶縁基板1′ごとに分割するようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の製造方法は、セラミック素材板A′を、その上面に上面電極膜2′、抵抗膜3′及び保護膜4′等を形成したのち棒状セラミック素材片A3′にブレイクし、この棒状セラミック素材片A3′の状態で、接続用端子電極膜5′を形成するものであって、セラミック素材板A′からブレイクした棒状セラミック素材片A3′に対して接続用端子電極膜5′を形成するに際しては、例えば、特公平3−52201号公報等に記載されているように、前記棒状セラミック素材片A3′の左右側面を、外周面に予め材料ペーストを塗着した塗布ローラに対して押し付けることを、各棒状セラミック素材片A3′の一本ずつについて行うようにしなければならないことに加えて、セラミック素材基板A′からブレイクした棒状セラミック素材片A3′を、これを整列した状態で接続用端子電極膜5′を形成する工程等に搬送すると言う特殊な搬送経路を必要とするから、生産性が著しく低くて、製造コストが大幅にアップすると共に、製造設備が大型で複雑化すると言う問題があった。
【0005】本発明は、これらの問題を解消できるようにした製造方法を提供することを技術的課題とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成するため本発明は、「チップ型絶縁基板の多数個を縦方向及び横方向に並べて連接して成るセラミック素材基板を、当該セラミック素材基板の表面のうち各絶縁基板における左右両端面に沿って延びる縦方向の境界線の部分に長溝を凹み形成して製作する工程と、前記セラミック素材基板の上面のうち各絶縁基板の箇所ごとに抵抗膜を形成する工程と、前記長溝内に電極用材料ペーストを充填して電極体を形成する工程と、前記セラミック素材基板の上面のうち各絶縁基板の箇所ごとに抵抗膜に対する保護膜を形成する工程とから成り、更に、前記長溝内における電極体を、長溝に沿って延びる二つの電極体片に分断したのち、前記セラミック素材基板を、各絶縁基板ごとに分割する。」と言うことにした。
【0007】
【作 用】このように、セラミック素材基板に予め凹み形成した長溝内に、電極用材料ペーストを充填して電極体を形成し、この電極体を、長溝に沿って延びる二つの電極体片に分断することにより、各絶縁基板における左右両端面に、前記電極体片による接続用電極膜を形成することができるから、従来のように、各絶縁基板における左右両端面に接続用電極膜を形成することのために、セラミック素材基板を棒状セラミック素材片にブレイクすることを必要としないのである。
【0008】
【発明の効果】従って、本発明によると、各絶縁基板の各々に対して両接続用電極膜を形成することが簡単にできると共に、従来のように、棒状セラミック素材片を並べて搬送することを必要としないから、生産性を著しく向上できて、製造コストを大幅に低減でき、しかも、製造設備が大型で複雑化することを回避できる効果を有する。
【0009】特に、セラミック素材基板に予め凹み形成した長溝内に電極用材料ペーストを充填するに際して、この電極用材料ペーストを、「請求項2」のように、前記相隣接する絶縁基板の間において分断するようにして充填した場合には、各絶縁基板における左右両端面に接続用電極膜を、相隣接する絶縁基板における接続用電極膜に対して電気的に非導通の状態にして形成することができるから、前記セラミック素材基板における各絶縁基板の抵抗膜に対する抵抗値のトリミング調節を、従来と同じ方向で行うことができるのである。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図1〜図13の図面について説明する。図1〜図12は、第1の実施例を示す。この第1の実施例は、先づ、図1及び図2に示すように、チップ型絶縁基板1の多数個を縦方向及び横方向の並べて一体的に連接したセラミック素材板Aを、相隣接する絶縁基板2の間に各絶縁基板1ごとにブレイクするための溝型横筋目線A2を予め刻設すると共に、当該セラミック素材基板Aの表面のうち各絶縁基板1における左右両端面に沿って延びる縦方向の境界線の部分に長溝A1を凹み形成して製作する。
【0011】なお、前記長溝A1は、セラミック素材板Aに焼成する前のセラミックグリーンシートの段階で形成したり、或いは、セラミックグリーンシートからセラミック素材板Aに焼成した後において形成したりしても良い。次いで、前記セラミック素材板Aの上面のうち各絶縁基板の箇所に、図3及び図4に示すように、抵抗膜3を、材料ペーストのスクリーン印刷及びスクリーン印刷後における焼成によって形成する。
【0012】そして、前記セラミック素材板Aにおける長溝A1内に、図5及び図6に示すように、電極用材料ペーストを充填したのち焼成することによって、電極体2を、当該電極体2が各絶縁基板1における抵抗膜3の両端に電気的に導通するように形成する。次に、前記セラミック素材板Aの上面のうち各絶縁基板の箇所に、図7及び図8に示すように、ガラス等の保護膜4を、当該保護膜4にて前記抵抗膜3を覆うように形成したのち、各長溝A1内における電極体2に、図9及び図10に示すように、細幅溝Cを、高速回転するディスクカッターBにて長溝A1に沿って延びるように刻設することにより、この電極体2を、二つの電極体片2a,2bに分断する。
【0013】なお、前記電極体2を二つの電極体片2a,2bに分断する工程は、保護膜4を形成する前に行うようにしても良く、また、前記抵抗体2は、前記した細幅溝Cの刻設にて二つの電極体片2a,2bに分断することに代えて別の方法で分断するようにしても良い。そして、前記セラミック素材板Aを、図11に示すように、各長溝A1及び横筋目線A2に沿って、各絶縁基板1ごとにブレイクするのであり、これにより、図12に示すように、絶縁基板1における上面に抵抗膜3と、この抵抗膜3を覆う保護膜4とが形成され、且つ、絶縁基板1における左右両端面に、前記電極体片2a,2bによる接続用電極膜が形成された形態のチップ型抵抗器を製造することができるのである。
【0014】図13は、第2の実施例を示すもので、この第2の実施例は、セラミック素材基板Aにおける各長溝A1内に、電極用材料ペーストを充填したのち焼成することで電極体2を形成するに際して、長溝A1内に、電極用材料ペーストを相隣接する絶縁基板1の間の部分において分断するようにして充填することにより、電極体2を、各絶縁基板1の箇所ごとに独立して形成したものである。
【0015】これによると、前記各電極体2を、高速回転するディスクカッターBによる細幅溝Cの刻設等にて二つの電極体片2a,2bに分断することにより、各絶縁基板2における左右両端面に接続用電極膜になる電極体片2a,2bを、相隣接する絶縁基板1の相互間において互いに電気的に非導通の状態にして形成することができるから、各絶縁基板1における抵抗膜3の抵抗値を、従来と同様に、その両端の電極体片2a,2bに通電用のプローブを接触した状態で当該抵抗値が所定値になるようにトリミング調整することができるのである。
【0016】なお、このトリミング調整を行う場合には、これに先立って、抵抗膜3に対してガラス等による一次の保護膜を形成して、この状態でトリミング調整を行ったのち、その全体をガラス等による二次の保護膜を形成する。




 

 


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