発明の名称 個別ダイオード装置 発行国 日本国特許庁（ＪＰ） 公報種別 公開特許公報（Ａ） 公開番号 特開平８−３２０９１ 公開日 平成８年（１９９６）２月２日 出願番号 特願平７−１２６８５６ 出願日 昭和６０年（１９８５）６月４日 代理人 発明者 樋口 泰之 要約 目的 抵抗値の安定し得る個別ダイオード装置を提供する。 構成 半導体基板１０を第１導電領域とし、前記半導体基板の表面に第２導電領域１２が形成された個別ダイオード装置において、前記半導体基板の表面に形成され、前記第１導電領域と通じる貫通穴を有する単一層からなる酸化膜１３と、前記酸化膜の上面に形成され、一方端が前記貫通穴の周辺領域まで形成されたポリシリコン成長膜による薄膜抵抗１５と、この薄膜抵抗の一方端、前記酸化膜の貫通穴の周辺領域および前記貫通穴内の第１導電領域を覆うように形成された電極１４と、を有することを特徴とする個別ダイオード装置である。 特許請求の範囲 【請求項１】 半導体基板を第１導電領域とし、前記半導体基板の表面に第２導電領域が形成された個別ダイオード装置において、前記半導体基板の表面に形成され、前記第１導電領域と通じる貫通穴を有する単一層からなる酸化膜と、前記酸化膜の上面に形成され、一方端が前記貫通穴の周辺領域まで形成されたポリシリコン成長膜による薄膜抵抗と、この薄膜抵抗の一方端、前記酸化膜の貫通穴の周辺領域および前記貫通穴内の第１導電領域を覆うように形成された電極と、を有することを特徴とする個別ダイオード装置。 発明の詳細な説明 【０００１】 【産業上の利用分野】この発明は、１つのパッケージに収納された個別ダイオード装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】ビデオテープレコーダ等、多数の各種電子回路を複合して構成される電子機器では、その構成回路を集積回路（ＩＣ）化することが機能面で不利になる場合や回路定数の設定等によりＩＣ化が困難な場合がある。例えばダイオードは、その整流特性と順方向電圧降下特性を利用したクリップ回路、スライス回路、クランプ回路、電圧電流特性を利用した関数発生回路、また、整流特性を利用した電流の逆流防止回路など様々な回路部分に用いられるが、このように種々の目的に使用可能なダイオードは個別部品としての用途も多く、他のチップ部品とともにプリント基板に個別に実装されている。 【０００３】ダイオードを用いた前記各種回路は、そのほとんどの場合、図３に示すようにダイオードＤのアノード側に抵抗Ｒが接続されているか、図４に示すようにダイオードＤのカソード側に抵抗Ｒが接続されている。したがって、個別部品としてダイオードを用いる場合には、ほとんどの場合、個別部品としての抵抗器も必要となる。このようにダイオードを用いた回路を個別部品で構成する場合、プリント基板上の部品実装面積が大きくなり、電子機器の小型軽量化を妨げ、またプリント基板に対する実装工程も多くなり、この種の回路を数多く必要とするビデオテープレコーダ等の電子機器では部品コストとともに製造コストも嵩む。 【０００４】このため、ダイオードを構成する半導体基板上に抵抗を形成し、その抵抗の一端をダイオードの一方と接続して素子の複合化を図り、個別部品または集積回路では得ることのできない利点を持つ個別ダイオード装置の提供が要望されている。 【０００５】このような要望に答えるべく、先行技術としての特開昭５９−７４６６５号公報に記載の入力保護回路は、図５に示すように、第１導電領域としての半導体基板１と、この第１導電領域と通じる貫通穴２を有する第１の酸化膜３と、この第１の酸化膜３上に形成された抵抗層４と、この抵抗層４上面における両端部に通じる貫通穴５、６および第１導電領域と通じる貫通穴２を有する第２の酸化膜７と、上記貫通穴２内および抵抗層４上の一方の貫通穴６を一体的に覆い且つ半導体基板１と通じる電極部８と、を有する構造になっている。 【０００６】また、一般に、第１の酸化膜３上に形成される抵抗層４は、その形成される幅寸法がその長さ方向において一定することが少なく、その幅寸法を大きくした状態にして長さ方向における幅寸法の変化率をできるだけ小さくし、抵抗値が少しでも一定するように形成されている。このため、例えば大きな抵抗値を必要とした場合、抵抗層４をその長さ寸法をできるだけ大きくし、これにともなってその幅寸法を大きくすることにより所定の抵抗値を得ようとしている。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような構造において、電極部８は、第２の酸化膜７を跨ぐように半導体基板１と抵抗層４とを電気的に接続させているので、第２の酸化膜７を跨ぐ分、電極部８の長さ寸法が大きくなり、これにともなって抵抗層４の長さ寸法が短くなる傾向にある。このため、さらに抵抗層４の長さ寸法を大きくして、その長さ方向における幅寸法の変化率を低減させて、安定し且つ大きな抵抗値を得ることのできる構造を有するものが望まれている。 【０００８】この発明の目的は、抵抗値の安定し得る個別ダイオード装置を提供することにある。 【０００９】 【課題を解決するための手段】この発明は、半導体基板を第１導電領域とし、前記半導体基板の表面に第２導電領域が形成された個別ダイオード装置において、前記半導体基板の表面に形成され、前記第１導電領域と通じる貫通穴を有する単一層からなる酸化膜と、前記酸化膜の上面に形成され、一方端が前記貫通穴の周辺領域まで形成されたポリシリコン成長膜による薄膜抵抗と、この薄膜抵抗の一方端、前記酸化膜の貫通穴の周辺領域および前記貫通穴内の第１導電領域を覆うように形成された電極と、を有することを特徴とする個別ダイオード装置とする。 【００１０】 【発明の作用および効果】この発明の個別ダイオード装置では、半導体基板上に酸化膜が単一層に形成されているので、この酸化膜上に形成されたポリシリコン成長膜による薄膜抵抗を、第１の導電領域に通じる貫通穴に近づく領域まで形成することが可能になる。このため、薄膜抵抗を、その長さ寸法を大きくすることができ、この長さ寸法を大きくした分、例えば大きな抵抗値を必要とする際に、その幅寸法を大きくすることができるので、抵抗値をより安定させることが可能となる。 【００１１】また、この発明によれば、ダイオードと抵抗を接続した回路部分に本願発明の個別ダイオード装置を適用することができ、従来の個別ダイオードを用いていた箇所に本願発明の個別ダイオード装置を用いることにより、個別部品としての抵抗器が不要となる。また、３端子構造を有する個別トランジスタ装置と同様のパッケージに収納することができ、個別トランジスタ装置と同等に取り扱うことができる。そのため、電子回路としての汎用性だけでなく、基板に対する実装方法も汎用化され、電子機器の小型軽量化に寄与する。更に、この発明によれば、抵抗回路として、酸化膜の表面にポリシリコン成長膜による薄膜抵抗を形成したため、例えば拡散抵抗によるものに比較して、抵抗回路の占有面積が小さく全体に大型化しない、組成，膜厚の制御が容易であり抵抗値を広範囲に亘って正確に設定することができる、隣接する他の層間の寄生容量（浮遊容量）が小さく高周波特性に優れる、許容電流値および耐圧上の問題が生じない、などの効果もある。 【００１２】 【実施例】図１は、この発明の実施例である個別ダイオード装置のペレット部の断面図である。図１において１０はＮ+ の半導体基板、１１はＮ層であり、これらは第１導電領域として作用する。１２は第２導電領域であるＰ層、１３は１１の表面部を覆い且つＰ層１２と通じる貫通穴を有するＳｉＯ2 等で形成された単一層からなる酸化膜、１５は一方端が酸化膜１３の貫通穴の周辺領域まで形成されたポリシリコンの薄膜抵抗である。１４，１４’はそれぞれアルミニウムや金等による電極であり、電極１４は薄膜抵抗の他方端に導通する第１の電極として作用し、１４’は薄膜抵抗１５の一方端とＰ層１２とに導通する第２の電極として作用する。すなわち、電極１４’は、薄膜抵抗１５の一方端、酸化膜１３の貫通穴の周辺領域および貫通穴内の第１導電領域を覆うように形成されている。図１においてＴ１，Ｔ２，Ｔ３は図３に示した各端子の記号と一致している、即ちＴ１は抵抗の他方の端子、Ｔ２は抵抗の一方の端子およびダイオードのアノード端子、Ｔ３はダイオードのカソード端子である。 【００１３】図１に示したペレットは従来の３端子型トランジスタのパッケージングと同様に、先ず、ペレットを端子Ｔ３に連続するリードフレームにダイボンディングし、電極１４，１４’をリードボンディング等により端子Ｔ１，Ｔ２にそれぞれ電気的に接続する。 【００１４】図１に示した個別ダイオード装置のペレットの製法手順は次の通りである。 【００１５】まず、Ｎ+ の半導体基板（ウエハー）に対してＮ層をエピタキシャル成長させる。このようにドーピング濃度を設定することにより、ダイオードの順方向電圧降下の値を小さくする。次に、その表面に熱酸化法によりシリコン酸化膜１３を形成する。次に、前記酸化膜１３の所定位置つまりダイオードのアノードを形成すべき位置にエッチングにより窓を開ける。続いて、この窓に対してＰ層１２を拡散により形成する。その後、酸化膜の表面にポリシリコンの薄膜をＣＶＤ法により成膜する。そしてポリシリコンの膜をパターンニングすることにより薄膜抵抗１５を得る。更に、表面にアルミニウムや金等の金属膜を蒸着により形成し、図１に示すように、薄膜抵抗の一方端と、薄膜抵抗の他方端およびＰ層１２の上部に電極１４，１４’をパターンニングする。その後、ウエハーをスクライビングしてペレットとして分離する。 【００１６】上記実施例はダイオードのアノード側に抵抗を接続したものであったが、逆にダイオードのカソード側に抵抗を接続することもできる。図２はその例を示す半導体装置の断面図である。 【００１７】図２において２０はＰ+ の半導体基板、２１はＰ層、２２はＮ層である。つまり端子Ｔ２がカソード、端子Ｔ３がアノードとなる。このように形成することにより、図４に示したような回路ユニットが構成される。 【００１８】以上に示した実施例によれば、従来の個別ダイオード装置と同様のサイズに薄膜抵抗を形成することができ、ウエハーあたりの取り数を下げることなく製造できる。 【００１９】また、薄膜抵抗１５は、図１に示しているよりも、酸化膜１３の貫通穴の外周縁部により近づけることができることは言うまでもない。