米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 電気素子 -> ソニー株式会社

発明の名称 O3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平9−8026
公開日 平成9年(1997)1月10日
出願番号 特願平8−93173
出願日 平成8年(1996)3月22日
代理人
発明者 栗原 久明 / 斎藤 正樹 / 上月 貴晶
要約 目的


構成
特許請求の範囲
【請求項1】 アルミニウム配線層を主面上に形成した基板に熱処理を施しつつ酸素プラズマ処理を行う第1工程と、次いで、アルミニウム配線層を形成した主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜を形成する第2工程と、更に、SiO2 膜上にO3 −TEOSによりNone-doped Silicate Glass (NSG)膜を形成する第3工程とを備えることを特徴とするO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法。
【請求項2】 前記第1工程の熱処理を200°C 〜450°C の範囲の温度下にて行うことを特徴とする請求項1に記載のO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法。
【請求項3】 前記第1工程を600Pa〜3000Paの範囲の真空下で行うことを特徴とする請求項2に記載のO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法。
【請求項4】 電極の間隔を0.40cm〜1.00cmの範囲に調整した平行平板型プラズマ処理装置内に、アルミニウム配線層を主面上に形成した基板を配置し、200℃〜450℃の範囲の基板の加熱温度、600Pa〜3000Paの範囲のチャンバ圧力、400sccm〜2000sccmの範囲の酸素ガス流量、及び、1.2W/cm2〜3.2W/cm2の範囲の基板上の放電出力密度の下で、基板上に酸素プラズマ処理を行う第1工程と、次いで、アルミニウム配線層を形成した主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜を形成する第2工程と、及び、SiO2 膜上にO3 −TEOSによりNone-doped Silicate Glass (NSG)膜を形成する第3工程とを備えることを特徴とするO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法。
【請求項5】 酸素プラズマ処理の時間が、20秒から60秒の範囲であることを特徴とする請求項4に記載のO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法。
発明の詳細な説明
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、Al配線層とAl配線層との間の層間平坦化処理のために形成されるO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法に関し、更に詳細にはアルミニウム配線層上とフィールド領域上との絶対段差を低減できるようなO3 −TEOS・NSG膜、特に層間絶縁膜のためのO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、LSIの微細化により、アルミニウム配線とアルミニウム配線との間隔がより狭くなりつつあり、これに伴い、リソグラフィの焦点深度マージンを確保することが必要になっている。そこで、層間膜の平坦化がいろいろな手法で検討されており、その一つとして、SOG(Spin on glass)による平坦化が検討されているが、形成されるSOG膜の膜厚が下地配線の形状によって大きく変化して、後述する絶対段差を生じ、この絶対段差が平坦化の阻害要因となっている。
【0003】このため、アルミニウム配線層を形成後の層間絶縁膜として、フロー性状に優れた、O3 −TEOS・NSG膜が、アルミニウム配線とアルミニウム配線(以下、Al配線と言う)との間の層間平坦化のために多用されている。尚、本明細書で、O3 −TEOS・NSG膜とは、O3 −TEOSにより作製したNSG膜(None-doped Silicate Glass 膜)を言う。図2を参照して、従来のO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法を更に詳細に説明する。先ず、図2に示すように、半導体基板12の主面上にAl配線層14A、B、Cを形成する。次いで、基板12の主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜16を成膜する。続いて、常圧CVD法により、SiO2 膜16上にO3 −TEOS・NSG膜18を成膜する。
【0004】ところで、Al配線層が形成された主面上に層間絶縁膜として直接O3 −TEOS・NSG膜を成膜すると、その膜厚は、Al配線層上で厚く、Al配線層の形成されていないフィールド領域において薄く成膜されると言う現象が生じ、Al配線上とフィールド領域とで大きな膜厚差が発生する。これを一般に絶対段差が大きいと言う。更に詳しく説明すれば、O3 −TEOS・NSG膜をAl層間膜として形成すると、隣り合うAl配線層との配線間隔によって、Al配線層上に成膜するO3−TEOS・NSG膜の膜厚差が発生する。
【0005】そこで、従来のO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法では、O3 −TEOS・NSG膜の絶対段差軽減のための下地として、先ずAl配線層が形成されている主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜を成膜していた。SiO2 プラズマCVD膜は、下地層の役割に加えて含有水分の多いO3 −TEOS・NSG膜からAl配線層に水分が進入しないようにする水分のストッパー層の機能も果たしている。また、SiO2 膜を下地とするO3 −TEOS・NSG膜には引張応力が働くのでAl配線にストレスが発生し、これによりボイド等の欠陥が発生しやすい。またO3 −TEOS・NSG膜自身が水分を含有しやすく、その結果Al配線に腐食が生じやすい。これらを防止するためにも、Al配線上にプラズマ励起CVDによるSiO2 膜を成膜し、更にその上にO3−TEOS・NSG膜を成膜している(図8参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、SiO2 プラズマCVD膜を下地として形成しても、従来のO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法では、第1の問題として、Al配線層上のO3−TEOS・NSG膜の膜厚T2 (図2参照)とフィールド領域上のAl配線層上のO3 −TEOS・NSG膜の膜厚T1 との差、即ち絶対段差(T2 −T1 )は、約200nmに達していた。また、Al配線層が近接しているAl配線層14B、14C上のO3 −TEOS・NSG膜の膜厚T3 はT2 より厚くなる傾向があった。絶対段差が大きいと、Al配線層を順次積層して形成して行くに従い、益々絶対段差が大きくなり、後続のホトリソグラフィ工程でフォーカスマージンの低下が起こり、線幅等の誤差が大きくなって製品の歩留りが低下すると言う問題があった。
【0007】第2の問題として、薄く成膜されたAl配線層の無いフィールド領域上に所定膜厚のO3 −TEOS・NSG膜を成膜しようとすると、O3 −TEOS・NSG膜全体の体積が増大し、含有水分の増加によりO3 −TEOS・NSG膜にクラックが発生し易くなると言う問題がある。従って、フィールド領域上に所定膜厚のO3 −TEOS・NSG膜を成膜するのでは無く、図2でT1 、T2 及びT3 が同じ値になるようにO3 −TEOS・NSG膜を成膜することが重要である。
【0008】第3の問題は、レジストマスクの組成物とエッチングガスによりアルミ配線層の側壁に形成されたポリマーを有機溶剤により洗浄、除去する必要があるが、有機溶剤による洗浄、除去は、図8に示すように、酸洗浄を行うよりも、Al配線層上に成膜されたO3 −TEOS・NSG膜の膜厚差がより大きくなるということである。尚、酸洗浄によりポリマーを除去するのは、Al中に添加されたCuが溶出するので、好ましくない。有機溶剤による洗浄は、Al配線エッチングの際に行われている。この有機溶剤による洗浄を行うと、図8に示すように、隣り合うアルミ配線層との配線間隔が0μmと1μmとでは、Al配線層上のO3 −TEOS・NSG膜の膜厚差が250nm以上になっている。この結果、Al配線層が多層になるとリソグラフィの焦点深度マージンの確保が益々困難となるという問題があった。
【0009】ところで、半導体装置の微細化、特に配線層の微細化の要求の高まりと共に、この絶対段差及びアルミ配線層上のO3 −TEOS・NSG膜の膜厚差の解消問題は、益々緊急の課題となっている。
【0010】そこで、本発明の目的は、O3 −TEOS・NSG膜の全体的な成膜量を増大させることなく、絶対段差の小さいO3 −TEOSによるNSG膜の成膜方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者は、従来の成膜方法によりO3 −TEOS・NSG膜を成膜した場合に、大きな絶対段差が発生するのは、SiO2 プラズマCVD膜の形成のみでは、O3 −TEOS・NSG膜の下地依存性の軽減が不十分であるからであると考え、下地依存性の軽減方法を研究した。そして、常温での酸素プラズマ処理或いは窒素プラズマ処理等を試みた末に、熱処理と酸素プラズマ処理との併用を研究し、本発明方法を完成するに到った。
【0012】上記目的を達成するために、本発明に係るO3 −TEOS・NSG膜の成膜方法(以下、第1発明方法と言う)は、アルミニウム配線層を主面上に形成した基板に熱処理を施しつつ酸素プラズマ処理を行う第1工程と、次いで、アルミニウム配線層を形成した主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜を形成する第2工程と、更に、SiO2 膜上にO3 −TEOSによりNone-doped Silicate Glass (NSG)膜を形成する第3工程とを備えることを特徴としている。
【0013】本発明で言うアルミニウム配線層は、アルミニウム金属の配線層のみならず、Si等を含むアルミニウム合金の配線層を含む広い意味のアルミニウム配線層である。酸素プラズマ処理とは、酸素を含むガス雰囲気内でプラズマを発生させることにより基板面にプラズマ処理を施すことを言い、その条件は、好適には200°C 〜450°C の範囲の温度下にて行い、更に好適には600Pa〜3000Paの範囲の真空下で行う。第1工程の時間は、20秒〜60秒の間であり、20秒以下及び60秒以上では、本発明の効果が得られない。プラズマCVD法によるSiO2 膜の形成及び常圧CVD法によるO3 −TEOS・NSG膜の成膜は、従来の成膜条件で良い。
【0014】本発明方法を実施する装置は、特に本発明方法に特有な装置である必要はなく、例えば200°C 〜450°C の範囲でプラズマチャンバ内の温度を制御でき、同時に酸素プラズマ処理を施すことができる装置、例えば通常のプラズマCVD装置であれば、本発明方法を実施できる。好適には、プラズマCVD法によりSiO2 膜を成膜する成膜装置を使用して、200°C 〜450°C の範囲でプラズマチャンバ内の温度を制御して基板に熱処理を施しつつ酸素プラズマ処理を行い、続いて同じプラズマチャンバ内でSiO2 膜の成膜を行う。これにより、酸素プラズマ処理工程とそれに続くSiO2 膜成膜工程とを一連的に処理することが可能になり、より良好なO3 −TEOS・NSG膜の下地を形成することができるからである。
【0015】また、上記目的を達成するために、本発明に係るO3 −TEOS・NSG膜の別の成膜方法(以下、第2発明方法と言う)は、電極の間隔を0.40cm〜1.00cmの範囲に調整した平行平板型プラズマ処理装置内に、アルミニウム配線層を主面上に形成した基板を配置し、200℃〜450℃の範囲の基板の加熱温度、600Pa〜3000Paの範囲のチャンバ圧力、400sccm〜2000sccmの範囲の酸素ガス流量、及び、1.2W/cm2〜3.2W/cm2の範囲の基板上の放電出力密度の下で、基板上に酸素プラズマ処理を行う第1工程と、次いで、アルミニウム配線層を形成した主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜を形成する第2工程と、及び、O3 −TEOSによりNone-doped Silicate Glass (NSG)膜を形成する第3工程とを備えることを特徴としている。
【0016】本第2発明方法で、第1工程は、第1発明方法と同様にO3 −TEOS・NSG膜形成のための前処理工程である。使用する装置は13.56MHzの高周波電源装置を備えた平行平板型プラズマ処理装置である。放電時間は20秒から60秒の範囲である。
【0017】酸素プラズマ処理条件を上述のように特定した理由を以下に説明する。第1には、O3 −TEOS・NSG膜の膜厚の下地配線パターン依存性とO3−TEOS・NSG膜の成長速度との間には、一定の相関関係があり、成長速度が低下する状況下ではO3 −TEOS・NSG膜の膜厚の下地配線パターン依存性が増大する。具体的には、Al配線層上にSiO2 膜を形成せずに、Al配線層上に有機溶剤による洗浄を施し、次いでO3 −TEOS・NSG膜を形成すると、有機溶剤による洗浄を施さないでO3 −TEOS・NSG膜を形成するときに比べ、O3 −TEOS・NSG膜の成膜速度は60%にしか達しない。即ち、Al配線層上にSiO2 膜が無い場合には、O3 −TEOS・NSG膜の下地配線パターン依存性が極めて高いことを意味するので、Al配線層上にSiO2 膜が必要である。
【0018】第2には、種々の実験によりO3 −TEOS・NSG膜の膜厚とチャンバ内圧力、高周波放電出力密度(ウエハ単位面積当たり)及び酸素流量との関係を調べ、それぞれ最適な範囲を600Pa〜3000Paの範囲、1.2W/cm2〜3.2W/cm2の範囲、及び、400sccm〜2000sccmの範囲の酸素ガス流量とした。図4、図5及び図6は、それぞれ、酸素流量1500sccm、高周波放電出力密度2.2W/cm2におけるチャンバ圧力とO3 −TEOS・NSG膜の膜厚との関係、酸素流量1500sccm、チャンバ圧力1130Paにおける高周波放電出力密度とO3 −TEOS・NSG膜の膜厚との関係、及び高周波放電出力密度2.2W/cm2、チャンバ圧力1130Paにおける酸素流量とO3 −TEOS・NSG膜の膜厚との関係を示す図であり、膜厚は、有機溶剤による洗浄を施さない場合の膜厚に対する比として示されており、膜厚が厚いほどO3 −TEOS・NSG膜の膜厚の下地配線パターン依存性が低いことを示している。尚、放電時間はいずれも50秒である。図4〜図6から、O3 −TEOS・NSG膜の膜厚の下地配線パターン依存性を小さくするには、即ち大きな成膜速度を得るには、チャンバ内圧力が1600Pa前後、高周波放電出力密度が2.2W/cm2前後、酸素流量が1200sccm前後が好ましいことが判る。
【0019】第3には、酸素プラズマ処理時間とO3 −TEOS・NSG膜の膜厚との関係を実験により求めた。図7は、放電時間をパラメータとして0秒、30秒、50秒、70秒、200秒に変化させた、隣り合うAl配線層との配線間隔と、Al配線層上に成膜された3 −TEOS・NSG膜の膜厚との関係を示すグラフ図である。放電時間を30秒前後にすると、O3 −TEOS・NSG膜の膜厚差が最小になることが判る。
【0020】図4〜図7から、酸素プラズマ処理の最適条件は、酸素流量が1200sccm前後、チャンバ圧力が前後1600Pa、ウエハ上での放電出力密度は2.2W/cm2近傍、放電時間は30秒前後である。この条件下では、O3 −TEOS・NSG膜の成膜速度が大きくなり、従ってO3 −TEOS・NSG膜の下地配線パターン依存性を最小にして絶対段差を抑えることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明する。
実施例1実施例1は、第1発明方法の実施例である。図1(a)から(c)は、本発明方法によりO3 −TEOS・NSG膜を成膜した際の基板の断面を各工程毎に示した断面図である。図1(a)に示すように、通常のスパッタリングとパターニングにより、0.5μm の配線幅で層厚0.65μm の複数本のAl配線層24A、B、Cを相互に平行に基板22の主面上に形成した。
【0022】次いで、平行平板型プラズマCVD装置(アプライド・マテリアルズ製のP−5000)内で基板22に熱処理を施しつつ酸素プラズマ処理を約60秒行った。その処理条件は、圧力 :1200Pa(9Torr)
温度 :400°CO2 の流量:1500sccmRF出力 :700W【0023】次に、同じプラズマCVD装置を使用して、膜厚約300nmのSiO2 膜26を成膜した。その成膜条件は、圧力 :1200Pa(9Torr)
温度 :400°Cガス流量O2 流量 :700sccmTEOS流量:800sccm(但し、バブリング用He流量を含む)
RF出力 :700W【0024】続いて、常圧CVD装置を使用して、膜厚約700nmのO3 −TEOS・NSG膜を成膜した。その成膜条件は、圧力 :常圧温度 :380°C 〜400°Cガス流量O3 /O2 流量:8slm (O3 の濃度は107mg/sl)
TEOS流量 :16sccm(但し、バブリング用He流量を含む)
【0025】成膜したO3 −TEOS・NSG膜の絶対段差を測定したところ、約100nmに減少し、これによりAl配線層とAl配線層との間の層間平坦化処理が向上し、後続のフォトリソグラフィ工程でのフォーカスマージンは、従来の成膜方法と比較して約20%程度の向上となった。
【0026】Al配線層24A、B、Cを基板22の主面上に形成し、パターニングした後、Al配線層の残渣を除去するために、有機系の薬液で洗浄する場合がある。薬液洗浄する場合でも、本発明方法を効果的に適用でき、絶対段差を軽減できる。
【0027】実施例2実施例2は、第2発明方法の実施例である。図3は、実施例2で使用する平行平板型プラズマ処理装置の側面図である。実施例2で使用する平行平板型プラズマ処理装置30は、チャンバ30と、チャンバ30に接続された排気部32と、13.56MHzの周波数の高周波電源装置34とから構成される。チャンバ30の中央には、ヒータ36を内蔵するサセプタ40と、サセプタ40の上にサセプタ40と平行に備えられたシャワー電極42と、更にシャワー電極42の上にそれと平行に備えられたガス散乱板44とが備えられ、サセプタ40とシャワー電極42との間隔は0.6cmに設定されている。サセプタ40の周囲には、チャンバ上壁から同じ高さ位置にポンピングプレート45A、Bが備えられていて、ポンピングプレートには、それぞれ、開口穴46A、Bが形成されている。サセプタ40は、リード線47a、bによって、それぞれ高周波電源装置34及びアースに接続されている。チャンバ30の中央上端にはガス導入口49が形成されている。排気部32は、ポンプ50と、スロットルバルブ52と、それらを接続している真空用配管54、56と、排気管とから構成されている。チャンバ30とスロットルバルブ52とは真空用配管54で、スロットルバルブ52とポンプ50とは真空用配管56で、それぞれ接続されている。
【0028】高周波電源装置34によりサセプタ40とシャワー電極42との間に電圧を印加すると、チャンバ30内の酸素ガスが励起してプラズマ状態になり、それにより、サセプタ40上のウエハ60に酸素プラズマ処理が施される。プラズマ状態でのチャンバ内の圧力は、スロットルバルブ52の自動制御によりコントロールされる。
【0029】O3 −TEOS・NSG膜を成膜する際、上述の装置30を使用して、以下の前処理を第1工程として行った。まず、サセプタ40の上面にウエハ60を設置した。次いで、ヒータ48によりウエハ60を加熱しつつ真空引きされたチャンバ内にガス導入口30から酸素ガスを導入した。酸素ガスは、ガス散乱板44で拡散し、シャワー電極42に開口された多数の小さな穴からウエハ60上へ到達する。スロットルバルブ52によりチャンバ30内の圧力を調節しつつ、ウエハ60上へ到達した酸素ガスをポンプ50により開口穴46A、真空排気管54、56及び排気管58を介して排気した。
【0030】以上の操作より、約20秒の後に以下の設定条件に到達し、安定した。
ウエハ温度 :400℃チャンバの圧力:1200Pa酸素流量 :1500sccm【0031】上述の安定した条件の下で、高周波電源装置34により放電を開始し、以下の条件で酸素プラズマ処理を行った。
ウエハ上の放電出力密度 :2.2W/cm2放電時間 :30秒次いで、放電を止めて、酸素ガスの供給を止め、スロットルバルブ52を全開にすることを順次行い、チャンバ内を排気した。
【0032】次いで、別のプラズマCVD装置によりSiO2 膜を成膜する第2工程及びO3 −TEOS・NSG膜を成膜する第3工程を実施した。成膜したO3 −TEOS・NSG膜の絶対段差を測定したところ、100nm以下の良好な結果が得られた。
【0033】実施例3実施例3は、第2発明方法の別の実施例である。実施例3は、平行平板型プラズマCVD装置(図示せず)を用いて、前処理である第1工程を実施例1と同じ条件で行い、酸素プラズマ処理を行った。
【0034】第1工程終了後、酸素ガス流量を変更し、更にTEOSガス(テトラエトキシオルソシランガス)をウエハ上に供給し、高周波放電を行いSiO2膜を成膜した。成膜条件は以下である。
酸素ガス流量 :700sccmTEOSガス温度 :48℃TEOSガス流量 :800sccm(バブリングHeガス流量を含む)
ウエハ上の放電出力密度 :1.9W/cm2次いで、SiO2膜が所定の膜厚に達した時点で高周波放電を停止し、次いで、酸素ガス及びTEOSガスの供給を停止し、スロットルバルブを全開にしてチャンバ内を排気した。
【0035】次いで、実施例2と同様にしてO3 −TEOS・NSG膜を成膜した。成膜したO3 −TEOS・NSG膜の絶対段差を測定したところ、100nm以下の良好な結果が得られた。
【0036】尚、酸素ガス及びTEOSに代えて、N2O及びSiH4を供給することにより、同様にSiO2膜が形成される。この場合には、酸素プラズマ処理終了後、N2Oガスを流量1500sccm、及びSiH4ガスを流量200sccmで供給する。
【0037】
【発明の効果】本発明の第1発明方法によれば、アルミニウム配線を主面上に形成した基板に熱処理を施しつつ酸素プラズマ処理を行う第1工程と、次いで、アルミニウム配線層を形成した主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜を形成する第2工程と、更に、SiO2 膜上にO3 −TEOS・Nonedoped Silicate Glass(NSG)膜を形成する第3工程とを備えることにより、絶対段差の小さいO3 −TEOS・NSG膜を成膜することができる。絶対段差の小さいO3 −TEOS・NSG膜を成膜することにより、Al配線層とAl配線層との間の層間平坦化処理が向上し、この後のホトリソグラフィ工程において十分に大きなフォーカスマージンを確保することができるので、製品歩留りが向上する。また、絶対量を増加させることなくフィールド領域にも所定の膜厚のO3 −TEOS・NSG膜を形成できるので、従来の方法に比べて含有水分量を低減させることができるので、クラック等の欠陥発生を抑制することができる。
【0038】また、本発明の第2発明方法によれば、電極の間隔を0.40cm〜1.00cmの範囲に調整した平行平板型プラズマ処理装置内に、アルミニウム配線層を主面上に形成した基板を配置し、200℃〜450℃の範囲の基板の加熱温度、600Pa〜3000Paの範囲の圧力、400sccm〜2000sccmの範囲の酸素ガス流量、及び、1.2W/cm2〜3.2W/cm2の基板上の放電出力密度の下で、基板上に酸素プラズマ処理を行う第1工程と、次いで、アルミニウム配線層を形成した主面上にプラズマCVD法によりSiO2 膜を形成する第2工程と、及び、O3 −TEOSによりNone-doped Silicate Glass (NSG)膜を形成する第3工程とを備えることにより、絶対段差の小さいO3 −TEOS・NSG膜を従来設備を使用して成膜することができる。これにより、Al配線層とAl配線層との間の層間平坦化処理が向上し、この後のホトリソグラフィ工程において十分に大きなフォーカスマージンを確保することができるので、製品歩留りが向上する。更に、説明すると、(1)微細化するLSIの配線パターン密度変化に影響されない、平坦なO3 −TEOS・NSG膜を堆積でき、リソグラフィの焦点深度マージンを確保できる。(2)O3 −TEOS・NSG膜を用いた多層アルミニム配線プロセスの実用化が可能となる。(3)プラズマ励起CVDSiO2 膜形成装置を使用して、本発明方法の前処理と連続してSiO2 膜を成膜することができるので、高い生産性を維持できる。




 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013