米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 電気素子 -> ソニー株式会社

発明の名称 平坦化方法及び半導体装置の製造方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平9−7917
公開日 平成9年(1997)1月10日
出願番号 特願平7−151294
出願日 平成7年(1995)6月19日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】高月 亨
発明者 池田 利喜夫 / 塘 洋一
要約 目的
平坦化のために形成する膜について、膜厚に拘らずその膜を均一に塗布することができ、膜厚むらなく十分に平坦化できる平坦化方法及び半導体装置の製造方法を提供する。

構成
■溶媒を含む塗布材料Mを基板1上に塗布して平坦化を行う際、塗布材料の溶媒として、PMMAまたは蒸発速度がエチルラクテートの蒸発速度を1としたときに0.6以下のものを用いる。■塗布材料の粘度と、回転数と、回転時間との各パラメータに加えて塗布材料の溶媒の蒸発速度をパラメータとして、これらパラメータに基づき溶媒蒸発速度の遅い塗布材料を選択して用いる。■塗布材料の溶媒蒸発を抑える構成とする。
特許請求の範囲
【請求項1】溶媒を含む塗布材料を基板上に塗布して平坦化を行う平坦化方法において、塗布材料の溶媒として、その蒸発速度が、エチルラクテートの蒸発速度を1としたときに0.6以下であるものを用いることを特徴とする平坦化方法。
【請求項2】溶媒を含む塗布材料を基板上に回転塗布して平坦化を行う平坦化方法において、塗布材料の粘度と、回転数と、回転時間との各パラメータに加え、塗布材料の溶媒の蒸発速度をパラメータとして、これらパラメータに基づき溶媒蒸発速度の遅い塗布材料を選択して用いることを特徴とする平坦化方法。
【請求項3】溶媒を含む塗布材料を基板上に回転塗布して平坦化を行う平坦化方法において、平坦化材料、またはエッチバック用材料としてPMMA(ポリメチルメタクリレート)を用いることを特徴とする平坦化方法。
【請求項4】溶媒を含む塗布材料を基板上に回転塗布して平坦化を行う平坦化方法において、塗布材料の溶媒の蒸発を抑える構成とすることを特徴とする平坦化方法。
【請求項5】塗布雰囲気の温度、または塗布材料温度を15℃以下とすることを特徴とする請求項4に記載の平坦化方法。
【請求項6】塗布雰囲気の湿度を80%RH以上とすることを特徴とする請求項4に記載の平坦化方法。
【請求項7】塗布雰囲気の気圧を大気圧より高くすることを特徴とする請求項4に記載の平坦化方法。
【請求項8】塗布回転時間を50秒以上とすることを特徴とする請求項4に記載の平坦化方法。
【請求項9】塗布材料の粘度及び回転数の条件を【数1】η(cp)≧4.55×10- 3 2 Sとすることを特徴とする請求項4に記載の平坦化方法。
η:粘度(cp)
r:被塗布材である基板の半径(m)
S:回転数(rpm)
【請求項10】溶媒を含む塗布材料を基板上に回転塗布して平坦化する工程を少なくとも行う半導体装置の製造装置において、塗布材料の溶媒の蒸発を抑える構成としたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、平坦化方法及び該平坦化方法を利用した半導体装置の製造装置に関する。本発明は、例えば、半導体製造工程における層間絶縁膜形成プロセスに利用することができ、特に例えば、層間絶縁膜を平坦化してその膜厚むらを抑制する場合に適した技術として利用できるものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化・集積化の傾向は著しく、例えばLSIの高集積度化に伴って、配線パターンの微細化や、多層化が推し進められている。多層化の目的としては高集積化のほかに、配線の自由度を高め、例えばコンピュータによる配線設計をも可能にすることが挙げられる。一方このような多層化のため、段差例えば層間絶縁膜の段差は大きくなり、この上に形成される配線パターンの加工精度は悪化する方向にある。段差が大きくなることにより生ずる問題について、以下図6〜図9を用いて説明すると、次のとおりである。
【0003】■レジスト膜厚とレジスト線幅の関係フォトリソグラフィー技術において用いるフォトレジストについては、そのレジスト膜厚が変化すると、現像後のレジスト線幅は変化する。下地に段差があると、レジスト膜厚が不均一になる。レジスト膜厚に対するレジスト線幅の変化の関係を図6に示す。図6は横軸に塗布したレジスト膜厚、縦軸に現像後のレジスト線幅をとったものである。
【0004】一般にレジスト線幅は、露光光と基板からの反射光との干渉によって、図6に符号(a)で示すグラフのごとく、ある振幅をもって変化する(定在波効果と称されている)。この振幅は基板からの反射光が強い程大きくなり、線幅制御性が悪くなるため、下地が反射率の高いAlなどである場合は反射防止を施す必要がある。このために用いられる反射防止膜としては、a−Si、TiON、有機系高吸収材料などが挙げられる。
【0005】反射防止を施した場合の線幅変化は図6に符号(b)で示すグラフのように直線状になる。この図6のグラフ(b)から理解されるように、反射防止により定在波効果は防止されても、レジスト膜厚が厚くなるほどレジスト線幅が太くなる現象(バルク効果)は残る。本発明で問題の一つとするのは、この図6のグラフ(b)に示したバルク効果による加工精度の悪化である。
【0006】■層間絶縁膜とレジスト線幅の関係レジストは下地段差を忠実にトレースできず、図7(a)(b)に示すように段差の上下においてレジスト膜厚の差を生じる。即ち、図7(a)のように下地の段差が小さい場合も、図7(b)のように段差が大きい場合も、図の段差下部におけるレジスト膜厚Aと段差上部におけるレジスト膜厚Bとでは、程度の差はあれ、A>Bとなる。すると図6にて説明したバルク効果によって、段差上下でレジスト線幅の変化が発生する。このレジスト線幅の変化は段差が大きい程激しくなることは、図6より明らかである。
【0007】■レジスト形状とレジスト線幅の関係層間絶縁膜の上には一般に配線材料が積まれる。この配線材料は、Alなどのように一般に高い反射率を持つ。よって線幅制御性を向上するため、反射防止が施されるのが通常である。
【0008】ところが、レジスト形状は下地からの反射光が弱いと、形状が劣化して、パターニングされたレジスト側壁が垂直にならない。これは次のような理由による。
【0009】レジストの下部は、それ自身の光吸収によって露光光強度が弱く、光反応が進みにくいため、現像速度が遅く、そのままでは図8(a)のような裾が広がった下広がりのテーパー形状になる。ここで、下地からの反射光が強いとレジスト下部での光反応が進み易くなり、現像速度が大きくなり、図8(b)のような矩形状をなす垂直なレジストパターンが得られる。
【0010】即ち、線幅制御のために反射防止を行うと、レジスト形状はテーパ形になって形状劣化してしまうものであり、レジスト形状と反射防止は相互に相反する要請で、二律背反の関係にある。
【0011】上記のように、反射防止を施された段差にレジストパターンを形成する場合、レジスト形状がテーパー状になるため、図9に示すように段差上下でレジスト線幅a,bの差が発生し、結局適正な線幅制御ができないことになる。
【0012】
【本発明が解決しようとする課題】このような問題から、下地である例えば層間絶縁膜の平坦化は重要かつ必須の技術であることがわかる。その平坦化法としてリフロー可能なSOGなどの平坦化膜の塗布による方法、及び有機膜を塗布した後エッチングして、該エッチングした面の全面を平坦化する方法が考案されている。
【0013】ところが平坦化を施すべき基板である例えば半導体ウエハーは、その径が大きくなる傾向にあり、それとともに塗布材料の膜厚むらが特に問題となってきた。この膜厚むらは、例えば成膜すべき膜厚が350nmであると、数10nm〜500nmにまで達し、層間膜の膜厚均一性だけでなく線幅均一性にも影響を及ぼすため、該膜厚むらを抑える方法が強く要求されている。この問題は、それ自体をリフロー等させて平坦化する平坦化膜についても、エッチングにより平坦化を行うために塗布する有機材料等の膜についても、またフォトレジスト等のパターニング用マスクとするための膜についても、いずれも重要な問題となることである。
【0014】本発明者は、上記の問題点の解決をめざして鋭意検討を行う過程において、該膜厚むらの発生原因が二つのモードに分けられることを見い出した。
【0015】一つは平坦化材料を塗布する雰囲気の、空気に起こる乱流によって発生するモード(第一のモード)であり、あと一つは平坦化材料そのものに発生する乱流によるモード(第二のモード)である。前者の第一のモードは図10に符号Iで示すように被塗布材であるウエハー上に螺旋状に発生し、後者の第二のモードは同じく符号IIで示すように放射線状に発生する(図10)。
【0016】乱流の発生は次式で与えられるReynolds数Reによって予想される。
【0017】
【数2】Re=ρωγ2 /η ────(1)
【0018】
ρ:密度 γ:半径方向の距離ω:角速度 η:粘度【0019】本発明者は検討の結果、【数3】Re≧2.3×105で乱流が発生することを見い出した。
【0020】ここで第一のモードを考える場合、(1)式のηは空気の粘度である。この空気の乱流を抑えるためには、8インチのウエハーで3000min- 1 以下の回転数に抑えなければならない。
【0021】次に第二のモードの場合、(1)式のηは塗布材料の粘度である。この粘度はまた、塗布膜厚に影響する。この関係式はEmslieらによって次のように求められている。
【0022】
【数4】h=√(3η/4ω2 ρt) ───(2)
【0023】h:膜厚t:回転時間【0024】(1)(2)式から理解されるように、粘度が高いほど乱流は発生しにくくなるが、膜厚は厚くなることがわかる。
【0025】即ち、上記の場合については要求される膜厚が厚いときは問題ないが、薄い膜厚が必要な場合その膜厚を達成しようとして粘度を下げると乱流が発生しやすくなることがわかる。例えば、要求膜厚が350nmの場合、塗布材料の乱流を抑えつつ要求膜厚を達成する条件は、(1)(2)式から粘度46cp、回転数8300min- 1 となる。
【0026】(2)ところがこの回転数では8インチウエハーの場合、雰囲気の空気に乱流が発生し膜厚むらを生じてしまう。
【0027】即ち、粘度と回転数だけでは乱流を抑えつつ要求膜厚を達成することは不可能である。特に薄い膜厚での平坦化は困難である。
【0028】
【発明の目的】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、平坦化のために形成する膜について、膜厚に拘らずその膜を均一に塗布することができ、膜厚むらのないようにして、十分な平坦化を達成できるようにした平坦化方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0029】
【課題を解決するための手段】上記目的は、溶媒を含む塗布材料を基板上に塗布して平坦化を行う平坦化方法において、塗布材料の溶媒として、その蒸発速度が、エチルラクテートの蒸発速度を1としたときに0.6以下であるものを用いることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0030】上記目的は、溶媒を含む塗布材料を基板上に回転塗布して平坦化を行う平坦化方法において、塗布材料の粘度と、回転数と、回転時間との各パラメータに加えて塗布材料の溶媒の蒸発速度をパラメータとして、これらパラメータに基づき溶媒蒸発速度の遅い塗布材料を選択して用いることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0031】上記目的は、溶媒を含む塗布材料を基板上に回転塗布して平坦化を行う平坦化方法において、平坦化材料、またはエッチバック用材料としてPMMA(ポリメチルメタクリレート)を用いることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0032】上記目的は、溶媒を含む塗布材料を基板上に回転塗布して平坦化を行う平坦化方法において、塗布材料の溶媒蒸発を抑えることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0033】上記目的は、塗布雰囲気の温度、または塗布材料温度を15℃以下とすることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0034】上記目的は、塗布雰囲気の湿度80%以上とすることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0035】上記目的は、塗布雰囲気の気圧を大気圧より高くすることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0036】上記目的は、塗布回転時間を50秒以上とすることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0037】上記目的は、塗布材料の粘度及び回転数の条件を【数5】η(cp)≧4.55×10- 3 2 Sη:粘度(cp)
r:被塗布材である基板(シリコンウエハー等)の半径(m)
S:回転数(rpm)
とすることを特徴とする平坦化方法によって達成される。
【0038】上記目的は、溶媒を含む塗布材料を基板上に回転塗布して平坦化を行う半導体装置の製造装置において、塗布材料の溶媒蒸発を抑えることを特徴とする半導体装置の製造装置によって達成される。
【0039】
【作用】本発明のように塗布材料の溶剤蒸発を抑えることにより、膜厚に対する回転塗布時間の効果を引き出すことができる。そのためには塗布材料の溶媒として蒸発速度の遅い溶剤を用いる。この場合に、蒸発速度が、エチルラクテートの蒸発速度を1としたときに0.6以下である溶媒を用いることにより、膜厚に拘らず、厚い膜についても、均一な膜厚の塗布膜が形成できる。
【0040】またPMMAは、それ自体の特長として、必ずしもエチルラクテートを指標にしなくても、粘度の割りに形成される膜厚が極端に薄いことがわかった。即ち、PMMAはそれ自体を平坦化塗布材料として用いることにより、その高い粘度によって乱流を抑えつつ薄い膜厚を均一に形成することができる。
【0041】一方前述のように、塗布材料の溶剤蒸発を抑えれば膜厚に対する回転塗布時間の効果を引き出すことができる。そのためには塗布雰囲気の温度または塗布材料の温度を低くすればよい。さらに湿度を高くしても同様に溶剤蒸発を抑えることができる。さらに塗布雰囲気の気圧を高くしても同様に溶剤蒸発を抑えることができる。よって、塗布雰囲気の温度または塗布材料の温度を15℃以下にする、塗布雰囲気の湿度を80%RHとする、塗布雰囲気の気圧を大気圧より大きくする、あるいは塗布回転数を50秒以上とする各発明により、均一な膜厚の塗布膜が形成される。
【0042】また前述のように、本発明者は検討の結果、Reynolds数が2.3×105 以上で乱流が発生することを見い出した。この結果から乱流を起こさせないためには粘度と回転数をつぎの条件にすることにより、目的とする均一な膜厚の塗布膜が形成できる。
【0043】
【数6】
η(cp)≧4.55×10- 3 S(min- 1
(式中の符号は前記記載参照)。
【0044】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下に述べる実施例により限定されるものではない。
【0045】実施例1本実施例では、段差を有する下地上に平坦化膜として有機材料膜を形成して、これを全面エッチバックすることにより下地を平坦化する場合に、本発明を具体化した。このようにエッチバックを行って平坦化するときも、下地段差上に形成する膜の平坦性が悪いと、不可避的に下地の平坦性が劣化するものであるが、この実施例は本発明を適用したことにより平坦化用有機材料膜を膜厚むらなく均一に塗布形成できたので、下地層間絶縁膜についてほぼ完全な平坦化を実現できた。
【0046】本実施例では、塗布材料の粘度と、回転数と、回転時間だけでなく、塗布材料の溶媒の蒸発速度をも考慮して、塗布を行う。ここでは塗布材料の溶剤としてエチル−3−エトキシプロピオネートを用いた。この溶剤の蒸発速度はエチルラクテートのそれを1としたときに0.4であった。平坦化用有機材料としてはレジストのベースレジンとしても用いられているフェノールノボラック樹脂を用いて、これをエチル−3−エトキシプロピオネートに溶かして塗布液とした。
【0047】図1に模式的に示すように、被塗布材である基板(ウエハー)1をウエハーチャック2で支持して回転させ、ノズル5から上記塗布材料Mを吐出して回転塗布した。本実施例に従って回転数3000min- 1 で25秒間回転塗布したところ、乱流による膜厚むらは発生せず、350nmの均一な膜厚の平坦な塗布膜が得られた。
【0048】これをエッチバックして、下地の層間絶縁膜を平坦化したところ、充分に平坦な下地を得ることができた。
【0049】本実施例によれば、平坦化膜を350nmの如く薄い膜厚で形成する場合でも、これをむらなく均一に塗布形成できた。よって、下地である層間絶縁膜の完全な平坦化が可能になった。これにより、製造すべき半導体装置の配線材料等の加工精度が向上し、多層配線が可能となり、配線設計の自由度が増すという効果ももたらされる。
【0050】実施例2ここでは実施例1と同様な下地である層間絶縁膜の全面エッチバックによる平坦化に際して、平坦化塗布材料としてPMMAを用いた。ここではPMMAとして分子量50万、粘度150cpのものを使用した。
【0051】本実施例に従って塗布したところ、乱流による膜厚むらは発生せず、350nmの均一な膜厚の平坦化膜が得られた。
【0052】実施例1と同様にして半導体基板上の下地上に塗布形成して平坦化膜とし、これをエッチバックして、平坦な下地を得ることができた。
【0053】本実施例も、上記例と同様な効果が得られた。
【0054】実施例3塗布材料として実施例1と同様なフェノールノボラック樹脂を用い、その溶剤としてエチレングリコールモノブチルエーテル(ブチルセロソルブ)を用いた。該溶剤の蒸発速度はエチルラクテートのそれを1としたときに0.2であった。
【0055】実施例1と同様にして半導体基板上の層間絶縁膜上に回転塗布したところ、乱流による膜厚むらは発生せず、350nmの均一な膜厚が得られた。
【0056】上記のように平坦化膜を形成して、全面エッチバックを行ったところ、下地を充分に平坦化できた。このように本実施例も、上記例と同様な効果が得られた。
【0057】実施例4塗布材料として実施例1と同様なフェノールノボラック樹脂を用い、その溶剤としてオルト−ジクロルベンゼンを用いた。該溶剤の蒸発速度はエチルラクテートのそれを1としたときに0.3であった。
【0058】実施例1と同様にして半導体基板上の層間絶縁膜上に回転塗布したところ、乱流による膜厚むらは発生せず、350nmの均一な膜厚が得られた。
【0059】上記のように平坦化膜を形成して、全面エッチバックを行ったところ、下地を充分に平坦化できた。このように本実施例も、上記例と同様な効果が得られた。
【0060】実施例5塗布材料として実施例1と同様のフェノールノボラック樹脂を用い、その溶剤としてシクロキサノールを用いた。該溶剤の蒸発速度はエチルラクテートのそれを1としたときに0.6であった。
【0061】本実施例1と同様にして半導体基板上の層間絶縁膜上に回転塗布したところ、乱流による膜厚むらは発生せず、350nmの均一な膜厚が得られた。
【0062】上記のように平坦化膜を形成して、全面エッチバックを行ったところ、下地を充分に平坦化できた。このように本実施例も、上記例と同様な効果が得られた。
【0063】実施例6本実施例の構成を、図2に示す塗布装置を参照し、説明を加える。本実施例では塗布材料として、フォトレジストとして用いられるOFPR800(東京応化(株)製)を用いて実施した。
【0064】半導体基板である基板(ウエハー)1(ここではSiウエハー)は、ウエハーチャック2に保持され、その周りはフード3で覆われている。そのフード3内には温調器4から10℃に制御された空気が供給され、塗布材料を吐出するノズル5の周りは11℃に温度制御された恒温水が循環し、これによって塗布材料は温度を制御されている。
【0065】次に動作を説明する。
1)ウエハー1がウエハーチャック2に支持される。
2)塗布材料がノズル5からウエハー1上に供給され、ウエハー1は回転する。
3)このとき、雰囲気温度、塗布材料の温度が10℃と低いため、溶剤蒸発は抑えられている。
4)ウエハー1の回転は、通常の4倍にあたる80秒間続けられる。
5)塗布膜厚は時間とともに順調に減少する。
【0066】本実施例に従って塗布したところ、乱流による膜厚むらは発生せず、350nmの均一な膜厚が得られた。
【0067】本実施例も、上記例と同様な効果が得られた。
【0068】実施例7本実施例で使用した塗布装置の構成図を図3に示し、説明を加える。本実施例で使用した塗布材料は、実施例6と同じくOFPR800である。
【0069】基板(ウエハー)1はウエハーチャック2に保持され、その周りはフード3で覆われている。そのフード3内には温調器4から相対湿度90%に制御された空気が供給され、塗布材料を吐出するノズル5の周りは11℃に温調された恒温水が循環し、塗布材料は温度を制御されている。
【0070】次に動作を説明する。
1)ウエハー1がウエハーチャック2に支持される。
2)塗布材料がノズル5からウエハー1上に供給され、ウエハー1は回転する。
3)このとき、雰囲気の相対湿度が90%と高いため溶剤蒸発は抑えられている。
4)ウエハー1の回転は、通常の4倍にあたる80秒間続けられる。
5)塗布膜厚は時間とともに順調に減少する。
【0071】本実施例に従って実施例6と同様に塗布したところ、乱流による膜厚むらは発生せず、350nmの均一な膜厚が得られた。
【0072】本実施例も、上記例と同様な効果が得られた。
【0073】実施例8本実施例で使用した塗布装置の構成図を図4に示し、説明を加える。本実施例で使用した塗布材料は、実施例6と同じくOFPR800である。
【0074】基板(ウエハー)1はウエハーチャック2に保持され、その周りは大気圧を遮断するチャンバー3で覆われている。そのチャンバー3内の圧力は大気圧〜5気圧に制御される。
【0075】次に動作を説明する。
1)ウエハー1がウエハーチャック2に支持される。
2)塗布材料がノズル5からウエハー1上に供給され、ウエハー1は回転する。
3)このとき、チャンバー3内の圧力は昇圧装置4aにより5気圧に上昇し、溶剤蒸発は抑えられる。
4)ウエハー1の回転は、通常の4倍にあたる80秒間続けられる。
5)塗布膜厚は時間とともに順調に減少する。
6)チャンバー3内は大気開放され、ウエハー1は搬出される。
【0076】本実施例に従って実施例6と同様に塗布したところ、乱流による膜厚むらは発生せず、350nmの均一な膜厚が得られた。
【0077】本実施例も、上記例と同様な効果が得られた。
【0078】実施例9本発明者は検討の結果、Reynolds数が2.3×105 以上で乱流が発生することを見い出した。この結果から乱流を起こさせないために、粘度η(cp)と回転数S(rpm)を次の条件に設定した。8インチウエハーの場合、【数7】
η(cp)≧4.55×10- 3 S(min- 1
とする。これをグラフ化して図示したのが図5であり、図の斜線領域が8インチウエハーについての塗布材料(レジスト等)の乱流発生領域となる。よって、この領域を避けて、ηとSを設定する。
【0079】本実施例に従って塗布材料として実施例6と同様のOFPR800を用いて塗布を行ったところ乱流による膜厚むらは発生せず、700nmの膜厚が得られた。一般的には下記式で示す条件に従えばよい。
【0080】
【数8】η(cp)≧4.55×10- 3 2 Srは被塗布材である基板(ウエハー)の半径(m)
【0081】本実施例も、上記例と同様な効果が得られた。即ち本実施例では、塗布材料の粘度と回転数を上記のように設定したことにより、塗布材料の溶剤蒸発を抑えることができ、よって膜厚に対する回転塗布時間の効果を引き出すことができた。
【0082】実施例10〜13上述の実施例6〜9と同様にして、但し塗布材料として平坦化材料であるSOGを用い、エッチバック法を用いることなくSOGの塗布及び焼成による平坦化を行った。これら実施例において、上記実施例6〜9と同様にSOGを回転塗布したところ、同様の膜厚むらのない均一な薄膜を塗布形成することができ、良好な平坦化が実現できた。
【0083】
【発明の効果】本発明の平坦化方法及び半導体装置の製造方法によれば、平坦化のために形成する膜について、膜厚に拘らずその膜を均一に塗布することができ、膜厚むらのないようにして、十分な平坦化を達成できるようになった。




 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013