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番号 発明の名称
1 トランスファー接点ウエットリードリレー
2 二重ツマミ
3 ロータリースイッチ
4 薄膜冷陰極
5 熱伝導冷却形マイクロ波管装置
6 電子ビーム加工機用電子銃
7 フルタイムフィラメント自動校正システム
8 ICソケット
9 半導体装置の製造装置
10 ショットキ障壁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法
11 探針装置
12 ICリードの切断方法および装置
13 電子部品
14 ガリウムアンチモナイド電界効果トランジスタ
15 ドープファイバおよび利得モニタ
16 レーザダイオード発光波長制御装置
17 光変調増幅器
18 半導体レーザモジュールのパッケージ構造
19 光半導体装置
20 はんだ供給方法
21 フラットパッケージICの搭載装置
22 過大出力防止回路
23 矩形・円形変換テーパー導波管
24 ロケット搭載導波管アンテナ
25 周波数変調装置
26 周波数変換装置
27 差動増幅器
28 両極性電圧/電流変換回路
29 全差動増幅器
30 A/D変換装置
31 A/D変換装置
32 可変長符号化装置
33 シリアルパラレル変換回路
34 電磁継電器
35 電磁リレー
36 電界放出冷陰極とこれを用いた電子銃
37 蛍光表示装置
38 ロック機構破損検知機能付接続治具および位置決め治具
39 非水電解液二次電池
40 電池電極合剤および非水電解液電池
41 接続用フレキシブルプリント基盤の収納構造
42 ケーブルコネクタ
43 マイクロ波同軸型フレキシブルケーブルと同軸型コネクタとの接続構造
44 積層セラミックコンデンサの製造方法
45 MBE法によるSi基板上CdTe成長方法
46 半導体製造装置
47 半導体製造装置
48 基板乾燥装置
49 半導体装置の製造装置
50 酸化物薄膜の製造方法
51 半導体製造装置
52 半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。
53 基板搬送装置
54 半導体基板の搬送システム
55 MOS電界効果トランジスタの分離構造およびその製造 方法
56 半導体装置
57 半導体装置の製造方法
58 半導体装置の製造方法
59 半導体装置
60 ヒートシンク付半導体パッケージ
61 半導体装置及びそのリードフレーム
62 半導体装置
63 半導体装置モジュール
64 超伝導積層薄膜
65 超伝導素子の製造方法
66 磁気抵抗素子
67 光信号直接増幅器
68 レーザ共振器
69 半導体レーザ装置
70 屈折率制御光半導体構造
71 埋め込み構造半導体光デバイスの製造方法
72 半導体レーザ装置
73 半導体レーザアレイおよびその製造方法
74 光半導体素子
75 印刷配線板およびその製造方法
76 電気・電子部品の表面実装用補助具
77 印刷配線板およびその製造方法
78 多層配線基板の半貫通スルーホール形成方法及びその装置
79 プリント基板ユニット
80 シールドガスケット
81 マイクロ波集積回路用気密筐体
82 アンテナ反射鏡
83 振幅変調器
84 ミキサ回路
85 送信周波数変換装置
86 振幅変調送信機
87 振幅変調送信機
88 利得可変回路
89 群遅延等化回路
90 クロック信号受信回路
91 クロック回路
92 可変遅延バッファ回路
93 光受信器のバイアス回路
94 1ビットセル及びアナログ/デジタル変換器
95 1−7変調データ生成装置
96 微小真空素子およびその製造方法
97 電界放出型陰極を用いた陰極線管用電子銃構体
98 プラズマディスプレイパネル
99 プラズマディスプレイパネル
100 過電流保護機能を有するモジュラーコネクタ

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