米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 計算機;電気通信 -> 松下電器産業株式会社

発明の名称 薄膜磁気ヘッド
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平7−121830
公開日 平成7年(1995)5月12日
出願番号 特願平5−263405
出願日 平成5年(1993)10月21日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小鍜治 明 (外2名)
発明者 深澤 利雄 / 藤盛 洋
要約 目的
本発明は薄膜磁気ヘッドに関するもので、容易にギャップデプスを検知しギャップデプス加工を行うことのできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。

構成
ギャップデプス形成加工を行う際の加工位置確認するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形形状を有し、且つ、最終ギャップデプス加工ラインに平行に配置され、複数の長方形形状パターンの前記最終ギャップデプス加工ラインに近接する一辺と最終ギャップデプス加工ラインとの距離が複数の長方形形状パターンの各々で異なることを特徴とする。
特許請求の範囲
【請求項1】 磁性基板または非磁性基板上に磁性薄膜からなる磁気コアと、コイルを具備してなる薄膜磁気ヘッド、または磁性基板または非磁性基板上に磁気抵抗効果素子を電磁変換素子として使用する薄膜磁気ヘッドであって、ギャップデプス形成加工を行う際の加工位置を確認するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形パターンを有し、且つ、前記長方形パターンは最終ギャップデプス加工ラインに平行に配置され、前記複数の長方形パターンの前記最終ギャップデプス加工ラインに近接する一辺と前記最終ギャップデプス加工ラインとの距離が前記複数の長方形パターンで異なることを特徴とした薄膜磁気ヘッド。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はギャップデプス検出用パターンを具備した薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記録分野において、高記録密度化に伴い、狭トラック,マルチトラック化された薄膜磁気ヘッドが必要となっている。この薄膜磁気ヘッドはギャップデプスの加工に対して精度の高い加工が要求される。
【0003】図6,図7に従来のマルチチャンネルを有する薄膜磁気ヘッドの構造を示す。図6は平面図を、図7には図6中のA−A′断面図を示す。
【0004】この薄膜磁気ヘッドはNi−Zn等のフェライト基板61を下部コアとし、この基板上にSiO2等の絶縁層を介してコイル62が形成され、さらに絶縁層を介して上部コア63が形成される。
【0005】フロントギャップ部64では所定の厚みを有するギャップ層65を介してフェライト基板61と上部コア63が対向している。この時のギャップ層65の厚みがギャップ長となる。
【0006】薄膜形成後には保護基板66が低融点ガラスあるいは接着剤によって接着され、この後に図6,図7に示すように薄膜磁気ヘッドの媒体摺動面67を所定の形状に加工するとともにギャップデプスを所定の寸法dに加工する。
【0007】この加工の際、加工量を検出するため、ギャップデプス検出用パターン68が上部コア63の形成時と同時に形成されている。このギャップデプス検出用パターン68は直角二等辺三角形形状を有し、その斜辺が媒体摺動面67と平行になるよう配置されている。媒体摺動面67がギャップデプス検出用パターン68を横切る部分のギャップデプス検出用パターン68の幅Lとしたとき、ギャップデプス加工中にはその加工面69がギャップデプス検出用パターン68を横切る部分のギャップデプス検出用パターン68の幅L′を検出すれば、(L′−L)/2が残り加工量となる。したがって、このL′を加工中に検知しながら加工を行えば最終的に所定のギャップデプスdを得ることができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のギャップデプス検出用パターンを用いてギャップデプスを精度よく加工しようとすれば加工中のギャップデプス検出用パターン幅L′を正確に検出する必要があるが、L′を精度よく検出するためには顕微鏡の倍率を上げる等する必要があり、作業性が悪化するという問題点があった。
【0009】本発明は上記問題点を解決し、容易にギャップデプスを検知しギャップデプス加工を行うことのできる薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため、本発明の薄膜磁気ヘッドはギャップデプス形成加工を行う際の加工位置を確認するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形パターンを有し、且つ、長方形パターンは最終ギャップデプス加工ラインに平行に配置され、複数の長方形パターンの前記最終ギャップデプス加工ラインに近接する一辺と最終ギャップデプス加工ラインとの距離が複数の長方形パターンの各々で異なることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明は上記した構成により、ギャップデプス加工時に加工面からギャップデプス検出用パターンを検出する際、加工の進行度合に応じて加工面に露出したギャップデプス検出用パターンの検知数が減少(増加)するため、ギャップデプスをパターンの検知数で管理することができる。
【0012】
【実施例】以下に本発明の第1の実施例について説明する。
【0013】図1は本発明による薄膜磁気ヘッドの平面図、図2は図1中A−A′の断面図である。
【0014】この薄膜磁気ヘッドはNi−Zn等のフェライト基板1を下部コアとし、この基板上にSiO2等の絶縁層を介してコイル2が形成され、さらに絶縁層を介して上部コア3が形成される。
【0015】フロントギャップ部4では所定の厚みを有するギャップ層5を介してフェライト基板と上部コアが対向している。この時のギャップ層5の厚みがギャップ長となる。
【0016】薄膜形成後には保護基板6が低融点ガラスあるいは接着剤によって接着され、この後に薄膜磁気ヘッドの媒体摺動面を所定の形状に加工するとともにギャップデプスを所定の寸法dに加工する。この加工面を図1,図2中の一点鎖線7に示し、このラインを以下最終ギャップデプス加工ライン7と呼ぶ。
【0017】この時のギャップデプス検出用パターン8は図3(A)にその拡大図を示すように、10個の長方形パターン8A〜8Jで構成され、最終ギャップデプス加工ライン7に平行に配置されている。さらに、長方形パターン8A〜8Jの最終ギャップデプス加工ライン7に近接する一辺と最終ギャップデプス加工ライン7との距離が各々の長方形パターン8A〜8Jで異なっている。本実施例においては長方形パターン8A〜8Jは、そのパターンの最終ギャップデプス加工ライン7に近接する一辺と最終ギャップデプス加工ライン7との距離をパターン8A,8Bではそれぞれ1.5、0.5μm最終ギャップ加工面に対し加工側と逆方向に突出させ、パターン8C〜8Jは1μm間隔で0.5〜7.5μmの範囲で最終ギャップ加工面7との間隔が大きくなるように配置した。
【0018】このようなパターンを有するヘッドにギャップデプス加工を行うとき、加工が図3(A)に示す一点鎖線9まで行われたとき、加工面からギャップデプス検出用パターン8を検知すると、図3(B)に示すように長方形パターン8A〜8Hの8個パターンが加工面に露出,検知され、さらに加工が進行し最終ギャップデプス加工ライン7まで行われたときには図3(C)に示すように8A,8Bの2個パターンが検出される。
【0019】すなわち、加工面から検知するギャップデプス検出用パターンはギャップデプス加工が進行するにしたがい、検出されるパターン数が減少していく。
【0020】したがって、検出される長方形パターンの数を検知することによりその検知数でギャップデプスを管理することができるため、従来必要であった高い精度での寸法測定が不要であり、容易にそのギャップデプス検知できる。
【0021】本実施例においてはギャップデプスを±0.5μmの精度で加工することができた。
【0022】また、本第1の実施例において、前述したように最終ギャップデプス加工ライン7で加工が終了したとき、図3(C)に示すように長方形パターンが2個検知されるようにギャップデプス検出用パターン8の長方形パターンを配置しているが、これは加工が最終ギャップデプス加工ライン7を越えて行われた時のデプス確認のためである(実際の加工では、最終ギャップデプスラインを中心としたある範囲内での加工を行えば良いのでこの範囲内でのギャップデプス確認が必要となる)。
【0023】ギャップデプス検出用パターン8は上部コア3を形成する際、同時に形成したが、上部コア3形成工程以外の工程で形成しても良いことは言うまでもない。
【0024】本第1の実施例では長方形パターンの本数を10本、最終ギャップデプス加工ライン7との距離1μm間隔で異ならしたが、長方形パターンの本数や、最終ギャップデプス加工ラインとの距離は必要な加工精度,加工機の送り精度に応じて最適な本数,距離を設定することができる。
【0025】なお、ギャップデプス加工時における加工初期の粗加工時には精度の高いパターン幅検知が不要であるため、従来の直角二等辺三角形状パターンを用い、最終仕上げ加工時に本発明のギャップデプス検出用パターンを使用し、加工効率を上げることもできる。
【0026】次に第2の実施例について図4,図5を用いて説明する。図4に示すように第2の実施例においてはヘッドの構成、A−A′断面等については第1の実施例と同一であるので説明を省略する。そして、ギャップデプス検出用パターン10が薄膜磁気ヘッド上に構成されている。
【0027】ギャップデプス検出用パターン10の拡大図を図5(A)に示す。第2の実施例ではギャップデプス検出用パターン10は10個の長方形パターン10A〜10Jから構成されており、最終ギャップデプス加工ライン17に平行に配置され、長方形パターン10A〜10Jの最終ギャップデプス加工ライン17に近接する一辺と最終ギャップデプス加工ライン17との距離が各々の長方形パターン10A〜10Jで異なっている。
【0028】本第2の実施例においては長方形パターン10A〜10Jにおいて、そのパターンの最終ギャップデプス加工ライン17に近接する一辺と最終ギャップデプス加工ライン7との距離をパターン10A,10Bではそれぞれ1.5、0.5μm最終ギャップデプス加工ライン17に対し加工側と逆方向に位置させ、パターン10C〜10Jは1μm間隔で0.5〜7.5μmの範囲で最終ギャップ加工面7から加工面側に突出させ、間隔が大きくなるように配置した。
【0029】このようなパターンを有するヘッドにギャップデプス加工を行うとき、加工が図5(A)に示す一点鎖線19まで行われたとき、加工面側から加工面に露出したギャップデプス検出用パターン10を検出すると、図5(B)に示すように10I,10Jの2個パターン検出され、さらに加工が進行し最終ギャップデプス加工ライン17までデプス加工行われたときには図5(C)に示すように長方形パターン10C〜10Jの8個パターンが検出され、加工の進行に応じて、その検出本数が増加する。
【0030】本第2の実施例においても第1の実施例と同様に、ギャップデプスを±0.5μmの精度で加工することができた。
【0031】さらに第1の実施例においては、ギャップデプス加工時において長方形パターンが消滅していくが、この時、長方形パターンが加工時の衝撃により欠落することがあり、誤差を生じる可能性があるが、本第2の実施例においてはパターンが露出していくため、パターンの欠落は生ぜず、良好な加工を行うことができる。
【0032】また、本第2の実施例において、前述したように最終ギャップデプス加工ライン7で加工が終了したとき、図5(C)に示すようにまだ露出していない長方形パターン10A,10Bがあるが、これは加工が最終ギャップデプス加工ライン7を越えて行われた時のデプス確認のためである(実際の加工では、最終ギャップデプスラインを中心としたある範囲内での加工を行えば良いのでこの範囲内でのギャップデプス確認が必要となる)。
【0033】ギャップデプス検出用パターン10は上部コア3を形成する際、同時に形成したが、上部コア3形成工程以外の工程で形成しても良いことは言うまでもない。
【0034】長方形パターンの本数や、最終ギャップデプス加工ラインとの距離は必要な加工精度,加工機の送り精度に応じて最適な本数,距離を設定することができること、ギャップデプス加工時における加工初期の粗加工時には精度の高いパターン幅検知が不要であるため、従来の直角二等辺三角形状パターンを用い、最終仕上げ加工時に本発明のギャップデプス検出用パターンを使用し、加工効率を上げることもできることも第1の実施例と同様である。
【0035】また、本第1,第2の実施例において、ギャップデプス検出用パターンはヘッドチップの片端に配置したが、マルチトラックヘッドでのギャップデプスの加工量の偏りを防ぐため、チップ両端にギャップデプス用マーカーを配置し、良好なギャップデプス加工を行うこともできる。
【0036】
【発明の効果】以上のように本発明による薄膜磁気ヘッドはギャップデプス形成加工を行う際の加工位置を確認するギャップデプス検出用パターンが複数の長方形パターンを有し、且つ、最終ギャップデプス加工ラインに平行に配置され、前記複数の長方形パターンの前記最終ギャップデプス加工ラインに近接する一辺と前記最終ギャップデプス加工ラインとの距離が前記複数の長方形パターンで異なることにより、ギャップデプス加工の際、加工面に露出した長方形パターンの数を検知することで容易にギャップデプスを検知できるため、精度の高いギャップデプス加工を行った薄膜磁気ヘッドを得ることができる。




 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013