発明の名称 光ディスク原盤の作製方法 発行国 日本国特許庁（ＪＰ） 公報種別 公開特許公報（Ａ） 公開番号 特開平７−５００３８ 公開日 平成７年（１９９５）２月２１日 出願番号 特願平５−１９５００８ 出願日 平成５年（１９９３）８月６日 代理人 【弁理士】 【氏名又は名称】粟野 重孝 発明者 永島 道芳 / 植野 文章 / 藤田 佳児 / 貴志 俊法 / 宮本 寿樹 / 阿部 伸也 要約 目的 隣接するトラックで交互に信号ビット深さが異なる正確なトラッキング制御ができる光ディスク原盤の作製方法を提供する。 構成 ガラス基盤１上に第１のフォトレジスト薄膜２を形成し、第１のフォトレジスト薄膜２に第１のレーザービーム３を連続的に照射し、第１のレーザービーム３が照射された部分の第１のフォトレジスト薄膜２を除去して溝４を形成し、その溝が形成されたガラス基盤５上に金属薄膜６を形成し、残った第１のフォトレジスト薄膜２上の金属薄膜６を第１のフォトレジスト薄膜２とともに除去して金属薄膜６を螺旋状に残し、その上にさらに第２のフォトレジスト薄膜７を形成し、第２のレーザービーム８を螺旋状の金属薄膜６上および螺線状の金属薄膜６間にトラッキングしながら照射して信号を記録し、その第２のレーザビームが照射された部分の第２のフォトレジスト薄膜７を除去する。 特許請求の範囲 【請求項１】ガラス基盤上に第１のフォトレジスト薄膜を形成する工程と、前記第１のフォトレジスト薄膜に第１のレーザービームを連続的に照射する工程と、前記第１のレーザービームが照射された部分の第１のフォトレジスト薄膜を除去して溝を形成する工程と、その溝が形成されたガラス基盤上に金属薄膜を形成する工程と、残った第１のフォトレジスト薄膜上の金属薄膜を第１のフォトレジスト薄膜とともに除去して前記金属薄膜を螺旋状に残す工程と、その上にさらに第２のフォトレジスト薄膜を形成する工程と、第２のレーザービームを螺旋状の金属薄膜上および螺線状の金属薄膜間にトラッキングしながら照射して信号を記録する工程と、その第２のレーザービームが照射された部分の第２のフォトレジスト薄膜を除去して信号ビットを形成する工程を主体とする、隣合うトラックで深さの異なる信号ビット列を形成する光ディスク原盤の作製方法。 【請求項２】第１のフォトレジスト薄膜の厚さが金属薄膜の厚さより厚い請求項１記載の光ディスク原盤の作製方法。 【請求項３】イオンビームによりアシストしながらスパッタ法により貴金属薄膜を形成する請求項１記載の光ディスク原盤の作製方法。 発明の詳細な説明 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、高密度に情報を蓄積した光ディスク原盤の作製方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】光ディスクの高密度化には、再生用レーザーの短波長化や対物レンズの高ＮＡ化が考えられているが、現在では実用的には波長６７０ｎｍ、ＮＡ０．６が限界であり、短波長化や高ＮＡ化に頼らない方式も幾つか知られている。 【０００３】その一つに、特開昭５４−１３６３０３号公報で示された、隣接するトラックで信号ビットの深さを交互に変化させる方式がある。反射光を２つの光検出部に分割された検出器で受光し、一方の深さの信号ビット列の再生にはそれら２つの光検出部の和信号を用い、他方の信号ビット列の再生にはそれら２つの光検出部の差信号を用いれば、隣りのトラックからのクロストークは小さく、狭ビッチ化して高密度化することができる。 【０００４】この方式の光ディスク原盤の作製方法を図２の（ａ）ないし（ｈ）を用いて述べる。一旦、凹凸状の溝が形成された基盤を作製する必要があり、図２（ａ）に示すようにガラス基盤１１にフォトレジスト１２を塗布し、図２（ｂ）に示すようにフォトレジスト１２上にレーザービーム１３を連続的に照射し、ついで図２（ｃ）に示すように現像してレーザービーム１３の照射部のフォトレジスト１２を除去する。さらに図２（ｄ）に示すようにＣＨＦ3 ガスを用いた反応性イオンエッチング法でガラス基盤１１に溝１４を形成し、その後図２（ｅ）に示すようにフォトレジスト１２を除去する。次にこの凹凸状の溝１４が形成されたガラス基盤１５上に再度フォトレジスト１６を図２（ｆ）に示すように塗布し、溝内および溝間に図２（ｇ）に示すようにレーザービーム１７をトラッキングしながら照射して信号を記録し、現像して記録部のフォトレジスト１６を図２（ｈ）に示すように除去することで、溝内と溝間で深さの異なる信号ビット１８、１９が形成された光ディスク原盤ができる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記する従来の光ディスク原盤の作製方法には次のような問題点があった。 【０００６】すなわちフォトレジストの屈折率は約１．７、ガラスの屈折率は約１．５と余り差がないために、ガラスとフォトレジストの境界の反射率は０．４％と非常に小さい。溝が形成されたガラス基盤１５にフォトレジスト１６を塗布すれば、溝からのトラッキング信号が極めて小さく、原盤への信号記録時にトラッキング制御が正確にできなくなる。上記従来の問題点を解決するため、本発明は原盤への信号記録時に正確なトラッキング制御ができる光ディスク原盤の作製方法を提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため本発明の光ディスク原盤の作製方法はガラス基盤上に第１のフォトレジスト薄膜を形成し、第１のフォトレジスト薄膜に第１のレーザービームを連続的に照射し、第１のレーザービームが照射された部分の第１のフォトレジストを除去して溝を形成し、その溝が形成されたガラス基盤上に金属薄膜を形成し、残った第１のフォトレジスト薄膜上の金属薄膜を第１のフォトレジストとともに除去して金属薄膜を螺旋状に残し、その上にさらに第２のフォトレジスト薄膜を形成し、第２のレーザービームを螺旋状の金属薄膜上および金属薄膜間にトラッキングしながら照射して信号を記録し、その第２のレーザービームが照射された部分の第２のフォトレジスト薄膜を除去する方法により、隣合うトラックで深さの異なる信号ビットを形成した光ディスク原盤を作製するものである。 【０００８】 【作用】上記の方法により、ガラス基盤に螺旋状の金属薄膜を形成するので、金属とフォトレジストの境界は反射率が高く、第２のフォトレジストを塗布しても、溝からのトラッキング信号は充分大きく、原盤への信号記録時に正確なトラッキング制御ができるようになる。 【０００９】 【実施例】以下本発明の一実施例の光ディスク原盤の作製方法について図面を参照して説明する。 【００１０】本実施例の光ディスク原盤の作製方法を示す図１（ａ）ないし（ｈ）において、ガラス基盤１の上に第１のフォトレジスト薄膜２を形成し（図１（ａ））、第１のフォトレジスト薄膜２上から第１のレーザービーム３を連続的に照射し（図１（ｂ））、現像して溝４を形成する（図１（ｃ））。溝４が形成された基盤５上に金属薄膜６を形成し（図１（ｄ））、第１のフォトレジスト薄膜２上の金属薄膜６を第１のフォトレジスト薄膜２とともに除去して金属薄膜６を螺旋状に残し（図１（ｅ））、その上に再度第２のフォトレジスト薄膜７を形成し（図１（ｆ））、第２のレーザービーム８を螺旋状の金属薄膜６の上およびその間にトラッキングしながら照射して信号を記録する（図１（ｇ））。そして現像することで金属薄膜６上と金属薄膜６間で深さの異なる信号ビット列９、１０を作製できる（図１（ｈ））。 【００１１】図１（ｅ）のように残った第１のフォトレジスト薄膜２を溶剤で溶かして、その上の金属薄膜６も同時に除去して螺旋状の金属薄膜６を形成する。溶剤に第１のフォトレジスト薄膜２が溶け易くするためには、第１のフォトレジスト薄膜２が溶剤に触れなければならず、第１のフォトレジスト薄膜２の厚さが金属薄膜６より厚い方が良い。また、第１のフォトレジスト薄膜２に形成された溝４の端面に金属薄膜６が付着しない方がよく、指向性の高いイオンビーム・スパッタ法などの薄膜形成法を採用する。 【００１２】ガラス基盤１上に形成する金属薄膜６はガラス基盤１との密着性が高い必要があり、そのような物質として、クロムなどがある。 【００１３】第１のフォトレジスト薄膜２を溶かすにはアセトンなどの有機溶剤を用いる。しかし、金属薄膜６を形成する時に第１のフォトレジスト薄膜２が熱で変質し、有機溶剤では溶けなくなることがある。その場合でも、硫酸などの強酸では容易に溶かすことができる。金属薄膜６として金などの貴金属を用いれば、強酸にも溶けずに金属薄膜６を残すことができる。一般に、金などの貴金属はガラスとの密着性が低いが、アルゴンなどのイオンビームによりアシストしながらスパッタ法で形成すれば、密着性は向上する。 【００１４】 【発明の効果】以上の説明により明かなように、本発明の光ディスク原盤の作製方法によれば、溝が形成されたガラス基盤上にフォトレジスト薄膜を形成して溝および溝間に信号記録する場合でも、溝からのトラッキング信号が大きく正確なトラッキング制御ができ、高密度な光ディスク原盤を作製することができる。