米国特許情報 | 欧州特許情報 | 国際公開(PCT)情報 | Google の米国特許検索
 
     特許分類
A 農業
B 衣類
C 家具
D 医学
E スポ−ツ;娯楽
F 加工処理操作
G 机上付属具
H 装飾
I 車両
J 包装;運搬
L 化学;冶金
M 繊維;紙;印刷
N 固定構造物
O 機械工学
P 武器
Q 照明
R 測定; 光学
S 写真;映画
T 計算機;電気通信
U 核技術
V 電気素子
W 発電
X 楽器;音響


  ホーム -> 電気素子 -> テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド

発明の名称 集積回路実装方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−69272
公開日 平成6年(1994)3月11日
出願番号 特願平5−103297
出願日 平成5年(1993)4月28日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】浅村 皓 (外3名)
発明者 ブラッド ピー.ウィットニィ / リチャード マック
要約 目的
汚染の問題を回避するようにダイを気密封止でき、樹脂製カプセル封止デバイスの使用可能な温度範囲を125℃を越える高温にまで拡張できる、信頼性高い進歩した実装技術を提供する。

構成
本発明によるダイは望ましくはシリコンウエハ(50)の選ばれたエリア上に成長させたフィールド酸化物層(56)を含む。酸化物(56)上の第1の点から第2の点まで横方向に広がる障壁金属層(70)が形成される。障壁金属層(70)を覆ってアルミニウムボンディングパッド層(74)が形成される。次に、フィールド酸化物(56)の露出したエリアを覆って、横方向で層(70)とパッド(74)の横方向端部の内部に広がる圧縮状態の窒化物層(26)が形成される。チタンタングステンを含む第2の障壁金属層(80)がパッド層(74)を覆って堆積され、それに続いて金ボンディングパッド層(84)が堆積される。
特許請求の範囲
【請求項1】 気密封止ダイであって:シリコン被加工物の表面上に形成されたフィールド酸化物;前記フィールド酸化物の選ばれたエリア上に形成された第1の障壁金属層;前記第1の障壁金属層の上表面上に形成されたアルミニウムのボンディングパッド;前記アルミニウムのボンディングパッドの上表面上に形成された第2の障壁金属層;及び前記第2の障壁金属層の上表面上に形成された金のボンディングパッド;を含む気密封止ダイ。
【請求項2】 集積回路被加工物の面にボンディングパッドを作製するための方法であって:前記面上に絶縁層を形成すること;前記絶縁層の選ばれた領域上に横方向端部を有する第1の障壁金属層を形成すること;前記第1の障壁金属層上に横方向端部を有するアルミニウムボンディングパッド層を形成すること;前記領域内のアルミニウムボンディングパッド層と前記第1の障壁金属層の横方向端部を覆うように誘電体パシベーション層を形成すること;前記アルミニウムボンディングパッド層の上面上に第2の障壁金属層を形成すること;及び前記第2の障壁金属層上に金のボンディングパッド層を形成すること;の工程を含む方法。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂製カプセル封止集積回路技術に関するものであり、更に詳細には集積回路へのボンディング方法の改良及びそのような改良された樹脂製カプセル封止集積回路を作製する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】これまで樹脂製カプセル封止集積回路技術は125℃またはそれ以下の温度環境での使用に限定されていた。危険性が高く応力の大きい環境では、チップを高価で、大型の、扱い難い金属またはセラミックのパッケージに封止することが必要である。危険性が高く応力の大きい環境というのは、石油、自動車、及び軍需産業の分野で見い出され、例えば、ダウンホール削岩機、エンジン部品、及び航空機登載部品が該当する。
【0003】従来の集積回路製造において、半導体チップはチップ上のデバイス間を相互接続するための、典型的にはアルミニウムである金属化層を含んでいる。集積回路のアルミニウムボンディングパッドをリードフレーム金属へ接続するために金のボンディングワイヤが使用される。125℃を越える温度では、金の存在下でアルミニウムが反応を起こし、一般的に”パープルプレイグ(purple plague )”と呼ばれる物質を形成する。パープルプレイグ腐食は熱的な応力によって金ボンディングワイヤの切断を引き起こす。更に、ボンディングパッド領域中の窒化物開口と周囲を取り囲むフィールド酸化物中のチップとに関連して、湿気が引き起こす信頼性の問題は、湿気及びイオンの汚染問題の原因となる。
【0004】パープルプレイグを解決するための1つの試みはアルミニウムボンディングパッドの上側に金のボンディングパッドを形成して、それに対して金のボンディングワイヤを接続するものである。こうすることでボンディングワイヤと金のボンディングパッドとの間にはパープルプレイグは形成されない。しかし、それでもアルミニウムボンディングパッドと金ボンディングパッドとの間にはパープルプレイグが形成される。
【0005】パープルプレイグ腐食の問題を回避でき、汚染の問題を回避するようにダイを気密封止でき、樹脂製カプセル封止デバイスの使用可能な温度範囲を高温にまで拡張できる、信頼性高い進歩した処理技術の必要性は長年の懸案事項であった。
【0006】
【発明の概要】本発明に従えば、集積回路被加工物の上に気密封止のダイが形成される。障壁金属の第1層が、被加工物の選ばれたエリア上に、選ばれたエリア上の2つの点間に横方向に広がって形成される。障壁金属のこの第1層を覆ってアルミニウムのボンディングパッドが形成される。フィールド酸化物の複数の部分上に窒化物のパシベーション層が形成され、それは障壁金属の第1層及びアルミニウムのボンディングパッド層の横方向端部を覆い、ボンドを保護するように広がる。障壁金属の第2層がアルミニウムボンディングパッド層を覆って、窒化物パシベーション層に重なるように形成される。この障壁金属の第2層を覆って金のボンディングパッド層が形成される。パッドをリードフレームへ接続するために、熱圧着ボンディング法を用いて金のボンディングワイヤが金のボンディングパッド層へ取り付けられる。
【0007】本発明は、数多くの特長を有する高信頼性のダイを供給する。1つの技術的な特長は、ダイが気密封止されて汚染の問題を回避できることである。別の1つの技術的な特長は多重層ボンディングパッドが腐食の問題を回避できることである。更に、本発明によって供給される樹脂製のカプセルに封止された集積回路はセラミックまたは金属のパッケージを用いたダイよりも信頼性が高く、同時により経済的でもある。本発明は実質的に追加のコスト無しでより高い信頼性を提供する。
【0008】本発明のその他の態様並びにそれらの特長については以下の図面を参照した詳細な説明から明らかになろう。
【0009】
【実施例】本発明の好適実施例とそれの特長については図1から図4を参照することによって最も良く理解できよう。各図面では対応する部品に対して同じ符号を付してある。
【0010】図1は一般的に10で示された半導体チップであり、ダイを形成している。ダイ10はボンディングパッド11ないし24を含んでいる。ダイ10及び隣接する1つのダイ(図示されていない)のための窒化物パシベーション層が26で示されている。ダイ10の周囲を取り囲み、ダイ10を隣接する複数のダイから分離しているスクライブストリート27上には窒化物は存在しない。
【0011】図2は図1の一部を高倍率に拡大して示しており、そこには本発明に従うボンディングパッドが一般的に30で示されている。金のボンディングパッドエリア11に金ワイヤ(図示されていない)が取り付けられることになる。圧縮状態の窒化物パシベーション層26がこのボンディングパッドを取り囲む。圧縮状態の窒化物は約10,000オングストロームの厚さであり、処理の間にクラックの生成に抵抗し、その形状を保持する。図示されたボンディングパッドの形状は四角であるが、信頼性に影響しなければ、(例えば)丸くても六角や八角の形状でもよい。
【0012】図3は本質的に図2のIII−IIIに沿って取ったダイ10と隣接ダイ48の一部分の高倍率拡大立面断面であり、スクライブストリートエリア27を示している。半導体基板50は上側表面54を有している。この基板はトランジスタやメモリセルのアレイのような少なくとも1個の半導体デバイスを含む。約8,000オングストロームの厚さに形成されるフィールド酸化物56が基板50の表面54上の選ばれた領域に成長される。このフィールド酸化物56の上に約10,000オングストロームの厚さに窒化物パシベーション層26が形成される。更に、窒化物パシベーション層26はフィールド酸化物層56の端部57から約0.2ミリメートルのところまで広がるようにパターン化され、エッチされる。スクライブストリート27の上には窒化物パシベーション層は存在しない。窒化物パシベーションは集積回路の最上表面上に形成される共通障壁であって、これが湿気に対する物理的な障壁として働き、回路を引っかき傷や機械的な損傷から保護し、イオン汚染から回路を保護する手助けとなる。
【0013】スライス位置合わせマーカ(SLAM)エリア64がスクライブストリート27を刻むエリアを定義する。SLAMエリア64は各々の個別マスクレベル上の各種形状の酸化物、窒化物、及びその他の要素を含み、それらがダイの処理において各々の進行するマスクレベルでの適正な位置合わせを許容する。各レベルでの位置合わせマーカはスクライブストリートエリア27上に作られる。SLAM64とスクライブストリートエリア27とを通してカットするためにソー66が使用される。このソー操作が完了すると、オブジェクト(図示されていない)がスクライブストリートを横切ってドラッグされ、各パッドが点線で示したソーによる切り口において切り離される。
【0014】このソー操作はシリコン基板50中にクラックを引き起こすことがある。そのようなクラックは汚染のための重大な通路に発展することがある。更に、従来のボンディングパッドの設定方式はボンディングパッド領域中の窒化物開口部による、湿気に関係した信頼性の問題を有する。もしソーによるカットが広すぎると、それの刃先が窒化物パシベーション層中へ侵入する。そうすれば湿気またはイオンによる汚染が生ずることになろう。
【0015】図3に示された本発明はソー操作中に発生する問題を解決する。層56の端部57と層26の端部59との間に0.2ミリメートルの横方向距離が要求される。更に、本発明は十分高速で走る狭い刃先のソーを使用するので、窒化物パシベーション層26中へクラックまたは欠片を生ずること無しにスクライブストリートエリア27をきれいにカットすることができる。SLAM64の横方向端部65と窒化物パシベーション層26の端部59との間にもう一つの0.2ミリメートルの距離が存在し、それによってクラックは窒化物パシベーション層26中へ入らない。キャップ窒化物中にクラックまたは欠片が生じなければダイは気密封止されたままである。
【0016】図4は本質的に図2のIV−IVに沿って取った高倍率拡大立面断面図である。基板50の表面54上に約8,000−10,000オングストロームの厚さにフィールド酸化物56が成長される。フィールド酸化物56は次にパターン化され、そしてエッチされて集積回路中のよその場所で電気的コンタクト(図示されていない)を形成するように整形される。
【0017】次に、例えばチタンとタングステンの合金でできた、あるいは白金の薄い層に続いてチタンとタングステンの合金を取り付けた構造の第1の障壁金属層70が、フィールド酸化物層56の選ばれた領域上へ約2,000オングストロームの厚さに堆積される。次に、層70の上にアルミニウムボンディングパッド層74が約20,000オングストローム(80マイクロインチ)の厚さに堆積される。この厚さは20,000オングストロームでなくてもよい。ボンディングパッド層74のためにはスパッタされたアルミニウムまたは蒸着されたアルミニウムが適している。ボンディングパッド74及び障壁金属70は次に、パターン化され湿式エッチまたはドライエッチされて、第1の点71から第2の点73まで横方向に広がるように加工される。このボンディングパッドはシリコンやその他の半導体表面上へフィールド酸化物層無しに直接形成してもよいことを注意する。
【0018】次に本発明に従って、圧縮状態の窒化物パシベーション層26が約10,000オングストロームの厚さに取り付けられる。窒化物パシベーション層26は次にパターン化されエッチされて、ボンディングパッドエリア及びスクライブストリートエリア(図3参照)を開口するように加工される。図示された実施例では、アルミニウムボンディングパッド層74が、少なくとも4ミリメートルの横方向寸法を持つエリアに亘って露出されるべきである。スクライブストリートエリアは開口状態に保持され、ソー操作(既述)時に窒化物のないエリアが提供される。この圧縮状態の窒化物パシベーション層26は横方向で約0.2ミリメートルだけ、層70及び74と重なる。この時点までの層70及び74の形成は従来技術と同様であり、標準的な金属化工程の任意のものによって行うことができる。適用可能な金属系のいくつかとして、次のものが挙げられるが、これらに限定される必要はない:(a)100mmの寸法のウエハ上に、湿式/ドライエッチングプロセスを用いて形成された厚さ10,000オングストローム(40マイクロインチ)のAl−Si(1%)
(b)150mmの寸法のウエハ上に、ドライエッチングプロセスを用いて形成された厚さ20,000オングストローム(80マイクロインチ)のAl−Si(1%)−Cu(0.5%)
(c)100mmの寸法のウエハ上に、湿式エッチングプロセスを用いて形成された厚さ20,000オングストローム(80マイクロインチ)のAl−Si(1%)−Cu(0.5%)
(d)100mmの寸法のウエハ上に、湿式エッチングプロセスを用いて形成された厚さ20,000オングストローム(80マイクロインチ)のAl/Cu(0.25%)
【0019】従来のボンディングパッドは、金とアルミニウムとの界面での化学反応によって生ずるボンディング障害の問題がある。ボンディング障害は金がアルミニウム中へ拡散する場合の本質的な結晶不整によるものである。本発明はこのような問題を圧縮状態の窒化物を用いた工程を通して、処理済みのアルミニウムボンディングパッドに障壁金属を付加してかぶせることによって解決する。
【0020】本発明に従えば、第2の障壁金属層80が約3,000オングストロームの厚さに取り付けられる。この層80はチタンとタングステンの合金、あるいはその他の高融点金属を含み得る。次に、金のボンディングパッド層84が約1,000オングストロームの厚さに取り付けられる。層80及びパッド層84は気相堆積法、蒸着法、スパッタ法、または化学的めっきによって取り付けることができる。これらの層80及び84は環境の変化に敏感でないので、ウエハ工場で形成する必要はない。第2の障壁金属層80と金のボンディングパッド層84は窒化物パシベーション層と重なりを持つべきである。この重なりがシリコン層50中への湿気の入り込みを阻止する手助けをする。この重なりの大きさは障壁金属の第2層及び金のボンドを形成するために用いられる実際のプロセスに依存して変化する。それは、例えば約0.5ミリメートルの大きさである。
【0021】最後に、本発明に従って先端にボールを備えた(図示されていない)金のボンディングワイヤが金のボンディングパッド層84の最上表面85へボンディングされる。このボンディングワイヤはボンディングパッド面85上に正しく四角に配置されて窒化物パシベーション層26に接触しないようにされるべきである。従って、ボンディングパッド層84はワイヤをボンディングパッドエリアの内に保つのに十分大きくあるべきである。さもないと、ボンディング圧によって窒化物パシベーション層26にクラックが生じ、湿気の汚染を許容することになる。
【0022】従来のボンディングパッドはシリコンウエハまたはチップ、フィールド酸化物層、金属ボンディングパッド層、及び汚染を防止するための窒化物パシベーション層を含む。ボンディングワイヤがボンディングパッド層へ取り付けられる時には、応力破損または応力割れ(クラック)がしばしば生成する。時間が経過すると、このクラックがボンディングパッドとシリコンウエハとの間に広がる短絡に成長する可能性がある。その時点では、ボンディングワイヤ及びパッド層は小さな応力で以て取れてしまい、ウエハに大きな穴を残してしまう。この穴は”チップアウト”と呼ばれる。チップアウトに対する解決法、特に本発明によって指摘される解決法はアルミニウムボンディングパッドの下側に第1の障壁金属層を取り付けることを含んでいる。
【0023】本発明に従えば、パープルプレイグ腐食は高温下でも生じない。それは障壁金属が金、アルミニウム、及びシリコンを互いに分離するからである。
【0024】図4に述べられたボンディングパッドを用いて本発明を実施する場合、ダイを効率的に気密封止する進歩したプロセスであるために、ダイ中への汚染の侵入を含む信頼性の問題は数桁程度低減化された。まず、窒化物キャップが、ソー操作時のダイ端部経由でダイ中へ侵入するいかなるものをも阻止する。第2に、金のキャップはボンディングパッド中に窒化物の開口部ができるのを阻止する。更に、ボンディングパッド/ボールボンドの界面におけるパープルプレイグ腐食の問題が回避されるため、拡張された温度範囲(138℃以上)での動作が可能であった。従って、従来は125℃を越える温度で使用できる製品が提供できなかったのに対して、今や150℃で動作可能な製品を提供できることになる。
【0025】本発明のプロセスは各種の金属オプションに柔軟に対応し、どれか特定のデバイス型に限定されない。適用可能な金属系のいくつかには次のものが含まれるが、これらに限定されるわけではない:(e)100mmの寸法のウエハ上に、湿式/ドライエッチングプロセスを用いて形成された厚さ10,000オングストローム(40マイクロインチ)のAl/Si(1%)
(f)150mmの寸法のウエハ上に、ドライエッチングプロセスを用いて形成された厚さ20,000オングストローム(80マイクロインチ)のAl−Si(1%)−Cu(0.5%)
(g)100mmの寸法のウエハ上に、湿式エッチングプロセスを用いて形成された厚さ20,000オングストローム(80マイクロインチ)のAl−Si(1%)−Cu(0.5%)
(h)100mmの寸法のウエハ上に、湿式エッチングプロセスを用いて形成された厚さ20,000オングストローム(80マイクロインチ)のAl/Cu(0.25%)
【0026】本発明及びそれの特長について詳細に説明してきたが、本発明の特許請求の範囲に定義された本発明の範囲からはずれることなしに各種の変更、置換、及び修正が可能であることは理解されるであろう。
【0027】更に、本発明は、それらに限定されるわけではないが、バイポーラ、4/3CMOS、LinEpic、バイポーラ 相補型、BiFET、及びCMOSを含むプロセスに対して有効である。本発明はまた、設計上の任意の縮尺に対して有効である。
【0028】以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
(1)気密封止ダイであって:シリコン被加工物の表面上に形成されたフィールド酸化物;前記フィールド酸化物の選ばれたエリア上に形成された第1の障壁金属層;前記第1の障壁金属層の上表面上に形成されたアルミニウムのボンディングパッド;前記アルミニウムのボンディングパッドの上表面上に形成された第2の障壁金属層;及び前記第2の障壁金属層の上表面上に形成された金のボンディングパッド;を含む気密封止ダイ。
【0029】(2)第1項記載の気密封止ダイであって、前記第1の障壁金属層がチタンとタングステンの合金を含んでいる気密封止ダイ。
【0030】(3)第1項記載の気密封止ダイであって、前記第2の障壁金属層がチタンとタングステンの合金を含んでいる気密封止ダイ。
【0031】(4)気密封止ダイであって:シリコン被加工物;前記被加工物の選ばれたエリア上に形成された金属ボンディングパッド;前記金属ボンディングパッドの上表面上に形成されたチタンタングステン層;及び前記チタンタングステンの上表面上に形成された金のボンディングパッド;を含む気密封止ダイ。
【0032】(5)集積回路チップであって:その中に少なくとも1個の半導体デバイスを作り込まれ、また表面を有する半導体基板;前記表面上に形成され、前記表面に対向する面を有する絶縁層であって、複数個のコンタクトエリアが前記面から前記絶縁層を通して前記表面まで貫通している絶縁層;前記コンタクトエリア中の前記面上に形成された第1の障壁金属層;前記第1の障壁金属層上に形成され前記第1の障壁金属層から離れた表面を有するアルミニウム層であって、前記第1の障壁金属層と前記アルミニウム層とが選択的に除去されて横方向端部を有する金属化層が形成され、前記金属化層が少なくとも1個のボンディングパッドエリアを含むように形成されたアルミニウム層;前記集積回路チップを覆い、前記金属化層の横方向端部を覆って形成されたパシベーション層であって、前記ボンディングパッドエリア内に1つの開口部を残すパシベーション層;前記ボンディングパッドエリア内で前記アルミニウム層の前記表面を覆うように形成された第2の障壁金属層;及び前記ボンディングパッドエリア内の前記第2の障壁金属層上に形成された金の層;を含む集積回路。
【0033】(6)半導体の表面を有し、前記表面上に形成され前記表面に対向する面を有する絶縁層を含むボンディングパッドを有し、前記面から前記絶縁層を通して前記表面に貫通する複数個のコンタクトエリアを有する集積回路であって:前記コンタクトエリア内の前記面上に形成された第1の障壁金属層;前記第1の障壁金属層上に形成され前記第1の障壁金属層から離れた表面を有するアルミニウム層であって、前記第1の障壁金属層と前記アルミニウム層とが選択的に除去されて横方向端部を有する金属化層が形成され、前記金属化層が少なくとも1個のボンディングパッドエリアを含むように形成されたアルミニウム層;前記集積回路チップを覆って、前記金属化層の横方向端部を覆うように形成されたパシベーション層であって、前記ボンディングパッドエリア内に1つの開口部を残すパシベーション層;前記ボンディングパッドエリア内の前記第2のアルミニウム層の前記表面を覆って形成された第2の障壁金属層;及び前記ボンディングパッドエリア内の前記第2の障壁金属層上に形成された金の層;を含む集積回路。
【0034】(7)集積回路半導体被加工物であって:表面を有する半導体基板であって、前記半導体基板の2個のダイがスクライブストリートによって分離されている半導体基板;前記ダイの各々が前記スクライブストリートの境界を構成する横方向マージンを有し、前記表面上の各々の前記ダイの内部で前記横方向マージンまで絶縁層が形成されており;前記絶縁層の前記横方向マージンを覆うように前記絶縁層上に形成されたパシベーション層であって、前記パシベーション層が前記スクライブストリート中へ広がる横方向マージンを有し、前記パシベーション層の前記横方向マージンの対向するもの同士間の横方向間隔が十分大きく定義されて、前記パシベーション層の前記横方向マージンを越えてクラックが走ることなしに前記ダイの分離を実現するパシベーション層;を含む被加工物。
【0035】(8)第7項記載の被加工物であって、前記パシベーション層の前記横方向マージン間の前記半導体被加工物の表面上に、スライス位置合わせマーカ(SLAM)が形成されている被加工物。
【0036】(9)集積回路半導体被加工物であって:その中に少なくとも1個の半導体デバイスを作り込まれた半導体基板であって、表面を含み、前記半導体基板の少なくとも2個のダイをスクライブストリートによって分離されて含む半導体基板;前記ダイの各々が前記スクライブストリートの境界を構成する横方向マージンを有し、前記表面上の各々の前記ダイ内部に前記横方向マージンまで絶縁層が形成されており;前記絶縁層の前記横方向マージンを覆うように前記絶縁層上に形成されたパシベーション層であって、前記パシベーション層が前記スクライブストリート中へ広がる横方向マージンを有し、前記パシベーション層の前記横方向マージンの対向するもの同士間の横方向間隔が十分大きく定義されて、前記パシベーション層の前記横方向マージンを越えてクラックが走ることなしに前記ダイの分離を実現するパシベーション層;前記表面上に形成され、前記表面に対向する面を有する絶縁層であって、前記面から前記絶縁層を通して前記表面へ貫通する複数個のコンタクトエリアが形成されている絶縁層;前記コンタクトエリア内の前記面上に形成された第1の障壁金属層;前記第1の障壁金属層上に形成され前記第1の障壁金属層から離れた表面を有するアルミニウム層であって、前記第1の障壁金属層と前記アルミニウム層とが選択的に除去されて横方向端部を有する金属化層が形成され、前記金属化層が少なくとも1個のボンディングパッドエリアを含むように形成されたアルミニウム層;前記金属化層の横方向端部を覆って、前記集積回路チップの上に形成されたパシベーション層であって、前記ボンディングパッドエリア内に1つの開口部を残すパシベーション層;前記ボンディングパッドエリア内の前記アルミニウム層の前記表面を覆うように形成された第2の障壁金属層;及び前記ボンディングパッドエリア内の前記第2の障壁金属層上に形成された金の層;を含む被加工物。
【0037】(10)集積回路被加工物の面にボンディングパッドを作製するための方法であって:前記面上に絶縁層を形成すること;前記絶縁層の選ばれた領域上に横方向端部を有する第1の障壁金属層を形成すること;前記第1の障壁金属層上に横方向端部を有するアルミニウムボンディングパッド層を形成すること;前記領域内のアルミニウムボンディングパッド層と前記第1の障壁金属層の横方向端部を覆うように誘電体パシベーション層を形成すること;前記アルミニウムボンディングパッド層の上面上に第2の障壁金属層を形成すること;及び前記第2の障壁金属層上に金のボンディングパッド層を形成すること;の工程を含む方法。
【0038】(11)第10項記載の方法であって、前記誘電体パシベーション層が窒化物を含んでいる方法。
【0039】(12)第10項記載の方法であって、前記誘電体パシベーション層が約10,000オングストロームよりも薄くない厚さに堆積される方法。
【0040】(13)第10項記載の方法であって、前記アルミニウムボンディングパッド層が約20,000オングストローム(80マイクロインチ)よりも薄くない厚さに堆積される方法。
【0041】(14)第10項記載の方法であって、前記パシベーション層の前記横方向端部が横方向で前記アルミニウムボンディングパッド層及び前記第1の障壁金属層の前記横方向端部より内側にある方法。
【0042】(15)第14項記載の方法であって、前記パシベーション層の前記横方向端部が横方向で0.2ミリメートルよりも小さくない距離だけ前記アルミニウムボンディングパッド層及び前記障壁金属層の横方向端部より内側にある方法。
【0043】(16)第10項記載の方法であって、前記第2の障壁金属層及び前記金ボンディングパッド層の横方向端部が前記誘電体パシベーション層と重なりを有している方法。
【0044】(17)第10項記載の方法であって、前記第1の障壁金属層が3,000オングストロームよりも薄くない厚さに堆積される方法。
【0045】(18)第10項記載の方法であって、前記第1の障壁金属層がチタンとタングステンの合金を含んでいる方法。
【0046】(19)第10項記載の方法であって、前記第1の障壁金属層が白金の薄い層とそれに続くチタンタングステン合金の層とを含んでいる方法。
【0047】(20)第10項記載の方法であって、前記第1の障壁金属層が2,000オングストロームよりも薄くない厚さに堆積される方法。
【0048】(21)第10項記載の方法であって、前記第2の障壁金属層がチタンタングステン合金を含んでいる方法。
【0049】(22)第10項記載の方法であって、前記金ボンディングパッド層が1,000オングストロームよりも薄くない厚さに堆積される方法。
【0050】(23)第10項記載の方法であって、前記第2の障壁金属層及び金ボンディングパッド層の横方向端部が横方向で前記パシベーション層の前記横方向端部より外側にある方法。
【0051】(24) 本発明の気密封止ダイは樹脂製カプセル封止されたデバイスの高温側で使用温度範囲を拡張するボンディングパッドを含む。本ダイは望ましくはシリコンウエハ50の選ばれたエリア上に成長させたフィールド酸化物層56を含む。酸化物56上の第1の点から第2の点まで横方向に広がる障壁金属層70が形成される。障壁金属層70を覆ってアルミニウムボンディングパッド層74が形成される。次に、フィールド酸化物56の露出したエリアを覆って、横方向で層70とパッド74の横方向端部の内部に広がる圧縮状態の窒化物層26が形成される。チタンタングステンを含む第2の障壁金属層80がパッド層74を覆って堆積され、それに続いて金ボンディングパッド層84が堆積される。




 

 


     NEWS
会社検索順位 特許の出願数の順位が発表

URL変更
平成6年
平成7年
平成8年
平成9年
平成10年
平成11年
平成12年
平成13年


 
   お問い合わせ info@patentjp.com patentjp.com   Copyright 2007-2013