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発明の名称 光励起ガス反応装置
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−244159
公開日 平成6年(1994)9月2日
出願番号 特願平5−29373
出願日 平成5年(1993)2月18日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男
発明者 川澄 建一 / 恒川 助芳 / 小泉 浩太郎
要約 目的


構成
ガス励起槽2と反応室との間を励起光を被処理物7に照射しないように、光遮蔽構造5とする。
特許請求の範囲
【請求項1】光源によってガスを励起する手段と励起ガスを輸送する手段と前記励起ガスと被処理物を反応せしめる手段を有し、前記光源と前記被処理物の間に光を遮る手段を設けたことを特徴とする光励起ガス反応装置。
【請求項2】請求項1において、ガスを励起する手段は、光源が紫外線を発するものであって、ガスと光源部との境界が紫外線透過率の優れた材料からなる光励起ガス反応装置。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光によって励起された活性ガスを被処理物と反応させて除去する場合や、光によって合成された物質を被処理物上に生成する場合、特に、半導体装置製造過程でのウェハ上の不要となったレジスト等の有機物除去や無機物の除去,ウェハのドライ洗浄,液晶基板の洗浄やレジスト除去等に用いて好適な光励起ガス反応装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の光励起プロセスでは、例えば米国特許第4,885,047 号明細書に示されているように、励起光が直接被処理物に照射される方式であった。このため、被処理物の製造プロセスの過程によって、或いは被処理物の種類によって、照射される紫外線のエネルギによって被処理物に損傷を与える場合があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようとする課題は、励起光の照射によって被処理物に損傷を与えないようにすることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を解決するため、光によりガスを励起する過程と励起ガスを輸送する過程と励起ガスが被処理物と反応する過程との間に光を遮る手段を設けることによって達成される。
【0005】
【作用】反応ガスの励起は、光を透過する容器の中に流れているガスに光照射するか光源の周りにガスを流すことによって行われる。励起された活性ガスは、輸送過程を経て被処理物のある処理室に導入する。励起光は、励起ガスの輸送過程で輸送過程を曲げたり、光を透過しない材料で遮蔽体を構成し、被処理物表面に光が到達しないようにするため、光エネルギによる被処理物の損傷を無くすことが出来る。
【0006】
【実施例】まず図1の装置で、光源3は紫外線光源を表わしており、具体的には低圧水銀放電灯である。反応の原料ガスは、供給管1によって紫外線を透過する石英ガラス等からなる光励起槽2に導入されて光源3によって励起される。励起された活性ガスは、光を透過しない、例えば、アルミニウムの板5に設けたガス通過孔6を通して被処理物7の表面に供給される。ガス通過孔6は曲がりくねった構造となっているために光を透過しない。被処理物7として半導体装置の試験素子をおき、反応ガスにオゾンを用いて被処理物7上のレジストを除去した後の電気的試験結果では、損傷を示す電気量の変化が認められなかった。
【0007】ここで、上記アルミニウムの板5を紫外線透過性である透明石英に変えて同様の電気的試験を行うと損傷を示す電気量の変化がみとめられた。
【0008】他の実施例について図2で説明する。光源3の外側にガスを通すガラス管14を設け、原料ガスを供給管11より導入し、光源13とガラス管14との間の光励起槽12でガスは励起されて曲がったガス通過管16を介して被処理物7の表面に供給される。光源3と被処理物7の間には光を透過しない金属の板15を配しているので励起光は、被処理物7に到達しない。
【0009】図3は、光源23と光励起槽22との関係の別の実施例を示すものである。光励起槽22は、二重の石英管より構成されている。光源3が、交換出来る構造としたものである。ガス通過管26は、例えば、図2に示す様に被処理物7の表面に導き、被処理物7と光源3間に光を透過しない板を配置する。
【0010】図4は、別の実施例を示すもので光源33の外周辺を励起槽32とし励起ガスをスリット状のガス通過管36を介して被処理物37の表面にスリツト状の吹きだし口より供給する。ガス通過管36を光を透過しない金属材料で構成するので光源33の光は、被処理物7の表面に到達しない。
【0011】励起ガスの原料ガスにフッ素,塩素を含み紫外線で分解励起した活性なフッ素,塩素原子を生成する方法によって被処理物上の無機物を蒸気圧の高いハロゲン化合物にして除去する場合、或いはシリコンの化合物を光分解しさらにシリコンと酸素を反応させてシリコン酸化膜を形成するいわゆる、光CVD等にも本発明は適用出来る。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、光を、直接、被処理物の表面に到達させずに光励起反応を行うので、光のもつ高エネルギ照射による被処理物の損傷のない光励起ガス反応ができる。




 

 


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