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発明の名称 エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−236864
公開日 平成6年(1994)8月23日
出願番号 特願平5−342731
出願日 平成5年(1993)12月16日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】中本 菊彦
発明者 戸田 昭仁 / 富田 一石
要約 目的
エッチング処理により材料の表面に付着されたポリマー及びダメージ層を除去して、次工程の処理時間の短縮及びエッチングの再現性を良好にする。

構成
SiO2 膜31及びフォトレジスト層32が形成された半導体ウエハWが搬入された処理容器内に、CF4 +CHF3 +Arを混合したエッチングガスを供給すると共に、プラズマにより半導体ウエハWのSiO2 膜31及びフォトレジスト層32をエッチングする。エッチング処理後、処理容器内を減圧状態にすると共に、O2 を含む処理ガスを供給して、エッチング処理により半導体ウエハWの表面に形成されたポリマー34とフォトレジスト層32を除去し、このアッシング処理が実質的に終了後、CF4 +O2 を混合した処理ガスを供給すると共に、プラズマ化して、エッチング孔33の底部に付着するダメージ層35を除去する。
特許請求の範囲
【請求項1】 エッチングマスクとしてのレジスト膜を有する被処理体をエッチングガスのプラズマにより主エッチングする工程と、上記主エッチング後の上記被処理体を後処理して被処理体に残存するレジスト膜、被処理体表面に付着したポリマー及び主エッチングにより生成された不純物層を除去する工程とを備え、上記後処理工程は、O2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記被処理体表面に付着したポリマーを除去する第1工程と、実質的に第1工程が終了後ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記不純物層を除去する第2工程とを有することを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項2】 レジスト膜をエッチングマスクとしてエッチング処理された被処理体に対して後処理を行うエッチングの後処理方法であって、O2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記被処理体表面に付着したポリマーを除去する第1工程と、実質的に第1工程が終了後ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより不純物層を除去する第2工程とを有することを特徴とするエッチングの後処理方法。
【請求項3】 請求項2記載のエッチングの後処理方法において、被処理体を加熱することを特徴とするエッチングの後処理方法。
【請求項4】 エッチングマスクとしてのレジスト膜を有する被処理体をエッチングガスのプラズマにより主エッチングするエッチング装置と、主エッチング後の上記被処理体に対してO2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理を行って被処理体に残存するレジスト膜及び被処理体表面に付着したポリマーを除去し、かつハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスのプラズマによるプラズマ処理を行って主エッチングにより生成された不純物を除去する後処理装置と、上記エッチング装置から上記後処理装置へ被処理体を搬送する搬送手段と、上記後処理装置においてO2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理が実質的に終了後、処理ガスをハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスに切換える切換手段とを具備することを特徴とするエッチング設備。
【請求項5】 請求項4記載のエッチング設備において、切換手段は、後処理装置におけるO2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理が実質的に終了したことを検出する終点検出装置を有し、この終点検出装置からの指令に基づいてガスの切換えを行うことを特徴とするエッチング設備。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備に関するものである。
【0002】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスの中核をなす集積回路の集積度は年々増加しており、集積度の増加と共に、パターン幅が次第に小さく、かつ深くなっている。これに対応することができる薄膜加工技術として、低圧(高真空)下でのドライエッチング方法が開発されている。このドライエッチングは、真空中で反応ガスを用いてプラズマを生成し、そのプラズマ中のイオン,中性ラジカル,原子,分子を用いて、半導体基板上の種々の材料をエッチングするものである。このようなドライエッチングでは、エッチングすべき材料に応じて種々のガスが用いられており、エッチングガスの選択がドライエッチングにおける極めて重要な要素となっている。
【0003】例えば、被処理体のエッチングすべき材料がシリコン(Si),酸化シリコン(SiO2 )等においてはフッ素(F)系あるいはフッ素−水素(F−H)系のエッチングガスが使用されており、一般に四フッ化炭素(CF4 )が広く用いられている。これは、シリコン酸化膜のエッチングにおいて、炭素(C)の存在とフッ素イオンを多量に生成することが重要であるためである。
【0004】また、SiO2 膜のエッチングで最大の問題は、下地シリコンに対するエッチング選択比をいかにして高い値にするかということである。そこで、エッチングガスに水素(H2 )を添加することが提案され、具体的にはトリフルオルメタン(CHF3 )[フロン23]が使用されている。このCHF3 を使用することにより、イオンが表面を叩いても除去できないほどの堆積膜をシリコン表面上に形成するので、シリコン基板(ウエハ)が殆どエッチングされない一方、SiO2膜は、加速されたフッ素イオンで叩かれた際に酸素を発生し、これによってその上のC−Hで形成されたポリマーを除去できるため、十分にエッチングされる。
【0005】そして、エッチング処理の際に、エッチング孔の底部に不純物が混入したダメージ層を除去している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチングガスにCHF3 を使用すると、エッチングされた材料の表面にポリマーが付着し易く、このポリマーの存在によってエッチング処理を行った後、次工程例えばアッシング処理やライトエッチング処理に多くの時間を要すると共に、エッチングの再現性に困難が伴うという問題があった。
【0007】また、エッチング処理後にダメージ層をフッ素ラジカルで除去しようとする場合に、ポリマー及びレジストの影響により、フッ素ラジカルがレジストと化学反応し、ダメージ層を有効に除去することができないという問題がある。
【0008】この問題を解決するために、エッチング処理後にポリマーとレジストを除去した後、大気雰囲気に戻し、再び真空雰囲気の下でダメージ層を除去する方法が考えられるが、この方法を用いた場合には処理に多くの時間を要すると共に、多くの設備を要するという問題がある。
【0009】これらの問題は、特に被処理体である半導体ウエハが6インチから8インチに移行している現在において、処理時間の遅延化をもたらしている。
【0010】この発明は上記事情に鑑みなされたもので、その目的は、エッチング工程により被処理体の表面に付着されたポリマー及びダメージ層をその後の後工程により短時間で有効に除去することができ、良好なエッチング再現性、高いスループット及び設備の小型化を図ることができるエッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するためにこの発明のエッチング処理方法は、エッチングマスクとしてのレジスト膜を有する被処理体をエッチングガスのプラズマにより主エッチングする工程と、上記主エッチング後の上記被処理体を後処理して被処理体に残存するレジスト膜、被処理体表面に付着したポリマー及び主エッチングにより生成された不純物層を除去する工程とを備え、上記後処理工程は、O2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記被処理体表面に付着したポリマーを除去する第1工程と、実質的に第1工程が終了後ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記不純物層を除去する第2工程とを有することを特徴とするものである。
【0012】この発明のエッチング処理方法において、上記被処理体はSi基板とその上に形成された被エッチング膜とを有している。被エッチング膜は酸化膜又は窒化膜である。また、被エッチング層は例えば1〜2μmの厚さを有する。
【0013】また、上記第1工程で用いられるO2 ガスを含むガスは、例えばO2 ガスのみか、あるいは、O2 ガスと不活性ガスとで構成される。O2 ガスを含むガスがO2 ガスと不活性ガスとで構成される場合は、O2 ガスの供給量は全体の50%以上である方が好ましい。また、不活性ガスとしては例えばN2ガスが使用される。
【0014】また、上記第2工程で用いられるハロゲン含有ガスは、F含有ガスが好ましく、更に好ましくはCF4 ガスである方がよい。また、ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスは、更に不活性ガスを含む。この場合、不活性ガスとしては例えばN2 ガスが使用されるまた、上記後処理工程の第1工程と第2工程とは別の処理容器内で行っても差し支えないが、好ましくは同一の処理容器内で連続して行う方がよい。
【0015】また、この発明のエッチングの後処理方法は、レジスト膜をエッチングマスクとしてエッチング処理された被処理体に対して後処理を行うエッチングの後処理方法であって、O2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記被処理体表面に付着したポリマーを除去する第1工程と、実質的に第1工程が終了後ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより不純物層を除去する第2工程とを有することを特徴とするものである。
【0016】この発明ののエッチングの後処理方法において、被処理体の処理時の温度は任意であっても差し支えないが、好ましくは被処理体を加熱して処理する方がよい。
【0017】また、この発明のエッチングの後処理方法において、上記エッチング処理方法の後処理工程における第1工程で使用されるO2 ガスを含むガス、第2工程で使用されるハロゲン含有ガス、ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスと同じものを使用することができる。
【0018】また、この発明のエッチング設備は、エッチングマスクとしてのレジスト膜を有する被処理体をエッチングガスのプラズマにより主エッチングするエッチング装置と、主エッチング後の上記被処理体に対してO2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理を行って被処理体に残存するレジスト膜及び被処理体表面に付着したポリマーを除去し、かつハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスのプラズマによるプラズマ処理を行って主エッチングにより生成された不純物を除去する後処理装置と、上記エッチング装置から上記後処理装置へ被処理体を搬送する搬送手段と、上記後処理装置においてO2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理が実質的に終了後、処理ガスをハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスに切換える切換手段とを具備することを特徴とするものである。
【0019】この発明のエッチング設備において、上記切換手段は、後処理装置におけるO2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理が実質的に終了したことを検出する終点検出装置を有し、この終点検出装置からの指令に基づいてガスの切換えを行うようにすることが好ましい。
【0020】
【作用】エッチングマスクとしてのレジスト膜を有する被処理体にエッチングガスを供給すると共に、プラズマにより被処理体をエッチングする。エッチング処理後、2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマによりレジスト膜及び被処理体表面に付着したポリマーを除去し(第1工程)、実質的に第1工程が終了後ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスをプラズマ化し、このプラズマによりエッチングにより生成された不純物層を除去する。
【0021】したがって、エッチング工程により被処理体の表面に付着されたポリマー及びダメージ層をその後の後工程により短時間で有効に除去することができ、良好なエッチング再現性、高いスループット及び設備の小型化を図ることができる。
【0022】
【実施例】以下に、この発明の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1はこの発明の主エッチング処理を行う第1の処理装置の一例の概略断面図、図2は図1に示した第1の処理装置を有するエッチング設備の概略平面図、図3はエッチングの後処理としてのアッシング処理及びライトエッチング処理を行う第2の処理装置の断面図が示されている。
【0023】上記第1の処理装置は、ガス供給口1aと排気口1bとを有する処理容器1と、この処理容器1内に配置される一対の電極2,3と、高周波電源4とで主要部が構成されている。
【0024】処理容器1は、その内で被処理体例えば半導体ウエハW(以下にウエハという)をエッチング処理するためのものであり、その側部下方に設けられた排気口1bを介して排気手段としての真空ポンプ60により排気することによって、その中が真空に保持され、ガス供給口1aから処理ガスがその中に供給されるようになっている。
【0025】上記処理容器1内に配置される一対の電極2,3は、上下に対向配置されている。処理容器1の上壁側に位置する上部電極2は処理容器1を介してアース側に接地され、処理容器1の底壁側に位置する下部電極3は、この下部電極3と処理容器1の側壁との間に介在される絶縁部材5によって絶縁されると共に、上記高周波電源4に接続されている。また、下部電極3はその上部中央に円板状の凸部(サセプタ)6を有し、このサセプタ6上にウエハWが支持されるようになっている。サセプタ6上にはウエハWを静電吸着するための静電チャック61が設けられており、これによってウエハWが吸着支持される。
【0026】ガス供給口1aにはガス供給ライン62を介してエッチング処理用のガス処理容器1内に供給するためのガス供給源63,64,65が接続されている。これらガス供給源63,64,65には、例えばそれぞれCF4 ガス、CHF3 ガス、Arガスが収容されており、これらが所定の割合で処理容器1に供給される。ガスライン62には、ガスライン開閉用のメインバルブ66、各ガス供給源63〜65に対応するバルブ67,68,69及び各ガスの流量を制御するマスフローコントローラ70,71,72が設けられており、ガスの切換え及び流量制御が可能となっている。なお、エッチング処理用のガスは特に限定されるものではなく、通常のエッチングに用いられるガスを採用することができる。
【0027】上記のように構成される第1の処理装置を具備するエッチング設備は、図2に示すように、ウエハWを収納するための収納部8と、収納部8からウエハWを搬出・搬入するための多関節アームにて形成される搬送部9と、搬送部9から送られてきたウエハWの位置合せを行うアライメント部10と、アライメント部10で位置合せされたウエハWに対して減圧下で処理を行う処理部20と、処理部20にガス及び電力を供給するガス源・電源ユニット11とで構成されている。
【0028】この場合、処理部20は、真空下でウエハWの主エッチングを行う第1の処理装置21と、エッチング後処理としてのアッシング処理及びライトエッチング処理を行う第2の処理装置22とを具備してなる。
【0029】上記第1の処理装置21及び第2の処理装置22はそれぞれ大気との遮断を行うことを目的とする第1及び第2のロードロック室23,24と連結され、また、第1の処理装置21と第2の処理装置22との間にも第3のロードロック室25が連結されて、全体が平面コ字状に連結されており、その中央部にウエハを一時的に載置するための上下移動可能な載置台26を有する受け渡しステージ27が配設されている。なお、これら各ロードロック室23〜25の大気側及び処理装置側にはそれぞれゲートバルブ28が配設されている。
【0030】上記第2の処理装置22は、図3に示すように、処理容器40と、この処理容器40の上部に設けられた一対の電極44,45と、処理容器40内の底部近傍に設けられたウエハ載置台41と、高周波電源43とを備えている。
【0031】処理容器40は、シリカガラスなどの絶縁体で形成され、小径の上部40Aと大径の下部40Bとで構成されており、頂部にガス供給口40aが、底部にガス排気口40bを有している。一対の電極44,45は処理容器40の上部41Aに巻き掛けられており、上部電極としての電極44はマッチング回路42を介して高周波電源43に接続されている。一方、下部電極としての電極45は接地されている。
【0032】ウエハ載置台41は昇降装置49によって昇降可能となっており、その内部にはヒーター51が内蔵されている。ヒーター51は加熱電源50に接続されており、この加熱電源50から給電される。ウエハ載置台41上には静電チャック41aが設けられており、この静電チャック41aによりウエハWが吸着支持される。
【0033】ガス供給口40aには、ガスライン73を介してアッシング用のO2 を含むガスを処理容器40内に供給するためのガス供給源74及びライトエッチング用のハロゲン含有ガスを処理容器40内に供給するためのガス供給源75が接続されている。ガスライン73には、ガスライン開閉用のメインバルブ76、各ガス供給源74,75に対応するバルブ77,78及び各ガスの流量を制御するマスフローコントローラ79,80が設けられており、ガスの切換え及び流量制御が可能となっている。これらバルブ76,77,78及びマスフローコントローラ79,80は制御装置81によって制御される。
【0034】処理容器40の側壁のウエハWに対応する位置には、耐熱性の透明体、例えばシリカガラスで構成された窓82が設けられており、ウエハWからの光学情報が凸レンズ83を介して終点検出装置84に出力されるようになっている。終点検出装置84はウエハWからの光学情報に基づいてアッシングが終了したことを検出し、この検出情報が制御装置81に出力される。制御装置81はこの情報を入力した際に、バルブ77,78及びマスフローコントローラ79,80に制御信号を出力して、処理容器40内に供給されるガスの組成及び流量をアッシング用からライトエッチング用に切り換える。
【0035】このような終点検出装置84を設ける代わりに、アッシングレートを予め求め、その値を制御装置81にプログラミングしておき、アッシング開始後、その値から計算した所定時間経過後、制御装置81からバルブ76〜78及びマスフローコントローラ79,80にガスの組成及び流量をアッシング用からライトエッチング用に切換えるように出力するようにしてもよい。
【0036】ここで、アッシング用のガスとしては、O2 を含むガスが用いられる。このようなガスとしてはO2 ガス単独であってもよいし、O2 ガスと不活性ガスとの混合ガスであってもよい。この場合に、O2 ガスは全体の50%以上の供給量であることが好ましい。不活性ガスとしてはN2ガスが好適である。
【0037】また、ライトエッチング用のガスとしては、ハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含むガスが用いられる。ハロゲン含有ガスとしては、F含有ガスが好ましく、例えばCF4 ガス、SF6 ガスなとが挙げられる。その中でもCを含むF系ガス例えばCF4 ガスが特に好ましい。他のハロゲン例えばCl,Brを含むガスを用いることもできる。ライトエッチング用ガスもアッシング用ガスと同様、不活性ガス例えばN2 ガスを含んでいてもよく、この場合に、ハロゲン含有ガスとO2ガスは全体の50%以上の供給量であることが好ましい。
【0038】一方、排気口40bには排気手段としての真空ポンプ48が接続されており、これにより処理容器40内を所定の真空度まで排気することができる。
【0039】上記のように構成されるエッチング設備を用いてウエハWのエッチング処理を行うに際しては、まず、搬送部9の多関節アームによって収納部8のウエハカセット8aから取出したウエハWをアライメント部10で位置合せ(オリエンテーションフラットの位置合せ)を行った後、処理部20の受け渡しステージ27に受け渡す。次に、第1のロードロック室23と第1の処理装置21内をほぼ同じ真空度、例えば1×10-3Torr以下になるように排気しておき、第1のロードロック室23のゲートバルブ28を開いて第1のロードロック室23から第1の処理装置21内にウエハWを搬入し、その後第1のロードロック室23と第1の処理装置21間のゲートバルブ28を閉じる。
【0040】そして、第1の処理装置21でのエッチング処理においては、まず、第1の処理装置21(処理容器1)内にエッチングガス、例えばCF4 +CHF3 +Arを供給すると共に、処理容器1内を所定の真空度、例えば300mTorr まで排気する。次いで、電極2,3間に高周波電力、例えば1300Wattを印加すると、処理容器1内にエッチングガスのプラズマが生成され、その中のイオンとラジカルにより、ウエハWの所定部分がエッチングされる。
【0041】ここで被処理体としては、エッチング工程の後、後処理としてアッシング及びライトエッチングを行う必要があるものであればこの発明が適用可能であるが、この発明はSi基板上にSiO2 などの酸化膜又はSi3 4 などの窒化膜が形成されたものに対して特に有効である。
【0042】ここでは、被処理体として、Si基板30の表面に酸化膜例えばSiO2 膜31が形成され、このSiO2 膜31上にフォトレジスト層32が形成されたウエハWのエッチング処理を例にとって示す。この場合のウエハWのエッチングパターンは、例えば図4(a)に示すように形成される。フォトレジスト層32は図4(a)に示すように、フォトエッチングされてマスクが形成され、マスクされていない部分がエッチングされてコントクトホールなどのエッチング孔33が形成される。
【0043】ここで、酸化膜(SiO2 膜)の厚さは、1〜2μm程度である。また、コンタクトホール孔径は、ウエハWが4Mの場合には0.4〜0.8μm程度であり、16Mの場合には0.2〜0.4μm程度である。
【0044】この場合に、上述したようにエッチングガスにF系及びF−H系のガス、例えばCF4 +CHF3 +Arの混合ガスを使用することにより、エッチング処理効率を高めることができると共に、微細加工が可能となるが、水素(H)の存在によってウエハ表面にエッチング処理の際にC−Hで生成されたポリマー34が付着すると共に、エッチング孔33の底部すなわちSi基板30の表面層に不純物が混入してタメージ層35を形成する。このポリマー34は、第2の処理装置22におけるアッシング処理時間の遅延(ラグタイム)をもたらすばかりか、エッチングの再現性を低下させる虞れがある。
【0045】そこで、この発明においては、上記エッチング処理を行なった後、第3のロードロック室25を介してウエハWを第2の処理装置22の処理容器40内に搬入し、アッシング処理及びライトエッチング処理を行なう。まず、処理容器40内を例えば1Torrの減圧状態にすると共に、処理容器40内のウエハ載置台41の温度をヒーター51により約250℃にする。そして、アッシング用の処理ガスとしてO2 ガスを3000Sccmの流量で供給すると共に、高周波電力、例えば700Wattを印加して処理ガスをプラズマ化することによって、図4(b)に示すように、C−Hで形成されるポリマー34とフォトレジスト層32を除去する。なお、このアッシング時間は2〜3分間が好ましい。また、処理容器40内の圧力は1〜3Torrの範囲が好ましい。
【0046】アッシング処理が実質的に終了後、処理ガスのみをライトエッチング用のガスであるCF4 とO2 の混合ガスに切換えて処理容器40内に供給し、このガスをプラズマ化し、このプラズマによりウエハWをライトエッチングする。これによって、図4(c)に示すように、エッチング孔33の底部に付着するダメージ層35が除去される。なお、このライトエッチング時間は1分30秒以内が好ましい。
【0047】上記のように、この発明ではエッチング処理されたウエハWを250℃の高温におき、アッシング用ガスとしてのO2 を含むガスをプラズマ化してウエハWに供給し、このプラズマによりフォトレジスト層32とポリマー34を除去した後、このアッシング工程と同じ高温下で、処理ガスをライトエッチング用のハロゲン含有ガスとO2 ガスとを含む混合ガス、例えばCF4 +O2 に切換え、このガスをプラズマ化してウエハWに供給し、これによりエッチング孔33の底部に付着したダメージ層35を除去する。すなわち、エッチング処理後のアッシング処理及びライトエッチング処理を同一の第2の処理装置22の処理容器40内で行なうことができ、しかもポリマー34とフォトレジスト層32を除去した後にダメージ層35を除去するので、処理時間の短縮化及び設備の小型化が図れる。また、このようにポリマー34とフォトレジスト層32を除去した後にダメージ層35を除去することにより、ダメージ層35を確実に除去することができる。
【0048】この発明を用いた場合と従来のアッシング処理を用いた場合とについて、ダメージ層除去でのSiO2 膜の横方向への削れ量(最初のエッチング後のエッチング孔の孔径−ライトエッチング後の孔径)をウエハWの中心位置、中間位置及びエッジ位置について測定したところ、従来のアッシング処理においては、中心及び中間位置が800オングストローム以下であったが、エッジ位置では1200オングストローム以上であった。これに対し、この発明の後処理方法では、中心、中間及びエッジの各位置において1000オングストローム以下でほぼ同程度であり、バラツキの少ない後処理を行うことができることが確認された。
【0049】また、アッシング工程でフォトレジスト層32とポリマー34を除去した後、雰囲気気圧:1Torr,電極間の高周波電力:80Watt,CF4 の流量490Sccm,O2 の流量:210Sccm,雰囲気温度:250℃の条件の下でライトエッチング処理を行ったところ、ウエハWの全域においてダメージ層35を確実に除去することができた。
【0050】なお、この発明においては、上記エッチング装置及びアッシング・ライトエッチング装置に限らず種々の装置を用いることが可能である。また、不活性ガスとしてN2 を用いたが、その他に希ガス例えばAr,Xe等も使用可能である。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば、エッチング工程により被処理体の表面に付着されたポリマー及びダメージ層をその後の後工程により短時間で有効に除去することができ、良好なエッチング再現性、高いスループット及び設備の小型化を図ることができる。




 

 


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