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発明の名称 半導体装置
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−232332
公開日 平成6年(1994)8月19日
出願番号 特願平5−19853
出願日 平成5年(1993)2月8日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男
発明者 厚綿 好則 / 金子 秀蔵
要約 目的
半導体チップのESD,LU耐量向上と半導体チップの小型,高集積化の実現を目的とする。

構成
この目的を達成する手段として、半導体チップ内で形成しているESD保護回路および、LU発生防止回路を使用せずに、インナーリード間および、インナーリードと半導体チップ間に、抵抗,インダクタンス,容量,ダイオードを用いて、ESD保護回路および、LU発生防止回路をインナーリードに構成する。
特許請求の範囲
【請求項1】半導体チップの電気信号を入出力するインナーリードに絶縁シートをはりつけ、この上部に抵抗,インダクタンス,容量,ダイオード等の部品を取り付けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項2】半導体チップの電気信号を入出力するインナーリードに絶縁シートをはりつけ、この上部に半導体チップを取り付けたことを特徴とする半導体装置。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、IC,LSIの静電破壊(ESD),ラッチアップ(LU)耐量等の電気的特性の向上を実現する有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の技術は、特願昭57−160002号に示すように、インナーリード間にテープ状の抵抗,容量を取り付けることによって、半導体チップ外に取り付ける外部接続部品数を減らすことを目的としたものである。従って、抵抗,容量のみでは、静電気ノイズを回避することは困難であろう。また、半導体チップ内のESD保護とLU発生防止に用いる電気回路素子である抵抗,容量を半導体チップ外に取り出すものではなく、半導体チップの小型化は実現できなかった。
【0003】さらに、現状のLSIのインナーリードでは、本構造に示す抵抗,容量等の部品取り付けは困難である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】半導体チップを製作するには、ESD保護回路,LU防止回路を半導体チップ内部に形成している。しかし、半導体チップ内部のみでは、ESD,LU耐量を向上させるのに限界があった。さらに、半導体チップの小型,高集積化を図る上でも、半導体チップのみで充分なESD保護回路および、LU発生防止回路を形成することは困難となっていた。このため、半導体チップのESDとLU耐量をより向上することが課題であった。
【0005】
【課題を解決するための手段】従来の半導体装置の半導体チップ内で形成しているESD保護回路および、LU発生防止回路を使用せずに、本発明の半導体装置によって、課題を解決したものである。
【0006】さらに、従来の半導体チップの内部に形成したESD保護回路および、LU発生防止回路と本発明を併用することによって、課題を解決したものである。
【0007】本発明の半導体装置の構造は、インナーリード上部にインナーリードが短絡しないように絶縁シートをはりつけ、この絶縁シート上に抵抗,インダクタンス,容量,ダイオード等の単体部品あるいは、ESD保護回路,LU発生防止回路を有する半導体チップを取付けることによって、ESD保護とLU発生防止等の特性改善を達成したものである。
【0008】
【作用】上記の手段によって製作した半導体装置のESD保護回路は、インナーリード上部の抵抗,ダイオード,インダクタンスによって、ESD保護回路を構成して達成できる。
【0009】さらに、半導体チップ内部にESD保護回路を有するものは、インナーリード上部の絶縁シート上の抵抗,ダイオード,インダクタンスによって構成されたESD保護回路とを併用することによって達成できる。
【0010】一方、LU発生防止についても、絶縁シート上の抵抗,ダイオード,インダクタンス等の部品でLU発生防止回路を構成して達成できる。
【0011】さらに、半導体チップ内部にLU発生防止回路を有するものは、インナーリード上部の抵抗,ダイオード,インダクタンス等の部品で構成されたLU発生防止回路を併用することによって達成できる。
【0012】
【実施例】以下、本発明の実施例を図1により説明する。図1に示すように、インナーリード5の表面に絶縁シート9を貼り、この絶縁シート9上に、抵抗1,インダクタンス2,容量3,ダイオード4の単体部品、あるいは、ESD保護回路,LU発生防止回路を有する半導体チップ10を取り付けて、ESD保護回路および、LU発生防止回路を構成する。
【0013】抵抗1,インダクタンス,容量3,ダイオード4,半導体チップ10の取り付けは、半導体装置の製造工程のインナーリード製作段階、あるいは、半導体チップ6とインナーリード5を接続するワイヤーボンディング工程において取り付けを行う。その後、抵抗1,インダクタンス2,容量3,ダイオード4の取り付け部品全体を樹脂8で封止する。
【0014】
【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、インナーリード製作段階、あるいは、半導体チップとインナーリードを接続するワイヤーボンディング工程において、抵抗,インダクタンス,容量,ダイオードの取り付けESD保護回路,LU発生防止回路をインナーリード上につくることによって、ESD,LU耐量向上を実現できる。さらに、インナーリード部および、インナーリード上にESD保護回路,LU発生防止回路を構成することは、半導体チップ内部にESD保護回路,LU発生防止回路を形成する必要がないため、半導体チップの小型,高集積化を実現できる。




 

 


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