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発明の名称 プラスチック封止形ダイオード
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−216287
公開日 平成6年(1994)8月5日
出願番号 特願平5−5702
出願日 平成5年(1993)1月18日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】筒井 大和
発明者 深沢 洋一 / 矢崎 芳広
要約 目的
プラスチック封止形ダイオードにあって、そのパッケージの薄型化を図る。

構成
半導体チップ1及びこれに接続される一対のリード8,9の端部をモールド材によって封止するプラスチック封止形ダイオードであって、リード8,9の各々の端面の面積を広くし、リード8,9の端部の弾性力を利用して半導体チップ1を前記端面に対して直接に接続する。
特許請求の範囲
【請求項1】 半導体チップ及びこれに接続される一対のリードまたはリードフレームの端部をモールド材によって封止するプラスチック封止形ダイオードであって、前記一対のリードまたはリードフレームの各々に対し前記半導体チップを直接的に接続することを特徴とするプラスチック封止形ダイオード。
【請求項2】 前記一対のリードまたはリードフレームの各々の接続側端が、前記半導体チップに対して弾性力を有することを特徴とする請求項1記載のプラスチック封止形ダイオード。
【請求項3】 前記一対のリードまたはリードフレームの各々の接続側端と半導体チップの電極との間に溶着金属を配設することを特徴とする請求項1記載のプラスチック封止形ダイオード。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はダイオードのリードとチップの接続技術、特に、面実装形でプラスチック封止構造のダイオードに用いて効果のある技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来のプラスチック封止形ダイオードを示す正面断面図である。ここに示すダイオードは小信号用であり、角形の外形を成すパッケージの両端からリード(またはリードフレーム)が突出した形状を有している。
【0003】半導体チップ1は下面全体に金メッキによる電極2が施され、上面の一部には金メッキによる電極3が形成され、その周辺部分は絶縁マスク3Aで覆われている。半導体チップ1はリード4上に熱共晶などの手段により接続されている。
【0004】このリード4の先端に対向させてリード5が同一直線上に配置され、リード5の先端と電極3との間にボンディングワイヤ6(金線)が接続されている。リード4,5の先端部及び半導体チップ1を覆うように樹脂モールド7が施される。
【0005】この後、リード4,5の露出部分をZ字形に折り曲げることでダイオードが完成する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれば、半導体チップと一方のリードとをボンディングワイヤで接続する従来のダイオード構造技術は、ボンディングワイヤが必須であるため、その分だけパッケージの厚みが増し、パッケージの薄型化に限界があるという問題がある。
【0007】そこで、本発明の目的は、パッケージの薄型化を図ることが可能な技術を提供することにある。
【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【0010】すなわち、半導体チップ及びこれに接続される一対のリードまたはリードフレームの端部をモールド材によって封止するプラスチック封止形ダイオードであって、前記一対のリードまたはリードフレームの各々に対し前記半導体チップを直接的に接続するようにしている。
【0011】
【作用】上記した手段によれば、半導体チップの電極がリードに対して直接に接続され、ボンディングワイヤを用いることなく接続される。したがって、ボンディングワイヤのために取られていた高さ分についてパッケージを薄くすることができる。また、ワイヤボンディングの工程を無くすることができるため、工数低減を図ることができる。
【0012】
【実施例1】図1は本発明によるプラスチック封止形ダイオードの第1実施例を示す断面図である。
【0013】なお、本実施例において前記従来例と同様ないし対応する部分には同一の符号を付して説明を省略する。
【0014】すなわち、本実施例では、リード8とリード9の各先端は長さ方向に対して角度を有するように加工(先端部を斜めに切断)され、その先端面間は半導体チップ1の厚み相当の距離をもって対向配置されている。半導体チップ1は図1に示した構造のものを用いており、この半導体チップ1をリード8,9の先端面間で挟持する形で接続する。
【0015】具体的には1本のリードを中間で斜めに切断し、この切断部分を先端相互が離間するように押し広げ(半導体チップ1の厚み以下の幅)、ついでリード8,9の先端間に半導体チップ1を介在させる。これにより、リード8,9の先端間に生じているスプリング作用により半導体チップ1が挟持される。このとき、リード8,9に銅のような熱膨張係数の大きな金属を用い、モールド材10とリード8,9及び半導体チップ1との間の熱膨張係数の違いにより、リード8,9と半導体チップ1とが圧接により接続される。
【0016】このような構成により、ボンディングワイヤを用いることなく半導体チップ1とリードとを接続することができ、ボンディングワイヤの高さ分だけ樹脂モールド7の厚みを薄くすることができる。
【0017】
【実施例2】図2は本発明によるプラスチック封止形ダイオードの第2実施例を示す断面図である。
【0018】図1の実施例においては、1本のリードの途中を斜めにカットするものとしたが、図2に示すように薄手のリード11,12を用い、その各々の先端部をJ字形に曲げ、その対向面間に半導体チップ1を配して各リードに接続するようにしてもよい。接続に際しては、リード自身のばね効果は得られないので、治具を用いて圧力を加えて接続するか、或いは他の接続手段を用いて接続する。
【0019】この実施例による効果は、前記実施例と同一であるので、ここでは重複する説明は省略する。
【0020】
【実施例3】図3は本発明によるプラスチック封止形ダイオードの第3実施例を示す断面図である。
【0021】本実施例は、図1の実施例において、半導体チップ1とリードとの間の接続強度を向上させたもので、リード8,9の各々と半導体チップ1との接続面に予め溶着金属13を施しておき、その溶着により接続を行うものである。溶着金属13には、リード8,9よりも低熱で溶ける材料が用いられる。
【0022】
【実施例4】図4は本発明によるプラスチック封止形ダイオードの第4実施例を示す断面図である。
【0023】本実施例は、前記各実施例がリードを本来の用途のみに用いていたのに対し、リードを放熱器に兼用するようにしたところに特徴がある。この場合のリード14a,14bは、接続面に対する断面積が広いほど放熱効果が期待できる。
【0024】リード14a,14bの各端面は、その長さ方向に対し直角に切断され、この端面に半導体チップ1が接続される。このとき、モールド材10、リード14a,14b及び半導体チップ1のモールド時の熱膨張係数の違いにより、リード14a,14bと半導体チップ1とが圧接され、接続を確実にする。
【0025】以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0026】例えば、前記実施例においては、リードに角形の断面形状を有するものを用いたが、丸形断面を有するリードを用い、その先端部を潰して接続面を形成してもよい。また、図5に示すように、リードの端部を蛇行させて圧接効果が顕著に生じる構成にしてもよい。
【0027】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
【0028】すなわち、半導体チップ及びこれに接続される一対のリードまたはリードフレームの端部をモールド材によって封止するプラスチック封止形ダイオードであって、前記一対のリードまたはリードフレームの各々に対し前記半導体チップを直接的に接続するようにしたので、パッケージの薄形化及び工数低減を図ることが可能になる。




 

 


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