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半導体装置のトランスファモールド方法 - 株式会社日立製作所
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発明の名称 半導体装置のトランスファモールド方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−216174
公開日 平成6年(1994)8月5日
出願番号 特願平5−4688
出願日 平成5年(1993)1月14日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男
発明者 石津 昭夫 / 荒井 徳長
要約 目的
簡単な金型でハイブリッドICのトランスファモールドを行う。また、簡単な金型でハイブリッドICの複数又は両面を同時にトランスファモールドを行う。

構成
ハイブリッドIC等の半導体装置のトランスモールド方法において、基板のシール領域内(又は外)に1箇以上の穴をあけ、シール面と反対側の面にモールドレジンを導いた後、前記穴よりシール部にレジンを導く半導体装置のトランスモールド方法である。また、金型のキャビティ(シール部:封止部)を基板6の複数箇所又は両面に設けた簡単な金型で複数のシール面又は基の表裏板両面のシール面を同時にトランスモールドする方法である。
特許請求の範囲
【請求項1】 ハイブリッドIC等の半導体装置のトランスモールド方法において、基板のシール(封止)する領域内に1箇以上の穴をあけ、シール面と反対の面にモールドレジンを導いた後、前記穴よりシール部にレジンを導くことを特徴とする半導体装置のトランスファモールド方法。
【請求項2】 複数のシール面を同時にトランスファモールドすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置のトランスファモールド方法。
【請求項3】 ハイブリッドIC等の半導体装置のトランスファモールド方法において、基板のシール(封止)する領域外に1箇以上の穴をあけ、シール面と反対の面にモールドレジンを導いた後、前記穴よりシール部にレジンを導くことを特徴とする半導体装置のトランスファモールド方法。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ハイブリッドIC等の半導体装置のトランスファモールド方法に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のシール対象品でレジン注入口経路が設けられないハイブリッドICの平面図を図7に示す。図7において、基板2のシール(封止:キャビティ)部3にレジン6を導くために、基板2の周辺より経路を設けたいが、周辺には電子部品4や外部通信端子5があり、そこには設けることができない。このため、このトランスファモールドを行うには、図8に示すモールド金型構造を採用している。図8に示すモールド金型は、下型11、レジン注入口12を有するキャビティブロック13、上型14、レジン供給ポット15、レジンを圧入するプランジャー16(装置に属する)で構成されている。図8において、ハイブリッドIC1を下型11にセットし、キャビティブロック13を介在して上型14を密着加圧した後、レジンタブレット(図示していない。注入レジンの未硬化状態のもの)をレジン供給ポット15に投入し、プランジャー16でレジンを加圧しながら、レジン注入口12からシール部3にレジン6を供給する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来技術を検討した結果、以下の問題点を見い出した。
【0004】前記上型14及びキャビティブロック12に残ったレジン6を取り除くために、上型14とキャビティブロック12を分離する機構、例えばバネ13Aのような機構が必要になる。さらに、多数個のハイブリッドIC(対象品)1を同時にシールしたい場合には、金型構造がかなり複雑となる。また、従来技術においては、基板2の片面しかシールすることができない。
【0005】本発明の目的は、簡単な金型でハイブリッドICのトランスファモールドを行うことが可能な技術を提供することにある。
【0006】本発明の他の目的は、簡単な金型でハイブリッドICの複数又は両面を同時にトランスファモールドを行うことが可能な技術を提供することにある。
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0009】(1)ハイブリッドIC等の半導体装置のトランスファモールド方法において、基板のシール(封止)する領域(シール面積)内に1箇以上の穴をあけ、シール面(表面又は裏面)と反対の面(裏面又は表面)にモールドレジンを導いた後、前記穴よりシール部(封止部)にレジンを導く半導体装置のトランスモールド方法である。また、複数のシール面を同時にトランスファモールドする。
【0010】(2)ハイブリッドIC等の半導体装置のトランスファモールド方法において、基板のシールする領域(シール面積)外に1箇以上の穴をあけ、シール面と逆面にモールドレジンを導いた後、前記穴よりシール部にレジンを導く半導体装置のトランスファモールド方法である。
【0011】
【作用】上述した手段によれば、基板のシールする領域(シール面積)内又は外に1箇以上の穴をあけ、シール面と反対側の面にモールドレジンを導いた後、前記穴よりシール部にレジンを導くので、簡単な金型でハイブリッドICのトランスファモールドを行うことができる。
【0012】また、簡単な金型でハイブリッドICの複数又は両面を同時にトランスファモールドを行うことができる。
【0013】以下、本発明の構成について、実施例とともに説明する。
【0014】なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【0015】
【実施例】(実施例1)図1は、本発明の実施例1のハイブリッドICのトランスファモールド方法を説明するためのハイブリッドICの平面図、図2は、本実施例1のトランスファモールド方法に用いる金型の断面図である。
【0016】図1及び図2において、1はハイブリッドIC(半導体装置)、2は基板(対象品)、3はシール部(封止部:金型のキャビティ)、4は電子部品、5は外部通信端子、6はレジン、11は下型、14は上型、15はレジン供給ポット、16はプランジャー(装置に属する)、17はランナー部、18は基板2のシール領域(シール面積)内に設けられたレジン注入穴である。
【0017】本実施例1のハイブリッドICのトランスファモールド方法は、図1及び図2に示すように、複数枚の基板2のシール部3にレジン6を同時に注入するトランスファモールド法である。金型は、基板2をセットする下型11、シール部3に対応したキャビティを有する上型14、レジンタブレットが投入されるレジン供給ポット15で構成される。このレジン供給ポット15にはレジンタブレットを加圧するプランジャ16が挿入される。
【0018】次に、基板2がセットされているシール(キャビティ:封止部)3にレジン6を供給する方法について説明する。まず、下型11と上型14とが離れた状態で、ハイブリットIC1の基板2を下型11にセットする。次に、下型11と上型14とを密着加圧し、レジン供給ポット15に投入されたレジンタブレットをプランジャー16で加圧する。この際、レジンタブレット及び金型は加熱されているので、レジンタブレットは流動性を示し、ランナー部17及びレジン注入穴18を通り抜けてシール部3にレジン6が供給され、ハイブリッドIC1の目的部をモールドする。この後、レジン6を硬化させるため、この状態を数十秒間維持してから下型11と上型14とを離す。この時、図3に示した状態で、ランナー部17のレジン6及びレジン供給ポット15のレジン(レジンカル)6を付けた一体品として基板2が取り出される。この状態からランナー部17のレジン6及びレジン供給ポット15のレジン6を分離することにより、基板2のシール部3がモールドされたハイブリッドIC1が完成する。
【0019】(実施例2)図4は、本発明の実施例2のハイブリッドICのトランスファモールド方法を説明するためのハイブリッドICの平面図、図5は、本実施例2のトランスファモールド方法で製造されたランナー部のレジンを付けたままの基板を示す断面図である。
【0020】本発明の実施例2のハイブリッドICのトランスファモールド方法は、図4及び図5に示すように、前記基板2上のシール領域(シール面積)外にレジン注入穴18をあけ、実施例1と同様の方法でレジンをモールドする方法である。
【0021】以上の説明からわかるように、前記実施例1又は2によれば、基板2上のシール領域(シール面積)内(又は外)に1箇以上のレジン注入穴18をあけ、シール面と反対側の面にモールドレジンを導いた後、前記レジン注入穴18よりシール部(キャビティ)3にレジン6を導くので、簡単な金型でハイブリッドIC1のトランスファモールドすることができる。
【0022】(実施例3)図6は、本発明の実施例3のトランスファモールド方法で製造されたランナー部のレジンを付けたままの基板を示す断面図である。
【0023】本発明の実施例3のハイブリッドICのトランスファモールド方法は、金型のキャビティ(シール部:封止部)3を基板2の両面に設けて、実施例1と同様の方法でレジン6をモールドし、図6に示すように、基板2の両面のシール面を同時にトランスファモールドする方法である。
【0024】このようにすることにより、簡単な金型でハイブリッドIC1の基板2の両面のシール面を同時にトランスファモールドすることができる。
【0025】以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【0026】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0027】すなわち、ハイブリッドIC等の半導体装置の基板に、その上のシールされる領域(シール面積)内(又は外)に1箇以上の穴をあけ、基板のシール面(表面又は裏面)と逆の面(裏面又は表面)にモールドレジンを導いた後、前記穴よりシール部(金型のキャビティ)にレジンを導くので、簡単な金型でハイブリッドICのトランスファモールドを行うことができる。
【0028】また、金型のキャビティ(シール部:封止部)を基板6の複数箇所又は両面に設けた簡単な金型でハイブリッドICの基板の複数のシール面又は表裏両面シール面を同時にトランスファモールドを行うことができる。




 

 


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