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発明の名称 半導体装置等における捩じれ多層配線の形成法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−132622
公開日 平成6年(1994)5月13日
出願番号 特願平4−281372
出願日 平成4年(1992)10月20日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男
発明者 中田 健介 / 三島木 宏光
要約 目的


構成
半導体装置等における多層配線において、一局集中ないしはインラインでレイアウトされた層間連絡孔1を通して上層の配線2と下層の配線3が上下層間で互いに捩じれあったツィスト配線とすることを特徴とする半導体装置等における多層配線の形成法。
特許請求の範囲
【請求項1】 半導体装置等における多層配線において、一局集中ないしはインラインでレイアウトされた層間連絡孔を通して上層の配線と下層の配線が上下層間で互いに捩じれあうように構成したツィスト配線となすことを特徴とする半導体装置等における捩じれ多層配線の形成法。
【請求項2】 上層の配線および/または下層の配線がクランク状に構成された、請求項1に記載の多層配線の形成法。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置、厚膜多層配線基板、プリント基板等における多層配線の形成法に関し、特に、電磁誘導雑音の影響を受けにくい多層配線構造の形成技術に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体装置等の多層配線においては、複数配線が同一平面上で並行になるという配線の構成をとっている。このため、電磁誘導による雑音信号が重畳しやすいという欠点をもっている。尚、電磁誘導による雑音を除去するのに、2本の電線を拠り合わせて配線すればよいことが、日刊工業新聞社昭和58年11月1日発行伊藤健一著「アースと雑音」P52〜53に記載され、また、オーディオ分野でもそれによる対策が行われているが、半導体装置等の多層配線においてはどのような形でそれを実施すれば良いのかは明らかでない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は、かかる問題点に対しての解決策を提供し、電磁誘導雑音の影響をうけにくい多層配線構造を提供することを目的としたものである。本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【0004】
【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。本発明では、かかる半導体装置等における多層配線において、一局集中ないしはインラインでレイアウトされた層間連絡孔を通して上層の配線と下層の配線が上下層間で互いに捩じれあうように構成したツィスト配線となすようにしたものである。
【0005】
【作用】上記手段に示すようなツィスト配線となすことにより、うず電流を閉鎖し、電磁誘導雑音発生の原因となる起電力を生じないので、その結果、S/N比が改善され、浮遊容量の増加が少なく抑えられ、上下配線のインライン化が可能になって配線の高密度化に対応できる、などの効果を奏することができる。
【0006】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
実施例1.図1(A)は、本発明の実施例を示す一局集中形の層間連絡孔を使用した多層配線の鳥瞰図形の透視図の一例要部構成図である。また、図1(B)は、同多層配線の電流の流れを示す説明図である。図1(A)にて、1は層間連絡孔、2は上層配線、3は下層配線、4は層間絶縁層である。層間絶縁層4を介して、上層配線2と下層配線3とが配設されている。かかる多層配線において、上層配線2から下層配線3にかけて、上下方向にマスク等を使用して切断を行い、かつ、図1(A)に示すように、図示横方向断面形状が三角形の層間連絡孔1を層間絶縁層4に形成する。当該層間連絡孔1には、ニッケルメッキ等により、上層配線2と下層配線3を電気的に接続する導電体を形成する。図示ハッチングは、層間連絡孔とともに当該導電体をも示している。図示のように、上層配線2の左端A配線は、下層配線3の中央A配線に、さらに、該下層配線3の中央A配線は、上層配線2の右端A配線に、各層間連絡孔1を通して、それぞれ導通している。また、下層配線3の左端B配線は、上層配線2の中央B配線に、さらに、該上層配線2の中央のB配線は、下層配線3の右端B配線に、各層間連絡孔1を通して、それぞれ導通している。すなわち、上層配線2の左端A配線は、その右先端部と下層配線3の中央A配線の左先端部との間に設けられた層間連絡孔1を通して、当該下層配線3の中央A配線と導通し、さらに、該下層配線3の中央A配線は、その右下先端部と上層配線2の右端A配線の左下先端部との間に設けられた層間連絡孔1を通して、当該上層配線2の右端A配線と導通している。同様に、下層配線3の左端B配線は、上層配線2の中央B配線に、さらに、該上層配線2の中央のB配線は、下層配線3の右端B配線に、各配線の所定位置に設けられたそれぞれの層間連絡孔1を通して、それぞれ導通している。上述のように、また、図1(B)にも示すように、上層配線2および下層配線3は、上下層間で互いに捩じれあうようなツィスト配線に構成されており、図1(B)において矢標で示すように、電流が流れるようになっている。
【0007】実施例2.図2に本発明の他の実施例を示す。この実施例は、インライン形の層間連絡孔とクランク形の配線を使用した例を示す。図示のように、クランク形上層配線5の左端A配線は、下層配線6の中央A配線に、さらに、該下層配線6の中央A配線は、クランク形上層配線5の右端A配線に、それぞれの層間連絡孔1を通して、導通している。また、下層配線6の左端B配線は、クランク形上層配線5の中央B配線に、さらに、該クランク形上層配線5の中央のB配線は、下層配線6の右端B配線に、各丸形層間連絡孔1を通して、それぞれ導通している。これら丸形層間連絡孔1は、図示のように、一列に並んだ形のインライン形に配設されている。そして、この場合も、クランク形の上層配線5および下層配線6は、上下層間で互いに捩じれあうようなツィスト配線に構成されており、前記実施例と同様の形態で電流が流れるようになっている。
【0008】上記実施例に示すように、一局集中形あるいはインライン形の各層間連絡孔1を通して、上層配線2、5および下層配線3、6を導通し、当該上層配線2、5および下層配線3、6を、上下層間で互いに捩じれあうようなツィスト配線となすことにより、図1(B)に示すように、その内部で、うず電流を閉鎖することができ、電磁誘導雑音発生の原因となる起電力を生じないので、その結果、S/N比が改善され、また、層間絶縁層4を工夫することにより浮遊容量の増加が少なく抑えられ、さらに、上層配線2、5および下層配線3、6のインライン化が可能になって配線の高密度化に対応できる。
【0009】以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとずき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、前記実施例では、層間連絡孔1として、三角形および丸形に構成された例を示したが、正方形あるいは矩形等であってもよい。以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である二層構造の配線に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、二層以上の多層構造に適用してもよい【0010】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。すなわち、本発明によれば、SN比が改善され、浮遊容量の増加が少なく抑えられ、上下配線のインライン化が可能になって、配線の高密度化に対応できる。




 

 


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