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発明の名称 半導体装置の製造方法および装置
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−132266
公開日 平成6年(1994)5月13日
出願番号 特願平4−276983
出願日 平成4年(1992)10月15日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男
発明者 川澄 建一 / 山口 純男 / 恒川 助芳
要約 目的


構成
被処理物1の保持を周辺の数点で行い、被処理物1の両面に紫外線,反応ガスを供給するようにする。
特許請求の範囲
【請求項1】被処理物の表裏面に紫外線と反応ガスを同時に供給する工程を持つことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項2】被処理物の周辺を数点で重金属を含まない治具で保持し、前記治具が紫外線を透過する回転可能な第一の板に設置されていて反応ガスの一部を前記被処理物と前記第一の板の間に供給し、前記紫外線を透過する第一の板の被処理物と反対側に紫外線を供給する放射源と必要に応じて加熱源を設置し、前記被処理物の上記とは反対の面に対向して紫外線を透過する第二の板を配置し前記第二の板には、反応ガスを供給する配管が設置されていて、前記第二の板の前記被処理物と反対側に紫外線を供給する放射源と必要に応じて加熱源を配置し、前記被処理物の表裏面に紫外線と反応ガスを同時に供給する手段を持つことを特徴とする半導体装置の製造装置。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法および装置に係り、特に半導体基板上の有機物の灰化除去や表裏面洗浄,保護膜の形成,改質等に好適な方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来は、被処理物の表面の洗浄,改質に主眼をおいて処理中の被処理物の裏面は、ステージに真空吸着させていたので被処理物裏面の洗浄を同時に行うことはできなかった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】集積度が高くなった超LSIの製造に於いては被処理物の裏面への異物の付着汚染が素子の特性に影響するようになり、製造過程における被処理物の裏面への異物付着を極力減少させる必要性が生じてきた。
【0004】
【課題を解決するための手段】処理中の被処理物の保持を周辺の数点のみとし、紫外線および反応ガスを被処理物の表裏両面に供給する。また、必要に応じて加熱源として紫外線放射源と加熱放射源の両方を併用する。
【0005】
【作用】被処理物は、その周辺を数点で保持されているので裏面への異物の付着が極力減少し、しかも周辺のみとなるので素子への特性の影響が殆んど無くなる。
【0006】被処理物の表裏面に同時に紫外線および反応ガスのが供給されるので被処理物の両面の洗浄,改質ができる。
【0007】
【実施例】図1に、本発明の一実施に係る要部の説明図を示し、本図について本発明を詳細に説明する。
【0008】被処理物1は、その周辺を数点で重金属を含有しない石英,SiN,サファイア,ダイアモンド同等品等からなる保持治具2によって保持する。保持治具2は紫外線を透過する石英,サファイア等からなる板3に固定されており、被処理物1と板3との間隔を数mmとし板3は上下,回転可能である。板3と被処理物1との間にオゾン,チッソ酸化物,水蒸気,アルコール類等の反応ガスをノズル8から供給する。板3の被処理物1と反対側には、紫外線,熱源の放射源9を配置する。
【0009】さらに、被処理物1の板3とは反対側に紫外線を透過し反応ガスを供給する配管6を備えた板7を配置し、板7の被処理物1の反対側に紫外線,熱源の放射源4を配置する。
【0010】被処理物1の保持治具2への載置は、周辺を保持する搬送アーム(図示しない)によって開閉窓12より行う。搬送アームと保持治具2との間での移載はアームまたは板3の上下によって行う。被処理物1を保持治具2に移載した後搬送アームを引き出し、開閉窓12を閉じて、板3を上昇させ被処理物1と板7との間隔を数mm以下(好ましくは、0.5mm以下)にして回転させる。同時に反応ガスを配管6およびノズル8より被処理物1の表裏両面に紫外線とともに供給する。
【0011】ノズル8は回転に邪魔にならない位置に一個以上配置する(好ましくは2本程度で供給ガスがぶつかりあわない方向に配置する)。また配管6は、被処理物1の回転中心を避けて同一回転半径上に無い位置に複数(2〜3)個配置することが好ましい。
【0012】ノズル8,配管6は紫外線,反応ガスの影響によって不純物を溶出しない材料が選ばれなければならない(好ましくは高純度の石英)。
【0013】供給ガスは、排気管11によって排出し残留有害ガスを処理する。
【0014】被処理物1の加熱は、必要に応じて熱放射源(たとえば赤外放射ランプ)を紫外線放射源と並列配置し出力制御することによって行う。
【0015】
【発明の効果】被処理物の保持をその周辺で数点のみとすることにより被処理物に異物の付着を大幅に減少させることができる。また、被処理物の両面に紫外線,反応ガスを供給するので両面の処理が同時にできる。




 

 


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