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発明の名称 イオンビーム加工装置
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−132187
公開日 平成6年(1994)5月13日
出願番号 特願平4−284171
出願日 平成4年(1992)10月22日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男
発明者 岩田 浩二 / 川上 恵
要約 目的
本発明の目的は、マスク等の微細な回路パターンを有する被加工物について0.5μ以下の分解能をもって0.5μ以下の微細な加工を行うことを可能としたイオンビーム加工装置を提供することにある。

構成
図1のイオンビーム加工装置において、SIM観察装置9上に1個の低倍像と複数の高倍像を表示し、これらのSIM像上で修正個所を限定できるイオンビーム加工装置。
特許請求の範囲
【請求項1】試料面を走査照射するイオンビーム照射系と、ビーム照射時に試料から放出される2次電子を捕える検出器と、前述の検出器の出力を表示する像表示装置からなり、試料の修正個所の限定手段として前述の像表示装置上に表示されるSIM像を用いることを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項2】請求項1において、像表示装置上に表示するSIM像として修正個所に関する1個の低倍像と複数の高倍像を同時に表示して、修正個所の限定を行うことを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項3】請求項1において、修正個所を0.1μ 以下の領域で限定可能とすることを特徴とするイオンビーム加工装置。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マスク等の微細な加工パターンを有する被加工物をイオンビームによって修正加工するイオンビーム加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の実施例を図3に示す。図3はレーザーによるマスクの欠陥の修正装置で、レーザー発信器19から出たレーザービーム20はミラー21により反射され、アパーチャー22を介して半透過ミラー23を透過した後、レンズ24により集光され、微動載物台25の上に設置されたマスク試料26の欠陥個所27に照射されてこれを除去する。
【0003】ここで欠陥の位置出しについては、照明ランプ28,コンデンサレンズ29,ハーフミラー30からなる照明光学系により、マスク試料26の表面を照射し、接眼レンズ31,32の視野の中に欠陥個所が入るように観察しながら、微動載物台25を移動させて行う。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、マスクの欠陥を光学的な方法で行っているため、光の回折限界以下の分解能を得ることは不可能であり、実用的な分解能は0.5μ が限界である。また、欠陥の除去修正にレーザービームを用いているためレーザービームの集光限界以下で除去修正を行うことは困難であり、実用的な除去修正精度は0.5μである。以上のように、上記従来技術では0.5μ以下の欠陥検出及び修正は不可能であるという問題点があった。
【0005】本発明の目的は、微細な回路パターンを有する被加工物について0.5μ 以下の分解能をもって0.5μ 以下の微細な加工を行うことを可能としたイオンビーム加工装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、試料面を走査照射するイオンビーム照射系と、ビーム照射時に試料から放出される2次電子を捕える検出器と、前述の検出器の出力を表示する像表示装置からなり、試料の修正個所の限定手段として前述の像表示装置上に表示されるSIM像を用い、かつ、像表示装置上に表示するSIM像として修正個所に関する1個の低倍像と複数の高倍像を同時に表示して、修正個所を0.1μ 以下の領域で限定可能とすることを特徴とするイオンビーム加工装置である。
【0007】
【作用】上記構成により、微細な回路パターンに対して微細な修正作業を正確に行うことが可能である。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1および図2により説明する。
【0009】図1において、液体金属イオン源1に電流を流して加熱した状態で引き出し電極2に高圧を印加するとイオンビーム3が引き出される。引き出されたイオンビーム3はコンデンサレンズ4で絞られた後、アパーチャー5によりその中央部分のみ通過し、ブランキング電極10,ブランキングアパーチャー11,偏向電極12,13を通り、対物レンズ6により試料7上に収束される。
【0010】試料7にイオンビーム3が照射されたとき、試料7から放出される2次電子は検出器8で検出し、その出力をSIM観察装置9に出力するようになっている。前記ブランキング電極10は、極めて速い速度でイオンビーム3を走査し、ブランキングアパーチャー11の外側に外し、試料7の表面へのイオンビーム3の照射を高速で停止させる。
【0011】前記偏向電極12,13は制御装置14に接続され、一定のパターンに従ってイオンビーム3を走査するようになっている。
【0012】前記制御装置14と検出器8はSIM観察装置9に接続されている。このSIM観察装置9は制御装置14からイオンビーム3のX,Y方向の偏向量に関する信号を受け、かつこれと同期させて検出器8の信号を受けることにより、試料7の各点における2次電子放出能に応じた試料の像(SIM像)を得るという機能によって試料の拡大観察が行えるように構成されている。
【0013】図2は、前記SIM観察装置9にSIM像を表示したところを示したものである。ここで15は数μ〜数十μの欠陥の全体を捕えた低倍像で、16,17は低倍像15中の破線で示した個所を各々拡大した高倍像である。
【0014】図2において、修正個所の限定を行うには、SIM像上のカーソル18を移動させて位置の指定を行うようにすればよい。ただし、低倍像15では表示像の分解能の関係から0.1μ 以下の精度での位置指定は困難である。そこで、高倍像16,17を用いて位置指定を修正することにより0.1μ 以下の精度での位置指定が可能となる。そして、ここで指定した位置情報はSIM観察装置9から制御装置14に送信し、偏向電極12,13によりイオンビーム3を走査して欠陥個所の除去を行う。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、数μ〜数十μの欠陥に対しても0.1μ 以下の精度で修正個所を限定して修正することが可能であり、その結果、微細な回路パターンに対して微細な修正作業を正確に行うことが可能である。




 

 


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