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発明の名称 半導体集積回路装置
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−97360
公開日 平成6年(1994)4月8日
出願番号 特願平4−246190
出願日 平成4年(1992)9月16日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男
発明者 中村 正行 / 大嶋 一義 / 大鳥 浩
要約 目的
リード・オン・チップ(LOC)構造の樹脂封止形LSIパッケージに封止される半導体チップの小型化、多機能化を図る。

構成
LSIパッケージに封止された半導体チップの主面の中央には、半導体チップの長辺方向に沿って延在する絶縁テープ9が設けられている。この絶縁テープ9の主面上には、Cuなどからなる所定数の配線10がパターン形成されており、これらの配線10と半導体チップのボンディングパッド5とは、ワイヤ8を介して電気的に接続されている。
特許請求の範囲
【請求項1】 パッケージ本体に封止された半導体チップの主面上に絶縁テープを介してリードを配置し、前記リードと前記半導体チップとをワイヤで接続したリード・オン・チップ構造の樹脂封止形LSIパッケージを有する半導体集積回路装置であって、前記半導体チップの主面上に配線層を備えた第2の絶縁テープを設け、前記第2の絶縁テープの配線と前記半導体チップとを電気的に接続したことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項2】 前記第2の絶縁テープの配線と前記半導体チップとをボンディングワイヤまたはバンプ電極を介して電気的に接続したことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、リード・オン・チップ(Lead On Chip;LOC)構造の樹脂封止形LSIパッケージに適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】リード・オン・チップ構造の樹脂封止形LSIパッケージについては、特開平4−114438号公報などに記載がある。
【0003】上記公報に記載されたLSIパッケージは、SOJ(Small Outline J-lead Package)型のパッケージ本体に封止された半導体チップの主面上に絶縁テープを介してリードのインナーリード部を配置し、このインナーリード部と半導体チップのボンディングパッドとをワイヤを介して接続している。
【0004】また、上記リードとは別に、電源〔VCC〕用および接地〔VSS〕用のリードであるバスバーリードを半導体チップの主面上に延在し、このバスバーリードと半導体チップのボンディングパッドとをワイヤを介して接続している。
【0005】上記バスバーリードを有するリード・オン・チップ構造のLSIパッケージは、半導体チップの主面上のどの箇所にも短距離で電源を供給することができるので、電源ノイズが低減され、回路の高速動作を実現することができるという利点がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術は、LSIの高集積化に伴って半導体チップ内の配線領域が増大し、これによってチップ面積が増大するという問題があった。
【0007】また、前記従来技術において、LSIの機能を変更しようとする場合は、半導体チップ内の配線パターンを変更しなければならないため、機能の異なるLSI毎に半導体チップを作り分ける必要があった。
【0008】そこで、本発明の目的は、リード・オン・チップ構造のLSIパッケージに封止される半導体チップを小型化することのできる技術を提供することにある。
【0009】本発明の他の目的は、リード・オン・チップ構造のLSIパッケージに封止される半導体チップを多機能化することのできる技術を提供することにある。
【0010】本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下の通りである。
【0012】本発明によるリード・オン・チップ構造のLSIパッケージは、パッケージ本体に封止された半導体チップの主面上に配線層を備えた絶縁テープを設け、この絶縁テープの配線と半導体チップとを電気的に接続した構造を有している。
【0013】
【作用】上記した手段によれば、半導体チップ内の配線の一部を絶縁テープの配線で代替させることにより、半導体チップ内の配線領域の面積を縮小することができるので、半導体チップを小型化することができる。また、チップ面積が同一の場合は、半導体チップに形成されるLSIの集積度を向上させることができる。
【0014】上記した手段によれば、絶縁テープの配線パターンを変更することによってLSIの機能を変更することができるので、同一の半導体チップで異なる機能のLSIを提供することができる。
【0015】
【実施例】図1は、本発明の一実施例であるLSIパッケージに封止された半導体チップの主面の一部を拡大して示す平面図、図2は、このLSIパッケージの一部を破断して示す斜視図である。
【0016】図2に示すように、本実施例のLSIパッケージ1は、樹脂封止形パッケージの一種のSOJであり、例えば400〔mil〕幅のパッケージサイズを有している。
【0017】LSIパッケージ1のパッケージ本体2は、例えばシリコーンフィラーを添加したエポキシ系樹脂からなり、その内部にはシリコン単結晶からなる半導体チップ3が封止されている。この半導体チップ3の主面には、例えば16メガビット〔Mbit〕の大容量を有するDRAMが形成されている。半導体チップ3の主面の短辺側には、チップ支持用リード6Cが設けられている。
【0018】上記半導体チップ3の主面上には、絶縁テープ4が接着されている。この絶縁テープ4は、例えばポリイミド系樹脂からなり、エポキシ樹脂系またはポリイミド樹脂系の接着剤によって半導体チップ3に接着されている。
【0019】半導体チップ3の主面の中央部には、半導体チップ3の長辺方向に沿って複数のボンディングパッド5が設けられている。また、絶縁フィルム4の上には、半導体チップ3の長辺方向に沿ってリードのインナーリード部6Aが配置されている。インナーリード部6Aは、パッケージ本体2の長辺の側面から外方に延在するアウターリード部6Bと一体に構成されている。
【0020】上記リードのアウターリード部6B、インナーリード部6Aおよび前記チップ支持用リード6Cのそれぞれは、リードフレームから切断され、かつ成形されている。リードフレームは、例えば42アロイなどのFe−Ni合金、またはCuで構成されており、その板厚は200〜250μm程度である。
【0021】上記リードのそれぞれには、規格に基づき所定の番号が付されている。本実施例のLSIパッケージ1は、例えば24本のリードを有し、パッケージ本体2の手前の左端から右端に沿って1番端子〜6番端子、9番端子〜14番端子が配置され、パッケージ本体2の向こう側の右端から左端に沿って15番端子〜20番端子、23番端子〜28番端子が配置されている。
【0022】上記24本の端子のうち、パッケージ本体2の手前の1番端子および14番端子は電源〔VCC〕用端子であり、パッケージ本体2の向こう側の15番端子および28番端子は接地〔VSS〕用端子である。
【0023】なお、2番端子はデータ入力信号端子、3番端子は空き端子、4番端子はライトイネーブル信号端子、5番端子はロウアドレスストローブ信号端子、6番端子、9〜13番端子、16〜20番端子および23番端子はアドレス信号端子、24番端子は空き端子、25番端子はカラムアドレスストローブ信号端子、26番端子は空き端子、27番端子はデータ出力端子である。
【0024】上記24本の端子のうち、電源〔VCC〕用端子である1番端子および14番端子は、図の手前の絶縁フィルム4上に配置したバスバーリード7を介して一体に構成されている。また、接地〔VSS〕用端子である15番端子および28番端子は、パッケージ本体2の向こう側の絶縁フィルム4上に配置したバスバーリード7を介して一体に構成されている。
【0025】電源〔VCC〕用端子を構成するバスバーリード7および接地〔VSS〕用端子を構成するバスバーリード7のそれぞれは、絶縁フィルム4の二つの短辺と一つの長辺(中央側)に沿って延在するコの字状のパターンを有しており、例えばエポキシ樹脂系またはポリイミド樹脂系の接着剤によって絶縁フィルム4に接着されている。
【0026】また、上記二本のバスバーリード7のそれぞれは、例えばAu、CuまたはAlからなるワイヤ8を介して半導体チップ3のボンディングパッド5と電気的に接続されている。上記ワイヤ8は、例えば熱圧着に超音波振動を併用したボンディング法を用いてボンディングされている。
【0027】上記コの字状のパターンを有するバスバーリード7によって三方を囲まれた絶縁フィルム4上の領域には、信号用端子を構成するリードのインナーリード部6Aが半導体チップ3の長辺方向に沿って配置されている。上記インナーリード部6Aのそれぞれは、例えばエポキシ樹脂系またはポリイミド樹脂系の接着剤によって絶縁フィルム4に接着されている。
【0028】また、信号用端子を構成する上記インナーリード部6Aのそれぞれは、ワイヤ8を介して半導体チップ3のボンディングパッド5と電気的に接続されている。
【0029】上記ワイヤ8は、前記バスバーリード7の上を跨ぐようにボンディングされている。
【0030】図1に示すように、本実施例のLSIパッケージ1に封止された半導体チップ3の主面の中央には、半導体チップ3の長辺方向に沿って延在する第2の絶縁テープ9が設けられている。この絶縁テープ9は、前記絶縁テープ4と同じく、ポリイミド系樹脂からなり、エポキシ樹脂系またはポリイミド樹脂系の接着剤によって半導体チップ3に接着されている。
【0031】上記絶縁テープ9の主面上には、Cuなどからなる所定数の配線10がパターン形成されており、これらの配線10と半導体チップ3のボンディングパッド5とは、ワイヤ8を介して電気的に接続されている。
【0032】上記のように構成された本実施例のLSIパッケージ1によれば、次のような効果を得ることができる。
【0033】(1) 半導体チップ3の内部配線の一部を絶縁テープ9の配線10で代替させることにより、半導体チップ3内の配線領域の面積を縮小することができるので、半導体チップ3を小型化することができる。また、半導体チップ3の面積が同一の場合は、LSIの集積度を向上させることができる。
【0034】(2) 絶縁テープ9の配線10のパターンを変更することによってLSIの機能を変更することができるので、同一の半導体チップ3で異なる機能のLSIを提供することができる。
【0035】以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0036】前記実施例では、第2の絶縁テープの配線と半導体チップのボンディングパッドとをワイヤで接続したが、例えば絶縁テープの直下にボンディングパッドを配置し、絶縁テープの配線とこのボンディングパッドとを半田バンプなどを介して電気的に接続してもよい。
【0037】また、本発明では、第2の絶縁テープの配線を多層化することにより、半導体チップの面積を一層縮小することができる。
【0038】前記実施例では、樹脂封止形LSIパッケージの一種のSOJに適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、リード・オン・チップ構造を有する脂封止形LSIパッケージ全般に適用することができる。
【0039】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【0040】(1) 本発明によれば、半導体チップ内の配線領域の面積を縮小することができるので、半導体チップを小型化することができる。また、半導体チップの面積が同一の場合は、LSIの集積度を向上させることができる。
【0041】(2) 本発明によれば、絶縁テープの配線のパターンを変更することにより、同一の半導体チップで異なる機能のLSIを提供することができる。




 

 


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