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発明の名称 真空処理装置
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−97113
公開日 平成6年(1994)4月8日
出願番号 特願平4−247639
出願日 平成4年(1992)9月17日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】高田 幸彦
発明者 光田 明彦 / 尾山 正俊 / 金清 任光 / 清水 文男
要約 目的


構成
真空処理装置内クリーニング作業の効率向上を達成するため、真空容器側壁取付け角を90°以上とすることにより、側壁部付着物が剥離した際、装置の一箇所に集中することを避けることが出来るとともに、容器内クリーニング作業性が向上する。
特許請求の範囲
【請求項1】真空排気孔を有する真空容器において、前記真空容器を構成している側壁部材の壁と壁との取付け角度を90°以上としたことを特徴とする真空処理装置。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関し、特にクリーニングの作業性に好適な真空処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の装置は、例えば特開昭62−142791号公報に記載のように処理室内側壁が底板に対し垂直になっていた。すなわち、図2に示すように、その角度Bに溜った異物を除去させる為のクリーニングが困難になっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の装置は、側壁取付け角がθ=90°となっていたため、側壁部に付着する塵埃等が側壁下部の角に堆積したりし、除去しづらいという問題があった。
【0004】本発明の目的は、側壁部に付着し脱離した塵埃が、装置内の一部に集中することを避けるとともに、容器内クリーニング作業の効率向上を目的とした真空処理装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、真空容器側壁取付け角を90°以上とすることにより、側壁部付着物が剥離した際、装置の一箇所に集中することを避けることが出来るとともに、容器内クリーニング作業性が向上する。
【0006】
【作用】本発明の作用を以下に示す。
【0007】側壁取付け角θを、θ>90°に取付けられた真空容器側壁部は、付着した塵埃等が剥離した場合、側壁部と底面部との間に滞留しないように寄与する。また、真空容器清掃時において、上部からクリーニングし易いとともに、前記と同様剥離した塵埃の除去が簡硬となる。
【0008】
【実施例】図1は、本発明の真空処理装置の概略を示すものである。
【0009】図1において、バッファ室bにはエッチング室を含み各さまざまな処理室が設けられており、その各処理室を図示を省略した搬送装置によってウエハが通過可能となっている。例えば、エッチング室はバッファ室の一部に設けられておりエッチング処理時にはバッファ室内においてゲートバルブ3が上昇しエッチング室を独立させた状態でガスを流入させかつ排気しながらプラズマ処理を行う。処理が完了すればゲートバルブ3が下降し処理されたウエハが再びバッファ室内を搬送される事になる。またエッチングにより発生した反応性生成物はエッチング室内に蓄積されるが場合によってはウエハに付着されたままバッファ室内を搬送される事もある。処理枚数が増加するにつれてバッファ室内の反応性生成物の数も増加する事になる。またウエハ搬送時に装置トラブルに関するウエハの割れが発生する事があり、どちらの場合もバッファ室内のクリーニングが必要とされる事となる。通常のクリーニングではバキューム(掃除機)によるものとアルコール拭きが主として挙げられるが、どちらを使用しても図2のB部に示す従来の構造の場合にはB部の箇所のクリーニングは容易ではなかった。しかしながら図1のA部に示すようにクリーニング性向上を目的としてバッファ室b内にある側壁板6に90°以上の角度(θ)をつける。従来のものより角度を大きくする事によりクリーニングの作業性が向上する。底板5と側壁板6との角度(θ)としては、100°を越えθが大きくなるにつれ作業性が一段と向上する。
【0010】なお、底板5と側壁板6との接合部分を丸くすることにより、クリーニングの作業性が更に向上することはもちろんである。
【0011】本発明の具体の一実施例を図1,図2により詳細に説明する。
【0012】図1は、本発明の真空処理装置の構成断面図である。
【0013】被処物を処理する真空処理室は、石英ベルジャー1、により大気を隔てられている。また真空処理室以外の箇所もバッファ室開板4,側壁板6,底板5、により前記真空処理室と同様に大気と分離されている。前記真空箇所は真空ポンプ7,8により常時減圧の状態に維持されている。被処理物は図示を省略した搬送装置により、電極2に載置され、ゲートバルブ用上下機構9により、ゲートバルブ3が上昇し、ベルジャー1とゲートバルブ3により処理室のみ独立状態となる。その処理室に図示を省略したガス導入機構により、処理室へガスを導入するとともに、図示を省略したプラズマ発生機構で、電極上に載置されたウエハを加工する。
【0014】このような構成の装置の優位性を、従来装置の構成図2との比較において説明する。
【0015】従来の構成図2では、側壁部に付着した塵埃は、剥離後方側壁部と底面部の角Bに蓄積されていた。この側壁部と底部など接合部をθ>90°とするとともに、丸くすることにより、側壁部に付着した塵埃が脱離,剥離した際、接合部に滞まることを防止することが出来る。また、クリーニングの作業時においても、剥離させたものが接合部などにたまることもなく除去出来ることから作業性も向上する。
【0016】
【発明の効果】本発明は、半導体装置を加工する真空処理装置において、塵埃の滞留しない構成とすることにより、発塵量の少ない、クリーニング作業性がよい真空処理装置が得られる。
【0017】間接的には、半導体装置加工時に問題となる発塵量を低減し、製品歩留りを向上させる効果がある。
【0018】またクリーニング作業時間の短縮などが望める。




 

 


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