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発明の名称 半導体素子の封止方法
発行国 日本国特許庁(JP)
公報種別 公開特許公報(A)
公開番号 特開平6−37125
公開日 平成6年(1994)2月10日
出願番号 特願平4−187862
出願日 平成4年(1992)7月15日
代理人 【弁理士】
【氏名又は名称】小川 勝男
発明者 岩佐 賢二
要約 目的
基板上に実装する半導体素子の滴下封止樹脂の封止範囲を制御することを目的とする。

構成
実装対象となる所望の基板上に半導体素子を取付け前記半導体素子を封止する際に半導体素子が取り付けられたもの用意し、次に前記基板の半導体素子の周囲を予備加熱し、次にその後前記半導体素子上に液状樹脂を滴下し、その後前記滴下した樹脂を加熱し硬化させる工程により半導体素子を封止する。
特許請求の範囲
【請求項1】所望の基板に取付けられた半導体素子を樹脂により封止する方法において、基板上に取付けられた半導体素子と前記基板上の配線を接続したものを用意する工程と、前記封止する半導体素子の周囲を部分的に加熱する工程と、前記半導体素子上に液体樹脂を滴下する工程と、前記滴下した樹脂を加熱し硬化させる工程とを有することを特徴とする半導体素子の封止方法。
発明の詳細な説明
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の封止方法にかかわり、特に基板上に半導体素子を取付け基板上に形成された配線とワイヤにより接続されたもので、Chip On Board(以下COBという)あるいはICカード等において封止するものに適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般にCOB、ICカードといった基板上に半導体素子を取り付けるものにおいては、基板上に半導体素子を取り付けた後、基板上に形成された配線とワイヤボンディングを行ない、その後液状樹脂を前記半導体素子の上面に滴下し、加熱処理を行ない半導体素子の封止を行なう。この場合液状樹脂は滴下された後、半導体素子の上面のみならずその周囲にまで広がってしまう。このため樹脂の広がりを防止する為に前記半導体素子の周囲にシリコンゴムによる枠を形成したり、予め基板上にスクリーン印刷によって枠を形成しておくものが一般的である。
【0003】このように枠を形成するものとして「最近の半導体アセンブリ技術とその高信頼化・全自動化」、黒桝卓他著、応用技術出版社発行、1985年11月3日刊がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記した手段においては、シリコンゴムによって予め枠を形成するものでは、液化したシリコンゴムを基板上に型枠によって形成し、封止硬化後前記形成した枠を洗浄液によって除去する必要が有るため、工程が多いという問題があった。また前記シリコン枠を一定の高さに形成することは難しく、低くなってしまった所から封止樹脂が流れ出してしまうという問題があった。さらに予めスクリーン印刷によって枠を形成しておくものは基板購入の際のコスト高につながるという問題があった。さらに枠を形成しておくことは枠のマージンが必要であるため、周囲の素子取付けに対してスペースの制約を加えることとなってしまうという問題があった。
【0005】本願発明の目的は上記した問題を解決し、素子取付けの際の自由度を向上した滴下樹脂による封止方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本願において開示される発明のうち代表的なものの手段について説明すれば下記のとおりである。
【0007】すなわちCOBあるいはカード等の所望の基板上に半導体素子を樹脂により封止する方法において、前記基板上に半導体素子を取付け前記半導体素子と前記基板上の配線を接続したものを用意する工程と、前記封止される半導体素子の周囲を部分的に加熱する工程と、前記半導体素子上に液樹脂を滴下する工程と、前記滴下した樹脂を加熱し硬化させる工程とを有する半導体素子の封止方法である。
【0008】
【作用】上記した手段によれば、滴下樹脂の流れ止めのための枠を形成することがないので工程が簡略化される。また自由度を持たせて形成することが可能と成るため、実装する素子間のマージンを必要以上に取る必要がなくなる。
【0009】
【実施例】図1は本願発明の半導体素子の封止方法に適用する予備加熱装置を示した斜視図であり、図2乃至図4はその加熱工程を示した概略側面図、図5は上記予備加熱装置の要部示す正面、側面および下面図、図6は本願発明の封止方法を適用するための製造ラインのブロック図、である。
【0010】図1に示したように本願実施例の予備加熱装置は加熱ホルダー1と前記ホルダー1に取り付けられた加熱ヘッド2とからなる。前記ホルダー1は背面にヒータ3を有しており、加熱対象となる基板方向については加熱ヘッド2aおよび2bが取り付けられている。また本実施例においては加熱対象となる半導体素子を実装する基板上で同時に封止する半導体素子6aおよび6bの周囲に加熱エリア5a、5bがそれぞれ形成されている。
【0011】基板3はその主面に半導体素子6a、6bが取り付けられており、ワイヤボンディングにより半導体素子6の電極と基板上の配線4aとが接続されている。
【0012】基板4上には予備加熱エリア5がそれぞれ封止対象と成る半導体素子を取囲むように周囲に形成されている。このエリア5は上記予備加熱装置の加熱ヘッド2に対応して形成されいる。
【0013】次に図2乃至図4を用いて製造工程について説明する。まず基板4の主面に半導体素子6が取り付けられ、前記半導体素子6の周囲の基板上に形成された配線4aと半導体素子6の電極とがワイヤボンディングにより接続されているものを用意し、ローダ8に配置する。
【0014】次に予備加熱ステージ9に前記基板4を搬送し、加熱ヘッド2と加熱エリア5との位置合わせを行う。
【0015】次に充分に熱された加熱ヘッド2を前記基板4の加熱エリア5に接触させ部分的に加熱させる。
【0016】その後滴下ステージ10に基板を搬送し、エポキシ系樹脂あるいはポリイミド系の液状樹脂7を滴下する。滴下された樹脂7はその周囲が予備加熱されたエリア5に到達すると初期硬化し、予め加熱したエリア内で封止樹脂7の広がりが制御される。
【0017】次に本ベーク工程11に基板を搬送し滴下した封止樹脂を一定時間加熱し液状樹脂を硬化安定させた後アンローダに搬出される。
【0018】以上本願発明を本願の背景と成った技術分野について説明したが、本願は上記した実施例に限定されることなく種々変更可能であることはいうまでもない。
【0019】例えば本実施例においては、半導体ペレットを実装基板に取付けるものについて説明したが、既にトランスアファモールドによって封止されたものについても適用できる。
【0020】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表的なものの効果を記載すれば下記の通りである。
【0021】すなわち滴下樹脂の封止範囲を加熱部の形状で制御することができるので基板上の素子実装のレイアウトの自由度が大幅に改善される。また枠の形成なしに封止範囲の限定を行うことができる。




 

 


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